入门硬件设计第2天：电容

最新推荐文章于 2024-05-06 09:53:35 发布

叫我小何就行了

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电容

1.电容的作用

在电路设计中，电容是比较常用的器件，电容的类型有很多种（如图1），主要体现在容量，电压，制作的材料。

图1 多种电容示意图

可以把它们理解一个大水缸，其中的水就是电荷，流动的水就是电流，后面会分析水缸的容量，水流入留出，水压的变化以及水流动的阻力等。我们把电容器的两极板间的电势差增加1V 所需的电量，叫做电容器的电容。制作电容的原理很简单，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。即使种类很多，电容的作用不外乎以下几种：

1.1储能与电源：

理想情况下，认为电容是不消耗电能的，所有输入的电能都能被输出，分析电路时认为充满电的电容是断路。充电的瞬间认为是短路，在充电过程中，电能被存储在电场中。这种电场储存的能量与电容器的电荷和电势差有关，可由公式 $E = \frac{1}{2}VC^{2}$ 表示，其中E表示电容器储存的能量，单位是焦耳（J）。C 是电容器的电容量，单位是法拉（F）。V 是电容器上的电压，单位是伏特（V）。

最常见的就是应急灯，会使用法拉电容或者超级电容作为储能电源。因为一般的锂电池，铅酸蓄电池循环充电使用寿命有限，一般300多次性能就会严重下降，不能满足设备的需求，电容循环寿命通常在数十万次循环左右，一直满电对电容的储存也不会受到影响。所以电容是应急灯最合适的电源。

1.2滤波：

当电容器充电时，它吸收电流并储存电荷，导致电压上升。而在电容器放电时，它释放储存的电荷，导致电压下降。这种充放电的特性在电源电路中，可以平滑电压波动，确保电路获得稳定的电源。在信号线上，电容可以过滤掉高频噪声，确保信号的清晰传输。

图2 常见芯片供电方式

如图2中，PIN脚1上接了两个电容，就是起到滤波作用，可以稳定供电。建议在电路设计中所有芯片、模块供电引脚都加上0.1uF的滤波电容，有特殊要求的芯片手册为准。

1.3耦合和去耦：

耦合是指将一个电路的交流信号传递到另一个电路的过程。电容在这种情况下充当了传递交流信号而阻隔直流信号的元件。去耦合是指通过电容将交流信号和直流信号分离的过程。

在放大器电路中，电容用于耦合输入信号到放大器的放大阶段。有助于保持放大器输入和输出之间的直流电平不发生漂移。多级放大器通过电容进行耦合，允许不同放大阶段工作在不同的直流电平下，从而提高整体的放大性能。

在电源和放大器电路中，去耦电容用于阻止直流电源的漂移传递到输出端。这有助于保持电路的直流工作点（偏置点）稳定。

图3 级间交联示意图

图3所示，VT1 和 VT2 分别构成第一级和第二级共发射极放大器，共发射极放大器的输出信号电压和输入信号电压相位相反。假设电路中没有退耦电容C1，并假设某瞬间在VT1 基极上信号电压在增大，即为+，如电路图中所示，VT1 集电极上信号电压相位为−，VT2 基极信号电压相位为−，VT2 集电极上信号电压相位为+。由于+V 直流电源不可避免地存在内阻R0，VT2 集电极信号电流流过R0 时，在它上面产生了信号压降，即电路中的B 点有信号电压，且相位为+。电路中 B 点的正极性交流信号经 R3 加到A 点，A 点信号电压相位也为 +，通过 R1 加到VT1 基极，使 VT1 基极信号电压更大，通过上述电路的一系列正反馈，使 VT1 中信号很大而产生自激，出现啸叫声，这是多级放大器中有害交连引起的电路啸叫现象。

当放大器电路中出现正反馈时，电路就会出现振荡。这种振荡的频率是单一的，当这一频率落在音频范围内时能听到啸叫声。当这一振荡频率落在超音频范围内时，将出现超音频振荡，此时听不到啸叫声，但电路中的放大器件会发热，严重时会烧坏放大器件。

