推荐一款可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关单通道高速低边门极驱动器SLM27511 应用详情

最新推荐文章于 2024-09-14 17:01:53 发布
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推荐一款深力科单通道、高速、分流输出、低侧栅极驱动器SLM27511可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。减少了击穿电流，可以将高峰值电流脉冲源到电容负载并将其吸收到电容负载中，从而提供轨道到轨道的驱动能力和极小的传播延迟，通常为18ns。SLM27511可以在12V VDD电源下提供4A源极、5A汇极峰值驱动电流能力。

SLM27511产品特性

1.低成本栅极驱动器设备，可卓越地替代NPN和PNP分立解决方案

2.4A峰值源电流和5A峰值吸收电流

3.拆分驱动器输出

4.快速传播延迟（典型18ns）

5.快速上升和下降时间（典型值为7ns）

6.4.5至20V单电源范围

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深力科推荐一款可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关单通道高速低边门极驱动器SLM27511
05-12 112
数明深力科电子推荐一款单通道、高速、分流输出、低侧栅极驱动器SLM27511可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。减少了击穿电流，可以将高峰值电流脉冲源到电容负载并将其吸收到电容负载中，从而提供轨道到轨道的驱动能力和极小的传播延迟，通常为18ns。SLM27511可以在12V VDD电源下提供4A源极、5A汇极峰值驱动电流能力。
SiLM27624系列能够有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关 双通道 30V 高速低边门极驱动器
06-18 335
SiLM27624 系列支持 20ns 的极短传播延迟，能有效驱动 MOSFET、SiC 和GaN 等高频开关功率器件，可广泛应用于工业、汽车、能源领域，如通信电源、服务器电源、PC 电源、砖块电源、逆变器、车载充电机和电源、EV 直流充电桩充电模块等应用场景。
SiLM27517HAD-AQ可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关 单通道高欠压保护低边门极驱动器
05-21 246
SiLM27517HAD-AQ是单通道高欠压保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27517H 采用一种能够从内部极大的降低直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。 SiLM27517HAD-AQ在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27517HAD-AQ欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。
非隔离低边驱动器SLM27511AC-7G 单通道高速低边门极驱动器
08-29 405
通过控制功率器件的开通和关断实现电能的变换，开关频率、输入输出电压和电流的控制都是电能转换的关键。深力科优势推出的单通道高速低边门极驱动器SLM275X系列以其短延时、双输入、电源电压欠压保护功能和广泛的应用场景等优势，为用户提供了更安全可靠的功率器件驱动方案。单通道、高速、分流输出、低侧栅极驱动器SLM27511AC-7G可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。减少了击穿电流，可以将高峰值电流脉冲源到电容负载并将其吸收到电容负载中，从而提供轨道到轨道的驱动能力和极小的传播延迟，通常为18ns。
SLM2110CG 1.0A/1.6A600V完美代替IR2110 精准驱动，可靠之芯 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器
09-03 876
采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。它的高耐压、大电流输出、快速开关速度、良好的逻辑兼容性以及多种保护功能等特点，使其成为众多在设计电路时的可靠选择。：广泛应用于正弦波逆变器、变频水泵控制器、无刷电机驱动器、高压 Class-D 类功放、工业自动化、医疗设备、电机控制、光模块、电源系统、仪器仪表、智能家居、电网自动化、通信、汽车电子等领域。：适应 5V、3.3V、15V 输入，可方便与 TTL、CMOS 电平相匹配，便于与不同逻辑电平的控制器或处理器进行连接。
SiLM27624系列SiLM27624LCA-DG 4.5V-30V 5A/5A 双通道 高速低边门极驱动器
09-09 422
在 GaN 等新兴的宽带隙功率器件技术中，需要快速的传输延时、精准的延迟匹配、极强的驱动能力以满足系统中高开关频率的操作要求；同时需要更高的驱动电压（20V 或更高）以及良好的散热能力。SiLM27624 系列的输入和使能管脚能够承受 -5V 的电压和高抗噪性的迟滞阈值，使其能够再恶劣的系统环境中稳定可靠的运行。SiLM27624系列SiLM27624LCA-DG双通道 4.5V-30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 ，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
SLM27211系列SLM27211CA-DG 120V 3A/4.5A 集成自举二极管的高低边门极驱动器
08-20 293
高频和高效率开关电源如VRM、VRD、POL、DC-DC转换器、大电流扁平形DC-DC转换器等应用，对其专用MOSFET栅极驱动器有一定要求，如导通电阻低、负载电流大、开关速度快，以达到降低开关损耗、提高功率转换效率的目的。SLM27211系列与同类产品相比体积更小耐压值更高（120V）、负压值更低（-30V/200ns）、dV/dt值更高（70V/ns）。SLM27211系列集成了120V耐压的二极管，支持高频大电流的输出，可在8V~17V的宽电压范围内驱动MOSFET。
SLM21814系列SiLM21814CJ-AQ能提供独立的高边、低边输出驱动信号 一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器
09-10 576
SiLM21814CJ-AQ是一款大电流的 600V HVIC 高低边驱动产品，峰值拉电流为 2.5A，灌电流为 3.5A，同时可为两个通道提供 8.9V/8.2V 的欠压锁定 (UVLO) 保护功能。2.5A/3.5A 拉灌电流能力可实现 10 纳秒的上升时间以及 8 纳秒的下降时间，可以满足功率管快速开通与关断的需求。可广泛应用于服务器/电信/工业 AC/DC、DC/DC 电源模块、不间断电源 (UPS)、EV 充电、电机驱动等领域。5.驱动电源范围从10V到20V。7.3.3V、5V逻辑兼容。
SiLM27624系列 双通道30V, 5A/5A高速低边门极驱动器介绍
07-06 384
数明深力科双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。 深力科SiLM27624 系列具有两路独立的门极驱动，提供高达 5A 的峰值源电流和灌电流，实现轨到轨的超高驱动能力。SiLM27624 系列的输入和使能管脚能够承受 -5V 的电压和高抗噪性的迟滞阈值，使其能够再恶劣的系统环境中稳定可靠的运行。 SiLM27624 系列支持 20ns 的极短传播延迟，能有效驱动 MOSFET、SiC 和GaN 等高频开关功
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安森美半导体开发一种新型同步降压动力总成设计工具
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通过输入用户偏好的控制器/驱动器数据（如独立的高低边门极驱动电压、源/汲电阻、延迟时间和门阻尼电阻），可以实现更精确的设计调整。工具还提供详细的损耗和能效分析，如MOSFET损耗的明细（传导、开关、反向恢复等...
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c++ 编辑器 和 编译器 的详细解释
HJQD777的博客
09-14 621
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