深力科推荐一款可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关单通道高速低边门极驱动器SLM27511

数明深力科电子推荐一款单通道、高速、分流输出、低侧栅极驱动器SLM27511可以有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。减少了击穿电流，可以将高峰值电流脉冲源到电容负载并将其吸收到电容负载中，从而提供轨道到轨道的驱动能力和极小的传播延迟，通常为18ns。SLM27511可以在12V VDD电源下提供4A源极、5A汇极峰值驱动电流能力。

SLM27511产品特性

1.低成本栅极驱动器设备，可卓越地替代NPN和PNP分立解决方案

2.4A峰值源电流和5A峰值吸收电流

3.拆分驱动器输出

4.快速传播延迟（典型18ns）

5.快速上升和下降时间（典型值为7ns）

6.4.5至20V单电源范围

7.欠电压锁定

8.TTL和CMOS兼容的输入逻辑阈值

9.双输入设计（选择反相或非反相驱动器配置）

10.输入引脚浮动时输出保持低位

11.工作温度范围为-40℃至140℃

广泛应用于汽车、工业能源、电池储能、电信服务器、家电等领域

SLM275X系列产品选型图如下：

通过控制功率器件的开通和关断实现电能的变换，开关频率、输入输出电压和电流的控制都是电能转换的关键。因此，为了保证功率器件的高效可靠，需要在解决方案中引入更优化的驱动产品。深力科优势推出的单通道高速低边门极驱动器SLM275X系列以其短延时、双输入、电源电压欠压保护功能和广泛的应用场景等优势，为用户提供了更安全可靠的功率器件驱动方案。