1.4时序电路：

电容可被用作缓启动器件，原理是电容两端的电压不能突变，电源在上电时间，电容两端的电压实际上是一条倾斜向上的曲线（如图3）

图4 电容两端电压随时间上升示意图

事实上，如果在电路上直接一个电容的话，这个t1是很短的，并不能延时秒级别时间，一般是配合MOS管与RC充电电路进行延时，后面电容的应用中会介绍。

1.5振荡电路：

振荡电路是一种能够产生振荡信号的电路，其中电容器起到了关键的作用。这类电路常用于无线通信、时钟发生器和其他需要稳定振荡频率的应用。

RC振荡电路：是最简单的电容振荡电路，由电容和电阻构成。电容在充放电过程中导致电压变化，而电阻控制充放电速度。

LC振荡电路：包含电感（L）和电容（C），形成谐振电路。电感和电容的交互作用导致电流和电压交替变化，形成振荡。

2.常见电容的种类

2.1铝电解电容：

使用铝电解电容一定要注意正负极，接反了轻则鼓包报废，严重甚至会爆炸。其次要注意电压，它使用铝箔作为正极，氧化铝膜作为电介质，电解质液体作为负极，过压时可能会产生漏液、击穿造成短路，不同于陶瓷电容击穿造成断路，电容断路相当于没接，而短路有可能会烧坏电路板电源线洗芯片，造成更大的损失。因受工艺影响，铝电解电容的内阻比较高，也就是常说的 ESR 比较高，通常几十 mΩ到几百Ω不等，容易发热。

图5 电解电容

如图5中直接标识此电容容量值为 270uF，耐压值450V,使用中铝电解电容工作电压设计通常放余量 80% 。

铝电解电容设计常用容量为 4.7uF、10uF、22uF、33uF、47uF、100uF、220uF、330uF、

470uF、680uF、1000uF、2200uF. 常用耐压为：10V，16V，25V，35V，50V，63V，100V，160V，200V，250V，350V，400V，450V，500V，这些标称的容量和标称的电压,

2.2陶瓷电容：

图6 瓷片电容

插件陶瓷电容在插件的板子里常见，这种电容是低压瓷片电容，常见额定电压有：16V，

25V，50V，100V，可以耐受 1.5 倍额定电压无异常，时间1s到5s，本体丝印标识和电阻标

法一样，单位为 PF。低温度系数的电容有 15pF ~1 nF 可做振荡电路用；普通电容有：0.01uF~ 0.47uF 可做滤波用。

图7 高压陶瓷电容

高压的插件陶瓷电容，本体上同样可以看出3个重要参数：容量，精度，电压。

103 为 10000PF,即 10nF M 为精度为±20%。高压瓷片电容可以做到很高的耐压，但是容量做不大，这些电容器主要用于旁路滤波和去耦滤波，即在电路中做滤波用。

图8 多层陶瓷电容器

贴片电容的内部是多层叠加结构，也就是我们常说的贴片电容，贴片电容也叫 MLCC 电容，也叫独石电容。当然独石电容也有插件的。整体构造上看独石电容和一般瓷片电容的区别是，独石电容是多层陶瓷电容的别称，独石电容是由多层介质和多对电极构成的，而一般瓷片电容一般是由一层介质和一对电极构成的。贴片电容从本体上看不出容量，电压等重要参数，但只能通过本体尺寸区分出封装大小。对于贴片电容的封装和贴片电阻封装基本一样，有0201 ， 0402 ，0603 ，0805 ，1206 ，1210 ，1812。贴片电容还有标称电压，贴片电容常用额定电压有 6.3VDC，10VDC，16VDC，25VDC，50VDC，100VDC

2.3钽电容：

钽电容特点在于使用钽金属作为正极，氧化钽或钽（V）氧化物作为电介质，内部没有电解液，很适合在高温下工作，高电容密度、低等效串联电阻（ESR），性能强悍，就是价格较贵。

图9 钽电容

对于贴片钽电解电容本体也会给出 3个重要参数：容量，电压，极性。但是对于钽电解电容来说，丝印比较特别，有横杠丝印的一端为正极，要特别注意。

2.4薄膜电容：

特点是电介质是一层薄膜，通常是由塑料或金属氧化物制成。它够耐受 1.6 倍额定工作电压，非常适合吸收尖峰电压。

图10 金属化聚丙烯膜电容

从图10本体可以看出 3 个重要参数：容量，精度，电压。224 表示22*10^4=220000Pf=220nF，这和贴片电阻的标识法一样。常用容量有：10nF，22nF，47nF，68nF，100nF，150nF，220nF，330nF，470nF，680nF，1uF，2.2uF J 表示电容容量精度为±5%630V 表示 CBB 电容额定电压为 630VDC。

薄膜电容为无极性电容，在电路使用中不需要分正负极。

2.5安规电容:

