构成半导体器件最基本的结构就是PN结。半导体二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个半导体二极管。
二极管的电路符号如图所示。二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极,二极管的文字符号用VD表示。
扩散运动的速度,固液气体,依次加快。
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
P型半导体中的硼原子,为何成为带负电的离子?
第一种解释:电负性问题。 硼(2.04)的电负性比Si(1.90)的大,因此显负价。 附:电负性 周期表中各元素的原子吸引电子能力的一种相对标度 。又称负电性。一般来说,周期表从左到右,元素的电负性逐渐变大;周期表从上到下,元素的电负性逐渐变小。电负性也可以作为判断元素的金属性和非金属性强弱的尺度。一般来说,电负性大于1.8的是非金属元素,小于1.8的是金属元素,而位于非金属三角区边界的“类金属”(如锗、锑等)的电负性则在1.8左右,它们既有金属性又有非金属性。
元素的电负性愈大,吸引电子的倾向愈大,非金属性也愈强,越带负电。
第二种解释:因为P型中的硼得到电子所以带负电,同理N型中的磷失去电子所以带正电。
由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。扩散运动使靠近接触面P区的空穴和N区的自由电子浓度大大降低,从而在接触面附近P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。由于N区不移动的离子为正,P区不移动的离子为负,形成了由N指向P的内建电场。内建电场会阻止扩散运动的进行。
内建电场会阻止扩散运动的进行,而内建电场会促使产生与扩散运动相反的漂移运动。从而内部就有二种运动了。漂移运动作用的对象使少子。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。PN结具有单向导电性。
空间电荷区也叫耗尽区。
P型半导体由于空穴是多子,从而成为正极或者阳极,内建电场指向P,如果P接一个外电路的正极,就会抵消内建电场,使耗尽区变窄,加速扩散运动,从而导通。
这个电阻是必要的。在任何一个PN结加了正向电压的回路中,一定要有一个电阻来限制这个回路中电流,来保护这个PN结,因为如果电流过大,温升过高就会烧掉PN结。
由于偏移运动作用的使少子,产生的电流很小,故要近似的认为其截止。
问题一:这样可以认为的控制它的导电性。
问题二:半导体器件的温度稳定性差,少子的浓度受温度的影响大。