【硬件工程师面经整理1_器件篇】

硬件工程师面经整理_器件篇_ _By Along

目录

1 二极管 2

2 三极管的简化图，电流流向及关系 2

2.1 三极管工作特性图 3

2.2 三极管静态工作点作用/工作区域/晶体管基本放大电路比较 4

2.3 三极管搭建逻辑门电路 5

2.3.1 与门 5

2.3.2 或门 5

2.3.3 非门 6

3 场效应管 6

3.1 JFET 6

3.2 MOSFET 7

3.2.1 Power Mosfet 8

3.2.2 场效应管三个区域的极间电压 9

3.2.3 各种场效应管的转移/输出特性曲线 9

3.2.4 NMOS与PMOS的区别； 10

3.2.5 Mos管如何判断输入输出引脚 11

3.3 IGBT 11

3.4 IGBT、三极管和MOSFET区别 11

3.5 MOS管和IGBT区别 12

3.6 如何选择使用mos管还是三极管，有什么区别 13

3.7 HEMT 14

3.7.1 GaAs HEMT 14

3.7.2 pHEMT (InGaAs沟道HEMT) 15

4 半导体工艺中，掺杂有哪几种方式

1. 二极管

原理：二极管是一种半导体器件，它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。在P型半导体中，空穴是主要的载流子，而在N型半导体中，电子是主要的载流子。当将一个二极管连接到一个电路中时，根据二极管的极性，它可以允许电流从正极流向负极（正向偏置），或者禁止电流通过（反向偏置）。在正向偏置时，电流可以通过二极管。当在P-N结上施加正向偏置电压时，即把正电压连接到P型半导体，把负电压连接到N型半导体，电子从N型半导体流入P型半导体。这些电子与P型半导体中的空穴相遇，发生复合作用，从而减少了P-N结的阻抗，电流可以通过P-N结流动。这种状态下，P-N结称为“正偏”。相反，当在P-N结上施加反向偏置电压时，即把正电压连接到N型半导体，把负电压连接到P型半导体，电子从P型半导体流入N型半导体。这使得P-N结内的电荷分布变得更加不均匀，电子不能流动，阻抗变大。这种状态下，P-N结称为“反偏”。

在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移

当交流信号为零时，二极管的电流和电压称为静态工作点Q，如上图(b)二极管伏安特性。

二极管等效电路：由伏安特性折线化得到的等效电路

1. 三极管的简化图，电流流向及关系

原理：三极管的工作原理是基于PN结的特性，PN结是两种不同掺杂材料的接触面，它具有单向导电性。当三极管处于正向放大区时，发射结正偏，集电结反偏，电子从发射区流向基区，这导致基区的电荷密度增加。因为基区的掺杂浓度相对较低，所以这个增加的电荷密度会导致电流的增加，使得电流从集电极流向负载。三极管的工作原理可以简单概括为：基极电流控制集电极和发射极之间的电流，从而实现信号放大、开关控制等功能。三极管通常被用于放大电路、振荡电路和开关电路等应用。

放大原理：**1发射区向基区发射电子：**电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。**2基区中电子的扩散与复合：**电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。**3集电区收集电子：**由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

NPN是两进一出，Ic+Ib=Ie，即βIbe+Ibe=Ice；PNP是一进两出

三极管内部结构要求（NPN为例）：1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。3.集电结面积大。

发射区高掺杂：发射区的主要作用是产生电子，将电子注入到基区中。高掺杂的发射区可以提高电子注入效率，从而提高三极管的电流放大倍数和速度。

基区做得很薄且掺杂较少：基区的主要作用是控制电子注入到集电区的数量，从而控制三极管的电流放大倍数。基区做得很薄可以减少电子的扩散距离，从而减少三极管的开关时间。此外，掺杂较少也可以减小基区宽度，从而进一步提高三极管的响应速度。

集电结面积大：集电结是三极管的最后一个控制区域，其面积大小直接影响三极管的最大电流和功率。因此，集电结面积越大，三极管的最大电流和功率就越大，性能和可靠性就越好。

1. 三极管工作特性图

1、输入特性曲线

在三极管共发射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压U_CE 维持不同的定值时，u_BE和i_B之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线。一般情况下，当U_CE≥1V时，集电结就处于反向偏置，此时再增大U_CE对i_B的影响很小，也即U_CE＞1V以后的输入特性与U_CE＝1V的一条特性曲线重合，所以，半导体器件手册中通常只给出一条U_CE≥1V时的输入特性曲线，如图所示。输入特性曲线的数学表达式为：i_B＝f（u_BE）| U_CE = 常数