图11 安规电容

上图是安规X电容，X电容通常是方形的，而且个体很大，常见颜色多为黄色、灰色。X 电容的介质为金属化聚丙烯膜，X电容的常用引脚间距有： 10mm， 15mm，22.5mm，27.5mm。X 电容在本体上会给几个重要信息：容量、精度、额定工作电压、耐压等级、认证标准。X 电容的容量有的是直接标注法，有的是像贴片电阻一样用代码标注，如104 就是0.1uF。

X 电容的精度通常为±10%，X 电容温度等级通常为：-40℃~110℃。X 电容的额定工作电压UR常见有： 275Vac，300Vac ，440Vac，但 X 电容具有很好的过压的特性，有的厂家X电容

能够承受 4.3*UR (VDC) 1 分钟。

X 电容的常见耐压等级分类有：X1 类, X2 类, 上图的X电容为X2类电容器，那么X1、X2 类电容器适用的吸收脉冲尖峰电压的区别如图12 。

图12

图12指的是尖峰电压，和开始的额定工作电压不同，X1类吸收尖峰电压比X2类高，X 电容通常用来抑制电源电磁干扰用的电容器。在交流电源输入端跨接在L,N线之间，用来抑制差模干扰。

什么是差模干扰？我们定义大小相等，方向相反的信号为差模信号，如我们市电220Vac 有两根线，一根L线和一根 N 线。当干扰信号从 L 线进入，然后从 N 线输出，那么这个干扰信号就是差模干扰信号。所以 X 电容就是在输入端口跨接在 L,N 线之间，此时干扰信号从L线进入，再通过端口LN 之间跨接的 X 电容，再从 N 线输出。这样就在输入端口就提供了一条通路，使得干扰信号不能进入我们的产品。

X 电容抑制差模干扰的作用就是对不需要的干扰信号提供了通路，如雷电产生的干扰进入产品，然后利用 X 电容把这个雷电干扰过滤掉，保护产品。

2.6法拉电容:

图13 法拉电容

也叫超级电容，因为F（法拉）是一个很大的单位，在实际使用中很少用到。这种电容器只有一个固体电极板，它是利用了液体电解液与固体电极相界面上形成的双电层来存储电荷，也就是说电解液本身充当了另一个电极。由于液体与固体的接触界面上形成的双电层间距极其微小（即极板间距极小），所以它的等效电容量可以比传统的电解电容器大得多，足以达到法拉级（甚至可以达到数万法拉），这样可以作为电池来使用。不过相比采用电化学原理的电池，双电层电解电容器的充放电过程完全没有涉及化学物质的变化，理论上可以经受无限次充放电循环，寿命无限，而且充电速度和能量转化率也远远高于普通化学电池。但是，由于双电层间距极小，其耐压能力很弱，一般不会超过20V，所以它通常用于低电压直流或低频场合下，作为储能元件使用。

具体电路中如何让选型可以参考图14

图14 常见电容选型表

3.电容的计算

电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉），通用公式C=Q/U平行板电容器专用公式：板间电场强度E=U/d ，电容器电容决定式 C=εS/4πkd

对于实际电路设计应用中的电容单位通常都是 uF（微法），nF（纳法），PF（皮法）。

单位换算：

1F = 1 000mF（毫法）

1mF = 1 000uF（微法）

1uF = 1 000nF（纳法）

1nF = 1 000pF（皮法）

3.1电容并联:

图15 电容并联

我们可以把电容当成一个电池，电池并联在一起时，电压并不会增加，容量会增加。同理电容并联在一起时，耐压值不会改变，容量会增加。如果对于多个电容并联，那么C总并=C1+C2+C3+ + + Cn。并联时，内阻可当成电阻并联会减小，可以有效减小内阻降低发热量。

电阻有阻抗，那么电容也有容抗。电容的容抗公式为：Xc = 1/（2πfC），f 是频率，C

是电容容量。频率一定时，电容 C 越小，容抗越大，那么电容量一定时，交流频率f不同，

容抗也会不同。在交流应用中电容和电阻一样。容抗也满足欧姆定律：I = U/Xc，容抗越大，流过它的电流就越小。所以电容都是隔直流通交流。

并联时，内阻可当成电阻并联会减小，可以有效减小内阻降低发热量。

3.2电容串联:

