#芯片# MB85RC64

铁电存储器 FRAM

简介

• MB85RC64 是一种被称为FRAM（铁电随机存取存储器）的存储芯片.
• 位配置 : 8,192 × 8 位
• 二线串行接口 : 通过两个端口实现完全可控：串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。
• 工作频率 : 400 kHz （最大）
• 读/ 写耐久性 : 10^12 （一万亿）次/ 字节
• 数据保持 : 10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
• 工作电源电压 : 2.7 V 到3.6 V
• 低功耗 : 工作电流 100 μA （400 kHz 下的典型值） ,待机电流 5 μA （典型值）

引脚图

写保护引脚WP

当写保护引脚为“ 高” 电平时，写操作将被禁止。
当写保护引脚为“ 低” 电平时，可覆写整个存储区。
读操作始终处于使能状态，不受写保护引脚输入电平的影响。
写保护引脚在内部下拉至 VSS 引脚，当该引脚悬空时，会将其标识为“ 低” 电平（写启用）。

器件地址引脚A0-A1-A2

MB85RC64 最多可与同一数据总线上 8 个器件进行连接。器件地址用于识别各个器件。
将这些引脚连接至外部的 VDD 引脚或 VSS 引脚。
只有当 VDD 和VSS 引脚的组合与通过 SDA 引脚输入的器件地址代码匹配时，器件才会运行。
引脚悬空时， A0、A1 和 A2 引脚在内部下拉并标识为“ 低” 电平。

逻辑框图

IIC通信

字节写入

如果在起始条件后发送器件地址字（R/W “0” 输入），从器件将发送 ACK 进行响应。发送 ACK 后，以同样的方式继续发送写地址和数据，并通过在最后生成一个停止条件结束写操作。

写一页数据

如果在同样命令（停止条件除外）之后连续发送额外的 8 位作为字节写入，则执行页写。
存储地址自动翻转至地址结束处的第一个存储地址 (0000H)。
因此，如果发送的字节超过 8K，数据地址将回到最先写入的存储地址，先写入的数据将被覆写。
因为 FRAM 执行高速写操作，所以数据将在 ACK 响应完成后写入 FRAM。

当前地址读取数据

当之前的写或读操作成功执行至停止条件而完成后，假定上一个存取地址为“n”，那么在不掉电的情况下，发送以下命令将对“n+1” 处的地址执行读操作。
如果存储地址是最后一个地址，那么地址计算器将翻转至0000H。
上电后，存储地址缓冲器中当前的地址立即成为未定义状态。

随机读取数据

通过与写入相同的方法指定地址，然后发送另外的起始条件，并发送器件地址字（R/W “1” 输入），可将保存于存储地址缓冲器中的一字节存储地址数据同步读出到 SCL。
由接收数据的接收方发送最终的 NACK。
在这种情况下，此位由主器件发送。

顺序读取

按照与随机读取相同的方法指定地址后，可按照器件地址字（R/W “1” 输入）连续接收数据。如果读取超出地址末尾，内部读取地址自动翻转至第一个存储地址 0000H 并继续读取。

参考资料

https://download.csdn.net/download/Kshine2017/48946768