CCS编译 FLASH memory range has already been specified 错误

触发linker报错的过程是，先从CCS12的资源浏览器中导入一个例程如project zero。此时如果直接编译，不会报错。但是如果将目标芯片更改，只要一改，不管改成什么，即使改完保存再改回来，依然会报错

查看这个产生报错的cc26xx_app.cmd，是在link过程中调用的一个文件，里面有对flash区块进行定义的语句

MEMORY
{
    /* Application stored in and executes from internal flash */
    FLASH (RX) : origin = FLASH_BASE, length = FLASH_SIZE
    /* Application uses internal RAM for data */
    SRAM (RWX) : origin = RAM_BASE, length = RAM_SIZE
    /* Application can use GPRAM region as RAM if cache is disabled in the CCFG
    (DEFAULT_CCFG_SIZE_AND_DIS_FLAGS.SET_CCFG_SIZE_AND_DIS_FLAGS_DIS_GPRAM = 0) */
    GPRAM (RWX): origin = GPRAM_BASE, length = GPRAM_SIZE
}

错误信息显示这个FLASH和页码以及SRAM被重定义并且重合了。cc26xx_app.cmd是一个保存在sdk路径中的文件，肯定不能乱改。所以到工作空间搜索了一下.cmd，发现有一个文件名和目标芯片名一样的cmd，打开果然发现里面有一模一样的对memory的定义。

 所以推测是CCS本想通过直接在工作空间中添加一个cmd文件，来控制不同目标芯片的memory定义，结果和sdk里的语句产生了冲突。如果直接删掉工作空间里的这个cmd，编译可以通过。如果确实由于更换目标芯片导致memory需要修改，可以考虑把其中的定义内容替换过去，或者通过project-properties-CCS build-Arm linker-Advanced options-command file preprocessing中添加宏参数来进行更改。这个更改方法在以上的各个cmd文件注释里有介绍。