图16 电容串联

串联公式：

串联后，耐压值增加，容量减小，总电荷量不变。电容电荷量计算公式Q= U*C

串联的等效容量根据公式计算即可，那么串联后单个电容承受的电压如何呢？

图17 相同容值串联

电容和电阻一样，也能串联分压，如果容值一样，A点的电位是6V。

图18 不同容值串联

上面这幅图我们把 C2 改成204。也就是下面的电容是上面电容容量的2倍，请问，A 点的电位现在是多少 V ？为了方便理解电容，可以把电容理解成一个水缸，电容储能就好比水缸装有水，那么上图的电容串联就好比两个水缸串在一起，如图19。

图19 不同容值串联模拟图

上面容量小是一个小水缸，下面容量大是一个大水缸。下面容量是上面容量的2倍，可以等效理解为下面的大水缸高度和上面小水缸一样，但是底面积是上面小水缸底面积的2倍。同一条回路中的电流是一样的，也就是水流的大小都是一样的，所以同一个水流，一边给小水缸的充电，一边给大水缸充电。相同的水流给水缸注水，肯定小水缸的水位会更高，也就是电压更高对吧。比如同样的电流给 2 个电容充电，C2 充到 1V 时，C1就会充到2V，根据水的体积计算可以得知是不是。当 C2 充到 2V 时，C1 就充到 4V，那么此时两个电容串联的电压和是 6V，就等效一个电容充到6V。

底面积一大一小，水流速度一样，同时给两个水缸注水。大水缸充到 2V，小水缸冲到 4V。水的体积相等，底面积为2倍，那么高就是为一半对吧。当 C2 充到 3V 时，C1 充到6V，此时 C1、 C2两电容电压和是3V+6V=9V，说明还没有充满到 12V，所以就继续充。当 C2 充到 4V 时，此时 C1充到 8V，此时 4V+8V=12V，是不是已经两电容电压和为电源电压了。

串联后最终 C1 的电压是 8V，C2 的电压是 4V，两个电容串联后，电容的电压计算如下： $\frac{VC1}{VC2} = \frac{C2}{C1}$

4.电容的应用:

电容器具有在电路中隔离直流和通过交流的能力，这一特性是电容在电子设计中的重要之一。它的等效模型中有寄生电感L 和寄生电阻 R，尽管L 和R 都很小，但是在工作频率很高时电感会起作用。L 与电容C构成一个LC串联谐振电路。

图20 电容等效示意图

图21所示是电容器的阻抗特性曲线。从曲线中可以看出，当电容器频率高到一定程度后寄生电感L 的作用显现，总的阻抗特性曲线为LC 串联谐振电路阻抗特性曲线。

图21 阻抗特性曲线图

4.1 RC电路:

1延时作用：

图22 RC充电电路示意图

电容的充电公式为： $Vout = Vin*(1-E^{-\tfrac{t}{RC}})$

eE是自然常数 2.718，R 就是电阻阻值，C 是电容的容值，t 是充电时间常数。如果 t=RC，那么 Vo = 0.632Vin，如果 t=5*RC，那么 Vo = 0.993Vin，一般认为5倍RC时间能把电容充满电。

2截止频率：

图23 电容两端电压变化示意图

还是上面这个电路，根据不同的应用有不同的叫法。比如: RC滤波电路或RC低通滤波器，RC 积分电路, RC 延时电路，不管它叫什么电路，其本质都一样，都是电容的充放电。

电容充放电两端的电压是有一定的上升沿的，当保持输入信号的幅度不变，改变频率通过RC电路，当输出信号的高电平幅值为输入信号高电平幅值的 0.707 倍时，此时的输入信号频率为RC滤波电路的截止频率。

图24 方波随频率变化示意图

当输入信号频率升高到 16KHZ 时，输出电压还没有升高到输入电压幅值时就下降了，如箭头指示，电容还没有充满，输入信号 Toff 就来临，电容变成放电。那么随着输入信号频率的再次升高，输出电压三角波的尖顶幅值还会继续下降，此时输出电压的幅值降到为输入电压幅值的 0.707 倍，继续增加频率波形以失真，无法传递想要的信号。

那么截止频率计算公式： $f0 = \frac{1}{2\pi RC}$

3低通滤波：

低通滤波器就是容许低于截止频率的信号通过，但高于截止频率的信号不能通过的电子滤波器。也就是说低于截止频率的信号通过 RC 低通滤波器后，输出电压的幅值不会降到输入电压幅值的 0.707 倍以下，我们认为信号无损或正常完整输出，相当于信号正常输入输出。但高于截止频率的信号通过 RC 低通滤波器后，输出电压的幅值会降低到输入电压幅值的 0.707倍以下，我们认为信号有损或不正常或不完整输出，相当于信号正常输入但不正常或不完整输出。

4高通滤波: