全球及中国GaAs器件市场占有率以及排名分析报告

砷化镓（GaAs）是一种重要的半导体材料，属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体，闪锌矿型晶格结构，晶格常数 5.65×10−10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。GaAs可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用GaAs制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。 本文研究GaAs射频器件，射频器件是实现信号发送和接收的关键器件，射频器件主要包括功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器、数模/模数转换器等器件，其中，功率放大器是放大射频信号的器件，其直接决定移动终端和基站的无线通信距离和信号质量。由迁移率和高饱和电子速率的显著优势，砷化镓一直是制造射频功率放大器的主流衬底材料之一。4G时代起，4G基站建设及智能手机持续普及，用于制造智能手机射频器件的砷化镓衬底需求量开始上升。进入5G时代之后，5G通信对功率、频率、传输速度提出了更高的要求，使用砷化镓衬底制造的射频器件非常适合应用于长距离、长通信时间的高频电路中，因此，在5G时代的射频器件中，砷化镓的材料优势更加显著。随着5G基站建设的大量铺开，将对砷化镓衬底的需求带来新的增长动力；与此同时，单部5G手机所使用的射频器件数量将较4G手机大幅增加，也将带来对砷化镓衬底需求的增长。伴随5G通信技术的快速发展与不断推广，5G基站建设以及5G手机的推广将使砷化镓基射频器件稳步增长。
总体来看，GaAs器件市场受益于5G网络的扩展、卫星通信需求增加、国防技术发展以及新兴毫米波应用的推动，将继续保持健康增长。 与GaN器件竞争：虽然GaAs器件在高频和高功率领域具有优势，但氮化镓（GaN）器件也在某些应用中崭露头角，特别是在更高功率和更高频率的场景下。GaAs器件在低功耗和中频段市场中仍保持优势。 全球GaAs器件（GaAs Devices）核心厂商包括Skyworks、Qorvo、Broadcom、WIN Semi等，前五大厂商占有全球大约76%的份额。北美地区是全球最大的生产地区，占有接近72%的市场份额。就产品而言，功率放大器是最大的细分，市场份额超过52%应用方面，主要应用在移动设备，份额超过53%。 据路亿(LPI)调研：
按产品类型：功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器、其他
按应用：无线通讯、移动设备、汽车电子、军事应用、其他
本文主要包含如下企业：Skyworks、Qorvo、Broadcom、WIN Semi、Sumitomo Electric Industries、Murata、Analog Devices、M/A-COM、Mitsubishi Electric