DMZ1520E在MCU供电与保护方案中的应用

目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V～5.5V，在高输入电压供电的应用里，MCU的供电大多使用耗尽型MOSFET+LDO的方案。如图1电路所示，使用耐压值为150V的DMZ1520E搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时，为进一步简化电路和节约成本，也可以仅仅使用DMZ1520E直接给MCU供电，如图2电路所示，在1mA～5mA的工作电流条件下，DMZ1520E的输出电压（VDD电压）约为3.5V。电路示意图如下：

           

图1.常见的MCU供电方案                

 

图2.使用DMZ1520E直接给MCU供电的方案

如图2电路所示，仅仅使用1颗DMZ1520E，就能给工作电压为2.7V～5.5V的MCU稳定供电，同时为MCU提供瞬态浪涌保护。

图2电路特点如下：

1. DMZ1520E的工作电压最高为150V，可直接工作于高输入电压条件下。
2. DMZ1520E既能够稳定的给MCU供电，又能够为MCU提供良好的瞬态浪涌保护。
3. DMZ1520E可靠性高，稳定性好，电路结构简单，可有效节约成本。

通常MCU的工作电流约为1mA～5mA，因此在该条件下使用典型的DMZ1520E样品按照图2电路进行测试，测得VDD电压值与电流的关系如图3所示。此外，该VDD电压值与DMZ1520E的阈值电压参数VGS(OFF)相关，典型DMZ1520E样品的VGS(OFF)参数值随结温的变化关系如图4所示：

    

图3.实测VDD电压值与电流的关系             

图4.DMZ1520E的VGS(OFF)参数值与结温的关系