三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似，也存在一段死区，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。导通后，硅管的UBE约为0.7V，锗管的UBE约为0.3V。

2、输出特性曲线

输出特性是指以基极电流I_B为常数，输出电压u_CE和输出电流i_C之间的关系，即：i_C＝f（u_CE）|IB =常数。对于不同的I_B，所得到的输出特性曲线也不同，所以，三极管的输出特性曲线是一簇曲线。根据三极管的工作状态不同，可以将输出特性分为三个区域。

（1）截止区：指I_B=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里，三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，三极管失去了放大作用，集电极只有微小的穿透电流I_CE。

（2）饱和区：指紫色区域。在此区域内，对应不同I_B值的输出特性曲线族几乎重合在一起。也就是说，U_CE较小时，I_B虽然增加，但I_C增加不大，即I_B失去了对I_C的控制能力。这种情况，称为三极管的饱和。饱和时，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集－射饱和压降，用UCES表示。UCES很小，通常中小功率硅管UCES＜0.5V。

紫色区域右边缘线称为临界饱和线，在此曲线上的每一点应有|UCE| = |UBE|。它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管，其集电极电流称为临界集电极电流，用Ics表示；其基极电流称为临界基极电流，用IBS表示。这时ICS＝βIBS 的关系仍然成立。

（3）放大区：在截止区以上，介于饱和区与击穿区之间的区域为放大区。在此区域内，特性曲线近似于一簇平行等距的水平线，iC的变化量与iB的变量基本保持线性关系，即ΔiC=βΔiB，且ΔiC>>ΔiB ，就是说在此区域内，三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱，当uCE＞1 V后，即使再增加uCE，iC几乎不再增加，此时，若IB不变，则三极管可以看成是一个恒流源。在放大区，三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置状态。

1. 三极管静态工作点作用/工作区域/晶体管基本放大电路比较

三极管静态工作点作用：确定放大电路的电压和电流的静态值选取合适的静态工作点可以防止电路产生非线性失真保证放大效果。

1. 三极管搭建逻辑门电路

晶体管基本上分为两种类型。它们是：双极结型晶体管 (BJT，也称三极管/晶体三极管) 和场效应晶体管 (FET)。BJT 又分为 NPN 和 PNP 晶体管。FET晶体管分为JFET和MOSFET。

三极管实现与门、或门和非门操作：

1. 与门

分析：当输入1为高电平+5V，输入2也为高电平+5V时，Q11基极通过R24接到+5V,发射极接地，形成回路，Q11导通，Q9发射极接+5V，基极通过R19以及导通的Q11接地，形成回路，从而Q9导通，导通后Q9的发射极和集电极压降为0.3V，则输出点电压为+4.7V，即为数字量1；当输入1为低时，Q11集电极和发射极未导通，Q9的发射极和基极无法形成回路，则Q9的集电极和发射极不能导通，输出被拉到地端，即输出数字量0；输入2为低时，则Q9的Ueb不可能大于0.7V，即Q9的发射极与集电极不能导通，输出点电平被钳位到地端，即低电平。

1. 或门

分析：当输入1或输入2为高电平+5V时，Q6的基极接到+5V，发射极接地，Q6的集电极和发射极导通，导通后压降Uce为0.3V，则输出点电压为4.7V，即输出点输出数字量1；当输入皆为低电平时，Ube <0.7V，Q6集电极和发射极不能导通，输出被拉到地端，输出为低电平。

1. 非门

分析：当输入为高电平＋５Ｖ时，Q1基极与发射极间U_be> 0.7V，Q1导通，输出点电压为Q1的集电极和发射极之间的压降，即0.3V，即输出为数字量0；当输入为低时，Q1集电极和发射极之间未导通，输出电压为上拉的电压，+5V，即数字量1。

1. 场效应管

   1. JFET

JFET是指结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor），它是一种三端口半导体器件，它的工作原理基于PN结。JFET由n型或p型半导体材料构成的通道区和两个p型或n型控制区（称为栅极）组成。

