DFN MOSFET由Nexperia发布

DFN封装特点：

DFN：体积上，较SOT-23大，但小于TO-252，一般在低压和30A以下中压MOS管中有采用，得益于产品体积小，主要应用于DC小功率电流环境中。

MOSFET

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。由于MOSFET的尺寸非常小，因此MOSFET既可以是核心也可以是集成电路，可以在单个芯片中进行设计和制造。MOSFET器件的引入带来了电子开关领域的变化。

1 什么是MOSFET？

MOSFET是具有源极（Source），栅极（Gate），漏极（Drain）和主体（Body）端子的四端子设备。通常，MOSFET的主体与源极端子连接，从而形成诸如场效应晶体管的三端子器件。MOSFET通常被认为是晶体管，并且在模拟和数字电路中都使用。这是MOSFET的基本介绍。该设备的一般结构如下：

场效应晶体管

根据上述MOSFET结构，MOSFET的功能取决于沟道宽度中发生的电气变化以及载流子（空穴或电子）的流动。电荷载流子通过源极端子进入通道，并通过漏极离开。

沟道的宽度由称为栅极的电极上的电压控制，该电极位于源极和漏极之间。它与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘。器件中存在的MOS容量是整个操作的关键部分。

带有端子的MOSFET

MOSFET可以通过两种方式发挥作用：

1）耗尽模式（Depletion Mode）

2）增强模式（Enhancement Mode）

耗尽模式

当栅极端子两端没有电压时，该通道将显示其最大电导。而当栅极端子两端的电压为正或负时，则沟道电导率会降低。

举例：

增强模式

当栅极端子两端没有电压时，该器件将不导通。当栅极端子两端的电压最大时，该器件将显示出增强的导电性。

增强模式

安世MOSFET 基于DFN封装

Nexperia早前已经提供采用该封装的 ESD 保护器件，如今更进一步，Nexperia（安世半导体）成功地将该封装技术运用到 MOSFET 产品组合中，成为行业竞争的领跑者。超10万种现货元器件，一件也发货，来唯样商城购正品~

新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能（AI）和机器学习（ML）技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的增加，散热也成为一个不容忽视的问题。

Nexperia（安世半导体）作为分立器件生产行业领导者，凭借数十年经验的沉淀，设计出这一超小尺寸的创新型 MOSFET 系列，成功地克服了这两个问题。超薄型 DFN0603 封装，尺寸仅为 0.63 x 0.33 x 0.25 mm，比第二小封装（DFN0604）的 MOSFET 使用的空间少 13%。令人惊叹的是，这种尺寸上的缩小毫不影响器件性能，事实上，这些 MOSFET 的 RDS（on）减少了 74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。

该新系列小型MOSFET包括：

[gf]25b6[/gf]PMX100UN 20V，N沟道Trench MOSFET

[gf]25b6[/gf]PMX100UNE 20V，N沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护（HBM）

[gf]25b6[/gf]PMX300UNE 30V，N沟道Trench MOSFET

[gf]25b6[/gf]PMX400UP 20V，P沟道Trench MOSFET

Nexperia（安世半导体）计划于 2022 年下半年为该系列再增加两款 MOSFET。