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上一期我们聊了SOA曲线以及SOA曲线中的各条线是怎么得到的，今天我们就聊聊Vth和结电容。
首先是Vth，我们一般只关注到Vth的数值，但往往忽略了测试条件和其它一些特性。
1. Vth的测试条件：
如上图可以看到Vth是有测试条件的，一般是VDS=VGS，ID=1mA，也就是说测试时是VDS和VGS加同样的电压，当所加电压使得流过漏极的电流达到1mA时，所施加电压为Vth，但一般情况下这种测试工况和实际使用工况相差很大，那么我们可否通过规格书知道更大漏极电流下的Vth呢，答案是肯定的。
这时我们可以找到转移特性曲线，如下所示。转移特性曲线中标明了不同结温下，漏极电流与门极电压之间的关系。细心的小伙伴可能发现了转移特性曲线中规定了VDS=20V这个条件，那么其他漏源电压下是怎样的呢？这时我们就要结合输出特性曲线图来找出对应条件下的Vth了。
2. Vth也是一个与温度相关的参数，它是负温度系数。可以看到结温越高，Vth越低，因此在设计中要保证高温下MOSFET能完全关断，需要设计的VGS关断电压尽可能低，有时为了保证可靠的关断，可以将关断电压设计为负压。
对于结电容来说，大部分同学可能关注到了规格书中的具体参数值，但其实半导体的结电容大多数不是恒定值，而是随结电压的变化而变化，而且呈现非线性的特质，而这个特性往往是导致MOSFET开关过程中DS和GS电压振荡并且振荡呈现非正弦的一大主因。
1. 一般一个完整的带有结电容的MOSFET模型如下图所示，在MOSFET的三个极之间都有结电容，规格书中的电容和接电容的关系如下：
2. 从规格书中的参数可以看到，结电容对应的漏源电压VDS=400V，那么对应其他漏源电压的结电容分别是多少呢？
从上图结电容曲线可以看到，结电容是随漏源电压变化的，当漏源电压较小时，结电容尤其是Coss和Crss是非常大的，是高漏源电压的100-500倍。
正是因为结电容的这个特性，导致MOSFET在关断时有两个重要现象：
- 相对于开关时的上升下降沿，有较大的关断延迟以及开通拖尾现象。这里的开通拖尾是指当MOSFET开通时，VDS电压快速下降到较低电压比如20V后，后面电压会缓慢下降到IDS*RDS_ON。
- 开关时DS之间的振荡并非典型的LCR振荡波形，而是呈现一种非规则的振荡。这个就是因为结电容随VDS变化导致的。
以上就是我们深入理解MOSFET规格书第五期，本期着重介绍了开启电压Vth和结电容。下期我们将带来Qg以及开关时间的解读，敬请期待。
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