Everspin汽车应用1Mb串行MRAM芯片MR25H10MDC

MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。

MR25H10MDC是一款位宽为128Kx8的非易失性MRAM存储器，提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。MR25H10MDC与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10MDC是理想的存储器解决方案。

MR25H10MDC采用5mmx6mm 8引脚DFN封装。与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。MR25H10MDC在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85℃）和车规AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）工作温度范围选项。因此，此款MR25H10MDC非常适合使用在汽车应用上。

MR25H10MDC具有无写入延迟、无限写入耐久性等特征，数据保留可超过20年。断电时自动数据保护。具备块写保护。快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz，电源范围在2.7~3.6V。低电流睡眠模式，可直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM。