7.全志H3-准备焊接

上面是我的微信和QQ群，欢迎新朋友的加入。

20201203

CPU和DDR已到

20201207

板子到了，开始焊接

20201208

下班继续焊接
发现少了一个料

漏买了，赶紧淘宝补一个
现在就把手上的板子拆了个芯片先用着

焊接完成，测试电源




3.3V差了0.05,1.2V高了0.08
应该影响不会太大

之前说要拍视频的，因为手机不太好录制，缺个手机支架
再就是焊接好像不是很麻烦，几分钟就吹上去了，就没录制视频
EMMC后面再说，先把H3和DDR搞上去

今晚下班，飞线测试能不能启动

20201210

现在是凌晨

昨晚跑的有问题，调整了一下电源部分，之前的电压感觉有点偏大

 

 现在板子跑起来，但是卡在了start kernel

不过不是很担心，芯片起来了，说明电路没问题，估计就是焊接或者固件的问题了

U-Boot SPL 2017.11 (Dec 19 2019 - 16:43:16)
DRAM: 512 MiB(408MHz)
CPU Freq: 408MHz
memory test: 1
Pattern 55aa  Writing...Reading...OK
Trying to boot from MMC1
Boot device: sd


U-Boot 2017.11 (Dec 19 2019 - 16:43:16 +0800) Allwinner Technology

CPU:   Allwinner H3 (SUN8I 1680)
Model: FriendlyElec NanoPi H3
DRAM:  512 MiB
CPU Freq: 1008MHz
MMC:   SUNXI SD/MMC: 0, SUNXI SD/MMC: 1
*** Warning - bad CRC, using default environment

In:    serial
Out:   serial
Err:   serial
Net:   No ethernet found.
BOARD: nanopi-neo-core
starting USB...
No controllers found
Hit any key to stop autoboot:  0 
reading boot.scr
1478 bytes read in 18 ms (80.1 KiB/s)
## Executing script at 43100000
running boot.scr
reading uEnv.txt
968 bytes read in 20 ms (46.9 KiB/s)
reading zImage
5901592 bytes read in 297 ms (18.9 MiB/s)
reading rootfs.cpio.gz
5880768 bytes read in 310 ms (18.1 MiB/s)
reading sun8i-h3-nanopi-neo-core.dtb
34556 bytes read in 26 ms (1.3 MiB/s)
overlays is empty
reading overlays/sun8i-h3-fixup.scr
4109 bytes read in 35 ms (114.3 KiB/s)
## Executing script at 44500000
## Flattened Device Tree blob at 48000000
   Booting using the fdt blob at 0x48000000
   Loading Ramdisk to 49a64000, end 49fffbc0 ... OK
   reserving fdt memory region: addr=48000000 size=6e000
   Loading Device Tree to 499f3000, end 49a63fff ... OK

Starting kernel ...

这是启动过程

明晚继续

20201210

板子跑起来了，但是遇到一个特别怪异的现象，板子必须要加热，才能运行，对着H3加热

20201211

 

反复插拔发现出现了多次和DDR通信失败的情况
分析这个问题应该和DDR有关系
1.电流变大，说明板子上有个什么东西跑起来了，现在板子就两个芯片，一个H3一个DDR，电流小的时候，要么DDR工作不正常，要么H3工作不正常
2.温度会影响状态，说明温度导致某个参数发生了变化，网上有说虚焊的，热胀冷缩导致虚焊接触更好，感觉这个可能性不是很大，因为我手摸着电路也时不时能让板子起来，30多度的体温能让焊锡热胀冷缩，可能性有点低
3.有影响的应该就两个方面了，要么走线不合理，有干扰存在，不过想想这个可能性应该不高，我手不碰，单独加热是能行的
4.最终分析认为，问题应该在阻抗上面去嘉立创官网查参数


按订单的结果，现在DDR地址和数据走线上阻抗应该在80ohm左右
一般要求DDR数据和地址上是50ohm(±10%).差分是90~100ohm。
很明显阻抗是不合要求的

今晚回去改板子，再来一次