比较FRAM和MRAM的区别

本篇文章由英尚微详细介绍非易失性MRAM与FRAM之间的区别。

疲劳

MRAM技术使用磁态进行数据存储。在两种状态之间切换磁极化不需要原子的运动,因此MRAM器件没有磨损机制。FRAM中的位存储需要响应电场,使其固有的电偶极子(在Pb(Zr,Ti)O3的情况下,氧八面体中的Ti4+离子)移动。随着时间的流逝,电容器中自由电荷的积累和其他离子缺陷将越来越阻碍偶极子的移动,此外与铁电偶极子的氢键键合是一种已知的磨损机制,这就是为什么CMOS中需要关注H2污染的原因BEOL制造FRAM。

保留/相反状态保留
FRAM技术在存储元件的磁滞行为中具有固有的不对称性。与顶部电极相比,底部电极具有更高的热收支,导致铁电元件的优选偶极子定向。随着时间的流逝,该优选取向最终将变得如此占主导地位,以至于外部编程电压将不再能够将偶极子重新取向出优选取向。存储单元被锁定为首选方向,从而导致存储位故障。

FRAM技术的另一个问题是响应较低的读取电压会降低极化(信号)。在写入操作期间将完整的电源电压施加到电容器,但是在读取操作期间,只有一部分电压会施加到铁电元件,因为读取电压在寄生电容和铁电电容之间分配。结果,在随后的读取中,状态之间的电压裕度减小,并最终导致无法区分状态。

高温数据保留
超过85°C的环境工作温度会加速FRAM的磨损,因为会积聚自由电荷,从而导致烙印。

Everspin MRAM在精心设计的实验中得到了证明,可以在125°C的温度下将数据保留长达20年。

扩展温度
扩展温度的FRAM(工业和汽车(AEC-Q1001级))通常需要使用2T-2FC体系结构。这种架构允许自参考读取,以补偿较高工作温度下的弱化极化(信号余量)。

Everspin MRAM不需要更改其他架构即可满足工业和汽车温度要求。

制造业
Everspin MRAM产品使用标准的商用CMOS制造技术制造。磁性元件建立在两个Cu金属层之间,通常是最后一个和倒数第二个金属层。除了在金属沟槽中添加磁性覆盖层之外,与标准BEOLCMOS工艺没有任何偏差。

FRAM产品集成在第一个BEOL金属层之前的W插头上。在FRAM工艺的高温下(沉积PZT膜需要650℃),W形插头容易氧化,因此缺陷控制成为一个挑战。

在返回标准BEOLCMOS处理之前,必须将铁电电容器封装在AlOx中,以防止H2扩散到其他铁电元件中。

可扩展性
在65纳米或更小的制造节点上,将需要3D架构来构建铁电(FRAM)元件。随着特征尺寸的减小,烙印或铁电偶极子的非优选取向的风险会增加。Everspin MRAM使用标准的CMOS技术,具有更大的可扩展性,同时功能尺寸减小,而成本却不高。

比较FRAM和MRAM(MR0A08A与FM28V100,2.7V至3.6V)

在这里插入图片描述

MRAM好处
源自浮栅技术的传统可写非易失性存储器使用电荷泵在芯片上产生高电压(10V或更高),以迫使载流子通过栅极氧化物。因此,存在长的写入延迟,高的写入功率,并且写入操作实际上对存储单元具有破坏性。浮动门设备无法支持超过10e6次访问的写操作。从一个角度来看,使用EEPROM以1个样本/秒的速度记录数据的数据记录器将在不到12天的时间内磨损。相比之下,Everspin MRAM产品几乎提供无限的耐用性(10e16次访问)。

<think>好的,我现在需要回答用户关于ROMRAM区别的问题。用户之前已经询问过DRAMSRAM是否需要刷新,现在转向ROMRAM区别。这说明用户可能在学习计算机内存相关的知识,或者在做相关项目需要理解不同类型的存储器。 首先,我要确保自己准确理解ROMRAM的基本概念。ROM是只读存储器,而RAM是随机存取存储器。但需要更详细地比较它们的特性,比如数据易失性、用途、存储原理等。 接下来,我需要回忆两者的主要区别RAM是易失性的,断后数据丢失,而ROM是非易失性的,断后数据保留。这点非常重要,是核心区别之一。然后,用途方面,RAM用于临时存储运行中的程序数据,而ROM通常存储固件或启动程序,比如BIOS。 存储原理方面,RAM使用容或触发器,需要刷新(如DRAM),而ROM可能使用熔丝、浮栅晶体管等物理结构,数据写入方式不同,比如ROM一般只能写入一次或多次但需要特殊操作(如EPROM用紫外线擦除)。 可写性也是一个区别RAM可随时读写,而ROM通常只能读取,写入需要特定条件或设备。这关系到它们的应用场景,比如RAM用于系统内存,ROM用于存储固件。 然后,性能容量方面,RAM速度更快,但容量可能不如ROM大?或者反过来?可能需要查证。例如,现代RAM的容量确实可以很大,但ROM在嵌入式系统中可能容量较小,但用于存储固件足够。不过,像闪存这种属于ROM的变种,容量也可以很大,比如SSD中的存储。 另外,用户之前的提问涉及DRAMSRAM的刷新问题,可能需要提到RAM的易失性是否需要刷新,但这里可能更多是区分易失性非易失性,而刷新主要是DRAM的问题,不是所有RAM都需要,比如SRAM不需要刷新但仍然是易失性的。 需要注意不要混淆概念,比如虽然SRAM不需要刷新,但它仍然是RAM的一种,属于易失性存储器。而ROM是非易失性的,不需要力维持数据。 可能还需要提到不同类型的ROM,比如PROM、EPROM、EEPROM、闪存等,说明它们的发展在可写性上的改进,但保持非易失性。 最后,总结它们的应用场景,比如RAM用于临时高速存取,ROM用于长期存储固件,引导程序等。 需要检查是否有错误,比如是否所有ROM都不可写?实际上PROM可编程一次,EPROM可擦除,EEPROM闪存可以多次擦写,但通常归类为ROM,因为主要用途是读取,写入需要特殊操作。 在结构上,可能需要提到RAM的结构更复杂,需要更多晶体管,而ROM可能结构更简单,密度更高,成本更低? 同时,性能方面,RAM的访问速度通常比ROM快,但现代ROM如NOR闪存可能有较快的读取速度,但写入速度慢。 用户可能需要一个清晰的对比表格,分点说明,这样容易理解。 现在需要组织这些信息,确保逻辑清晰,分点明确,使用用户容易理解的语言,避免专业术语过多,但保持准确性。</think>### ROM RAM区别详解 #### 1. **基本定义** - **ROM(Read-Only Memory,只读存储器)** - 用于存储**永久性数据**(如固件、启动程序)。 - 数据**非易失性**:断后数据不丢失。 - 典型应用:BIOS、嵌入式系统固件、手机系统引导程序。 - **RAM(Random-Access Memory,随机存取存储器)** - 用于**临时存储**运行中的程序数据。 - 数据**易失性**:断后数据丢失。 - 典型应用:脑内存、手机运行内存(如8GB RAM)。 --- #### 2. **核心区别对比** | **特性** | **ROM** | **RAM** | |------------------|--------------------------------------|--------------------------------------| | **数据易失性** | 非易失性(断保留) | 易失性(断丢失) | | **可写性** | 通常只读,写入需特殊操作(如烧录) | 可随时读写 | | **存储原理** | 物理结构固化(如熔丝、浮栅晶体管) | 荷(DRAM)或触发器(SRAM) | | **速度** | 读取较慢,写入极慢(需特殊操作) | 读写速度快 | | **成本与容量** | 成本低,容量灵活(KB到TB级) | 成本高,容量受技术限制(如GB级) | | **典型用途** | 固件、引导程序、嵌入式系统 | 操作系统、应用程序的临时运行空间 | --- #### 3. **详细说明** ##### **(1)数据存储方式** - **ROM** - 数据通过**物理方式固化**(如熔丝熔断、浮栅晶体管荷捕获)。 - 例如: - **PROM**(一次性编程):熔丝烧断后不可逆。 - **EPROM**:紫外线擦除后重新写入。 - **EEPROM/闪存**:信号擦写(如U盘、SSD)。 - **RAM** - 数据依赖**荷或触发器状态**: - **DRAM**:容存储荷,需定期刷新。 - **SRAM**:6晶体管锁存路,无需刷新。 ##### **(2)可写性** - **ROM** - **出厂写入**(如Mask ROM):用户无法修改。 - **有限次写入**(如EEPROM):需高压或特殊信号。 - **RAM** - **自由读写**:CPU可直接修改数据,无需额外操作。 ##### **(3)性能与用途** - **ROM** - **优势**:数据永久保存,抗干扰性强。 - **局限**:写入速度慢,无法频繁修改。 - **场景**:设备启动代码(如BIOS)、嵌入式系统固件。 - **RAM** - **优势**:高速读写,支持多任务实时处理。 - **局限**:成本高、容量受限、需持续供。 - **场景**:脑/手机运行内存、CPU缓存(SRAM)。 --- #### 4. **技术演进** - **ROM的扩展** - **闪存(Flash Memory)**:结合ROM非易失性与类似RAM的擦写能力,广泛用于SSD、SD卡。 - **新型存储器**:如MRAMFRAM,试图兼具非易失性高速读写特性。 - **RAM的优化** - **低功耗DRAM**(LPDDR):用于移动设备,降低能耗。 - **HBM(高带宽内存)**:通过3D堆叠提升性能,用于GPU/AI芯片。 --- #### 5. **总结** - **ROM**是“永久存储”,**RAM**是“临时工作区”。 - 二者互补:ROM确保系统启动基础功能,RAM提供高速运行环境。 - 现代设备(如手机)通常结合ROM(存储系统) + RAM(运行内存) + 闪存(用户数据存储)实现高效运作。
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