JFET的工作原理是通过改变栅极-源极电压（VGS）来调节通道中的电子数目，从而控制输出电流（ID）的大小。当栅极-源极电压为零时，通道中的电子数量最多，导通电阻最小。当加上一个负电压（n型JFET）或正电压（p型JFET）到栅极上时，控制区形成的反向耗尽层扩大，挤压通道中的电子数量，从而减小输出电流。反之，当加上一个正电压（n型JFET）或负电压（p型JFET）到栅极上时，控制区的耗尽层变窄，通道中的电子数量增加，从而增大输出电流。详细过程如下：

1、无偏置：在栅极和源极之间没有施加电压的情况下，通道是电流流动的宽阔路径。源极端对应的栅极和漏极均未提供外部电位时。这时：V_GS=V_DS=0。因此，在这种情况下，两个PN结将具有相同厚度的耗尽区。由于没有提供任何外部偏置，这意味着由于温度变化，大多数电荷载流子（电子）从源极移动到漏极端子。

2、偏置：如果在栅极和源极之间施加极性的电压，它会反向偏置PN结，源极和漏极连接之间的流动变得有限或受到调节。当在栅源端子之间提供小电压时。这表示VGS≠0。因此，在这种情况下，当**在栅极到源极端子之间提供小的反向电位时，反向电压会增强（增加）pn结的耗尽宽度。此外，我们知道N通道具有电阻性质。因此，在通道中会注意到电压降。这是由于电流在端子漏极和源极之间流动。由于电压降，两个结变得更加反向偏置，从而导致耗尽区更多地渗透到沟道中。反向偏置条件会导致在结型场效应管（JFET）的PN结周围形成“耗尽区”，因为这个区域的载流子数量减少了，所以反向偏压的作用是减少“通道”的有效横截面积。**这种面积的减小增加了结型场效应管（JFET）的源漏电阻并减少了电流。

3、夹断(截止)：最大栅源电压“夹断”通过源极和漏极的所有电流，从而迫使结型场效应管（JFET）工进入截止模式。向栅极施加足够大的负电压将导致耗尽区变得特别大，以至于电流通过结的传导完全停止。将漏极电流(ID)降至零所需的电压称为夹断电压（或截止电压）并且与真空管中的截止电压相等。结型场效应管（JFET）工作原理以类似于双极晶体管的方式工作，即使两者的构造不同。完全停止通过器件传导的特定栅源电压称为截止电压或夹断电压。随着栅极端子处反向施加电压的降低，沟道电阻也显示出降低。结果，导致漏极电流上升。这种行为是由于PN结的耗尽区在反向偏置电压的影响下扩大，如果电压足够大，最终占据沟道的整个宽度。

JFET的特点包括：具有高输入阻抗和低噪声；与输出电流无关，输出电流稳定性好；需要注意的是，JFET的输出特性呈现负电阻，当电压偏置超过一定值时，输出电流会迅速增加，因此在使用时需要注意电路的稳定性和可靠性。

1. MOSFET

场效应管分为结型和绝缘栅型（又称MOS管）两种类型，每种类型均分为N沟道和P沟道两种，而MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。

工作原理：MOSFET的工作原理是通过调节栅极电压，控制反型区的深度和位置，从而调节导体的电阻值，从而控制电流的流动。（增强NMOS为例）在栅极施加一个正电压，形成一个由正电荷组成的电场，使得半导体表面形成一个由负电荷组成的电子层。这个电子层称为“反型区”，并且可以通过调节栅极电压来控制其深度和位置。当反型区存在时，它会形成一条导体，并且可以通过控制栅极电压来调节导体的电阻值。当栅极施加正电压时，反型区深度增加，导体电阻下降，使得电流通过器件；当栅极施加负电压时，反型区深度减小，导体电阻增加，使得电流无法通过器件。MOSFET还具有一个与栅极相连的漏极和一个与基底相连的源极。当电流通过MOSFET时，它会从源极进入，通过反型区，最终进入漏极。通过控制栅极电压，可以调节源漏间的电阻值，从而控制电流的流动。

N沟道MOSFET：N沟道MOSFET是由一块N型半导体材料制成的，其中有一条沟道连接了源和漏。在MOSFET中，沟道中的电子运动控制了电路的导通。当沟道中的电子数量达到一定程度时，MOSFET就开始导通。通过在栅极上加电压，可以控制沟道中电子的数量，从而控制MOSFET的导通。

