中文名称:P型二硫化钨晶体
英文名称:p-type WS2 crystals
晶体尺寸:3-5mm
掺杂气体:p型~1017-18cm-3(Nb掺杂剂)
材料特性:2.02eV,直接间隙半导体
晶体结构:六边形相位
单元格参数:a=b=0.317 nm,c=1.230 nm,a=b=90%y=120°
合成方法:CVT
P型半导体通常指的是掺杂有少量能够提供电子空位(称为“空穴”)的杂质的半导体。对于二硫化钨(WS2)这样的材料来说,要实现P型掺杂,通常需要引入能够提供空穴的杂质或缺陷。
在实验室研究中,科学家们通过不同的方法尝试实现P型掺杂。引入杂质或者经过处理,可以改变二硫化钨中的电子结构,使其成为P型半导体。但对于WS2这样的材料来说,实现P型掺杂并不是一件容易的事情,因为其本身的电子结构和化学性质限制了这一过程。
P型二硫化钨晶体的研究可能涉及到在二硫化钨中引入适当的杂质,以增加空穴浓度并使其变成P型半导体。然而,实现P型掺杂需要深入的材料研究和处理技术,因此在这方面的工作可能仍处于探索和发展阶段。
中文名称:N型二硫化钨晶体
英文名称:n-type WS2 crystals
性质分类:半导体
晶体尺寸:3-5mm
掺杂气体:n型~1017-18cm-3(Re或Au掺杂)
材料特性:2.02eV,直接间隙半导体
晶体结构:六边形相位
单元格参数:a=b=0.317 nm,c=1.230 nm,a=b=90%y=120°
合成方法:CVT
N型半导体是指掺杂有能够提供自由电子的杂质,这些额外的电子会增加半导体的电子密度。对于二硫化钨(WS2)这样的材料来说,要实现N型掺杂,需要引入能够提供额外电子的杂质或缺陷。
在实验室研究中,科学家们通过不同的方法尝试实现N型掺杂。引入杂质或者采用处理方法,可以改变二硫化钨中的电子结构,增加电子的数量,使其成为N型半导体。
实现N型二硫化钨晶体可能涉及在二硫化钨中引入适当的杂质,以增加电子浓度并使其变成N型半导体。然而,要成功实现N型掺杂需要深入的材料研究和精密的控制技术。因此,在这个领域的工作可能仍处于探索和发展的阶段。
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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2023.12.13.
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