IPT60R102G7_CoolMOS超结 MOSFET 系列首次将改进型 600V CoolMOS C7 Gold 技术优势

IPT60R102G7_CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐振电路打造了一个可能的 SMD 解决方案。

特征描述

• CoolMOS™ C7 Gold SJ MOSFET

• 出色的FOM R DS（on） * E oss 和R DS（on） * Q G.

• 出色的R Ds(on) ，其所占空间最小

• TO-Leadless封装

• 内置第4引脚开尔文源配置和低寄生源电(~1nH)

• 符合MSL1标准、完全无铅、具有易于肉眼检查带槽引线

• 提高热性能Rth

优势

• 得益于封装低寄生源电感和4pin开尔文源概念，C7 Gold技术得以改进，切换速度更快，从而实现了更高的效率

• 通过替换TO封装（高度限制）或由于热或R DS（on） 要求对SMD封装进行并联，在小封装中实现了低RDS（on），从而提高了功率密度

• 通过转向表面贴装（SMD），加快装配时间，从而能降低生产成本

潜在应用

• 通信

• 服务器

• 太阳能

• 工业 SMPS