富士通FRAM技术和工作原理

存储设备（主要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失，这意味着数据一旦被写入，只要不进行擦除或重写，数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。

富士通FRAM技术和工作原理

FRAM是运用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。

•当一个电场被加到铁电晶体时，中心离子顺着电场的方向在晶体里移动，当离子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。

•移去电场后中心离子保持不动，记忆体的状态也得以保存。

•材料本身的迟滞特性的两个稳定点代表0或1的极化值。

FRAM的特点

独特性能成就技术“硬核”，FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM还具备三大主要优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。

其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时，FRAM写入数据可在150ns内完成、速度约为EEPROM的1/30,000，写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400，在电池供电应用中具有无与伦比的优势。

富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储领域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。