关于nand flash的地址 A8,寻址
在NAND Flash中有8个I/O引脚(IO0—IO7)、5个全能信号(nWE ALE CLE nCE nRE)、一个引脚,1个写保护引脚。操作NAND Flash时,先传输命令,然后传输地址,最后读写数据。对于64MB的NAND Flash,需要一个26位的地址。只能8个I/O引脚充当地址、数据、命令的复用端口,所以每次传地址只能传8位。这样就需要4个地址序列。因此读写一次nand flash需要传送4次(A[7:0] A[16:9] A[24:17] A[25])。64M的NAND Flash的地址范围为0x00000000—0x03FFFFFF。128M的NAND Flash的地址范围为0x00000000---0x07FFFFFF。1KB = 0x000-0x3FF.128字节=0x00H--7FH。
一页有528个字节,而在前512B中存放着用户的数据。在后面的16字节中(OOB)中存放着执行命令后的状态信息。主要是ECC校验的标识。列地址A0-A7可以寻址的范围是256个字节,要寻址528字节的话,将一页分为了A.(1 half array)B(2 half array) C(spare array)。A区0—255字节,B区 256-511 字节C区512—527字节。访问某页时必须选定特定的区。这可以使地址指针指向特定的区实现。
在NAND Flash 中存在三类地址,分别为Block Address 、Column Address Page Address.。(实际就是块地址和页地址)
Column Address 用来选择是在上半页寻址还是在下半页寻址A[0]—A[7].也就相当于页内的偏移地址。在进行擦除时不需要列地址,因为擦除是以块为单位擦除。32个Page需要5bit来表示。也就是A[13:9];也就是页在块内的相对地址。A8这一位用来设置512字节的上半页,还是下半页,1表示是在上半页,而2表示是在下半页。Block的地址有A[25:14]组成.
一个容量为64M(512Mbit)的NAND Flash,分为131072页,528列。(实际中由于存在spare area,故都大于这个值),有4096块,需要12bit来表示即A[25:14].如果是128M(1Gbit)的话,blodk Address为A[26:14].由于地址只能在IO0—IO7上传送。编程时通常通过移位来实现地址的传送。传送过程如下:
第1个地址序列:传递column address,也就是NAND Flash[7:0],这一周期不需要移位即可传递到I/O[7:0]上,而half page pointer 即A8是由操作指令决定,00h,在A区,01h在B区,指令决定在哪个half page上进行读写,而真正A8的值是不需要程序员关心的;
第2个地址序列:就是将NAND_ADDR 右移9位,而不是8位,将NAND_ADDR[16:9]传递到I/O[7:0]上;
第3个地址序列:将NAND_ADDR[24:17] 传递到I/O[7:0]上;
第4个地址序列:将NAND_ADDR[25]传送到I/O上。
整个地址的传送过程需要4步才能完成。如果NAND Flash 的大小是32MB的以下的话,那么block address 最高位只到bit24,因此寻址只需要3步,就可以完成。
在进行擦除操作时由于是以块进行擦除,所以只需要3个地址序列,也就是只传递块的地址,即A[14:25]。
NAND Flash地址的计算:
Column Address 翻译过来是列地址,也就是在一页里的偏移地址。其实是指定Page上的某个Byte,指定这个Byte,其实也就是指定此页的读写起始地址。
Page Address:页地址。页的地址总是以512Bytes对齐的,所以它的低9位问题0,确定读写操作在NAND Flash中的哪个页进行。
当我们得到一个Nand Flash地址addr时,我们可以这样分解出Column Address和Page Address。
Columnaddr = addr % 512 // column address
Pageaddr = addr>>9 // page address
实际上A0~A7是页内地址,比如从第2个开始读起。不过一般都从0开始读起,呵呵。
也就是一个Nand Flash地址的A0-A7是它的column address ,A9—A25是它的Page Address,地址A8被忽略。
现在假设我要从Nand Flash中的第5000字节处开始读取1024个字节到内存的0x30000000处,我们这样调用read函数
NF_Read(5000, 0x30000000,1024);
我们来分析5000这个src_addr.
根据:
column_addr=src_addrQ2;
page_address=(src_addr>>9);
我们可得出column_addr=5000Q2=392
page_address=(5000>>9)=9
于是我们可以知道5000这个地址是在第9页的第392个字节处,于是我们的NF_read函数将这样发送命令和参数
column_addr=5000Q2;
page_address=(5000>>9);
NF_CMD=0x01; //要从2nd half开始读取 所以要发送命令0x01
NF_ADDR= column_addr &0xff; //1st Cycle A[7:0]发送从第几个字节开始读
NF_ADDR=page_address& 0xff//这是读第几页的意思
NF_ADDR=(page_address>>8)&0xff; //3rd.Cycle A[24:17]
NF_ADDR=(page_address>>16)&0xff; //4th.Cycle A[25]
还有一种方法其实跟上面的一样,不过比较好理解一点:
NF_ADDR= addr & 0xff
NF_ADDR= (addr>>9) & 0xff
NF_ADDR= (addr>>17) & 0xff (和上面的page_address>>8对应9+8==17不是吗)
NF_ADDR= (addr >> 25) & 0xff
addr指的是地址执行addr & 0xff时他只会读8位。
下面以上面的0x5000这个地址说好了
0x5000换成二进制为0101,0000,0000,0000首先第一个地址序列读八位(因为我们nand flash是八位八位这样读的),也就是把0000,0000读进去了,接下来第二个地址序列也是读八位(其体读多少位要看nand flash这里是八位),这样就把0000,0101读进去了,也就是0xa0,后面那些都是0了(这个是nand flash k9F1208U0M的情况)
向NandFlash的命令寄存器和地址寄存器发送完以上命令和参数之后,我们就可以从rNFDATA寄存器(NandFlash数据寄存器)读取数据了.
我用下面的代码进行数据的读取.
for(i=column_addr;i<512;i++)
*buf++=NF_RDDATA();
每当读取完一个Page之后,数据指针会落在下一个Page的0号Column(0号Byte).
下面是一些核心代码:
#include <string.h>
#include "def.h"
#include "2440addr.h"
#include "2440lib.h"
#include "2440slib.h"
#include "Nand.h"
//
//
//
static void rNF_Reset()
{
}
static void rNF_Init(void)
{
}
static char rNF_ReadID()
{
}
static void rSB_ReadPage(U32 addr, unsigned char * to)
{
}
static void rLB_ReadPage(U32 addr, unsigned char * to)
{
}
void RdNF2SDRAM( )//代码是从这里开始的
{
}