P沟道MOSFET：P沟道MOSFET是由一块P型半导体材料制成的，其中有一条沟道连接了源和漏。与N沟道MOSFET类似，沟道中的电子数量也控制了MOSFET的导通。但是，P沟道MOSFET的沟道中是空穴而非电子，需要在栅极上施加负电压才能控制导通。

增强型 MOSFET：增强型 MOSFET 是一种需要在栅极上加正电压才能导通的 MOSFET。在没有施加栅极电压时，沟道中没有足够的电子或空穴来形成导电通道，因此 MOSFET 不导电。当栅极上施加正电压时，沟道中的电子或空穴增多，形成了导电通道，从而使 MOSFET 导通。

耗尽型MOSFET：~~耗尽型MOSFET是一种需要在栅极上施加负电压才能导通的 MOSFET。~~与增强型 MOSFET 相反，耗尽型 MOSFET 在没有施加栅极电压时已经导通。当栅极上施加负电压时，沟道中的电子或空穴减少，导电通道变窄或关闭， MOSFET 不导电。

1. Power Mosfet

功率MOS管：如VMOSFET、VVMOS、VDMOS、LDMOS。它的结构并不是常见的MOS管原理图那种。VMOSFET也称为垂直导电MOS管，结构图如下：

Power MOSFET（MOS场效应晶体管）是一种功率型金属氧化物半导体场效应晶体管，通常用于高功率的开关和调节电路中。Power Mosfet通常具有低开关电阻、高输入电容和高温度稳定性等优点，能够在高频率下工作，因此广泛应用于电力电子、电机驱动、太阳能逆变器、LED照明等领域。

~~Power MOSFET的结构与普通MOSFET相似，但是它的漏极区域更大，因此可以承受更高的电流。~~工作原理：在正常工作状态下，源极是最高电位，漏极是最低电位。当栅极电压Vgs大于阈值电压时，栅极与漏极之间形成一个导电通道，从而导通漏极到源极之间的电流，使得器件工作。在功率MOSFET中，由于其结构和工艺的特殊性质，其特性与普通MOSFET有很大的不同。主要特点如下：

1. 低导通电阻：功率MOSFET漏极-源极之间的电阻很小，可达数毫欧姆以下。这使得功率MOSFET在大电流应用中具有很好的导通性能。
2. 高电压承受能力：功率MOSFET能承受几百伏以上的高电压，可以应用于高压场合，如交流/直流电源、电机驱动器等领域。
3. 快速开关速度：功率MOSFET具有快速的开关速度，使得其在高频应用中表现出色。
4. 低驱动功率：栅极结构设计合理，使得其驱动电路可以使用低功率信号源进行驱动。
5. 热稳定性好：功率MOSFET漏极-源极之间的电阻受温度影响小，散热能力好，使得其具有良好的热稳定性。
6. 安全性好：在短路和过载条件下具有良好的保护特性，可提供更加可靠的系统保护。

1. 场效应管三个区域的极间电压

1. 各种场效应管的转移/输出特性曲线

1. NMOS与PMOS的区别；

1. 极性方向不同：NMOS中电子从源极流向漏极，而PMOS中空穴从漏极流向源极。
2. 电压极性要求不同：NMOS需要正电压施加到栅极上才能形成导电通道，而PMOS则需要负电压施加到栅极上才能形成导电通道。
3. 阈值电压不同：NMOS的阈值电压一般为正值，而PMOS的阈值电压一般为负值。
4. 电流驱动能力不同：NMOS的电流驱动能力比PMOS大，因此在需要高电流的场合更常使用NMOS。
5. 电路应用不同：由于它们的特性不同，NMOS和PMOS在电路设计中应用场合不同。一般来说，NMOS广泛用于数字电路中，如逻辑门、存储器、微处理器等，而PMOS则主要用于模拟电路中，如放大器、开关电路等。

1. Mos管如何判断输入输出引脚

MOS管的引脚包括栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。N沟道的电源一般接在D，输出S；P沟道的电源一般接在S，输出D

源极和漏极是MOS管的输出引脚，而栅极是MOS管的输入引脚。一般情况下，栅极引脚与其他两个引脚之间有一定的电容，可以将其用万用表的电容档位进行测试。

在测试时，将万用表选择电容档位，将一端连接到栅极引脚，将另一端分别连接到源极和漏极引脚。如果测得的电容值很小，大概在几十皮法到几百皮法之间，那么连接的是源极和漏极引脚。如果测得的电容值很大，可能在几纳法以上，那么连接的就是栅极和源极（或漏极）引脚。

