目录 例题 例题 某半导体存储容量为 15 K × 8 15K×8 15K×8位,其中固化区 8 K × 8 8K×8 8K×8位,选用 E P R O M EPROM EPROM芯片 4 K × 8 4K×8 4K×8位/片;随机读写区 7 K × 8 7K×8 7K×8位,可选 S R A M SRAM SRAM芯片 4 K × 4 4K×4 4K×4位/片、 2 K × 4 2K×4 2