推荐国产存储16Mbit异步快速SRAM芯片EMI516NF16LM-10I

快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。

国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速随机静态存储器，位宽8*1M字位。该器件采用先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。

EMI516NF16LM-10I使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。封装采用48FBGA。

EMI516NF16LM-10I特点
•快速访问时间：10ns
•CMOS低功耗待机(TTL)：35mA（最大值）
(CMOS):28mA(Max.)工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)
•3.3V电源
•TTL兼容输入和输出
•完全静态操作，无需时钟或刷新
•三态输出
•数据字节控制(x16模式)LB:I/O0_I/O7,UB:I/O8I/O15
•标准48FBGA封装类型
•符合ROHS
•工业温度