1. IGBT

IGBT，全称为绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种高压、高功率开关器件。IGBT给G高电平导通，给G低电平截止：**结合了MOS管低驱动电流以及三极管低导通电阻的优势。**作用：把高压直流电转化为交流电、变频。

工作原理：开关阶段（上升沿）：当输入信号电压增加时，IGBT的栅极开始导通，导通后会在P+区域注入大量的少子，这些少子会在N-区域形成电子空穴对。电子会向N-区域移动，同时空穴会向P+区域移动，形成电流。续流阶段：在上升沿时，当IGBT的集电极电压达到负载电压时，晶体管开始导通，流经晶体管的电流开始上升。此时，少子开始向P+区域移动，同时电子也开始向N-区域移动，这样就实现了电流的续流。关断阶段（下降沿）：当输入信号电压开始下降时，IGBT的栅极会停止导通，此时晶体管进入关断状态。在这个过程中，电子和空穴都会被吸引到P+区域和N-区域，形成一种反向击穿现象，使得电流开始减少。关断后续流阶段：在IGBT完全关断之后，少子和电子会继续向P+区域和N-区域移动，直到达到一定的电位差为止，形成反向电压。在这个过程中，电流将逐渐减小，直到电流降至零。

IGBT的主要特点包括：低导通电压：IGBT的导通电压很低，仅有0.7V左右，这意味着IGBT在导通状态下具有很小的功率损耗；大电流承受能力：由于IGBT的结构特点，它可以承受很大的电流，这使得IGBT在高压、高功率应用中得到广泛应用；可控性强：IGBT可以通过控制栅极电压来控制晶体管的导通和关断，这使得它可以在复杂的应用场合中得到灵活的控制；速度快：由于IGBT的输入电容很小，所以它的开关速度比BJT快得多；绝缘性好。

N沟道IGBT示意图

1. IGBT、三极管和MOSFET区别

1. 工作原理

IGBT将MOSFET和BJT的优点相结合。其工作原理可简单概括为：**通过控制栅极电压，可以控制P-N结的导通情况。**当栅极电压为高电平时，P-N结会被注入大量电子和空穴，从而形成导电通道，使电流能够流过整个器件；而当栅极电压为低电平时，P-N结上的导电通道会被截断，使得电流无法流过整个器件。因此，通过控制栅极电压可以实现对整个器件的开关控制。

三极管工作原理是，通过基极电流控制集电极和发射极之间的电流，从而实现开关控制等功能。

MOS管是其工作原理是，通过栅极电压控制漂移区的电荷密度，从而控制了通道的导电性。

1. 开关速度

通常的顺序是MOSFET > IGBT > 三极管。MOSFET的开关速度最快，其栅极-源极电容较小，可以快速地充放电，从而实现快速开关。IGBT栅极-射极电容相对较大，因此充放电需要一定的时间。此外，由于存在pn结，IGBT在开关时需要考虑反向恢复问题，也会降低其开关速度。三极管的开关速度最慢，其主要限制在于其栅极电容较大，需要较长的充放电时间，同时由于存在大量载流子的复合与极化效应，使其开关速度受到很大的限制。

1. 耐压能力

IGBT的耐压能力比MOSFET高，因为它的结构中包含了BJT的特性。三极管的耐压能力较强。MOSFET的耐压能力相对较弱，一般不适用于高压应用。

1. 导通电阻

IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

1. MOS管和IGBT区别

MOS管和IGBT（绝缘栅双极晶体管/Insulated Gate Bipolar Transistor）都是常见的功率半导体器件，用于控制高电压和大电流的开关和放大操作。它们的共同点和不同点如下：

区别详见：IGBT/三极管/MOS管的区别_哔哩哔哩_bilibili

https://www.bilibili.com/video/BV1cd4y1a7oa/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=35af6172ed490474d9dba7be3f9f716e

共同点：1.都可以作为开关或放大器使用。2.都可以控制电路的电流和电压。

不同点：

1. 结构不同：IGBT类似于一个MOSFET和一个双极晶体管的组合，IGBT比VMOS多一层P+注入区,形成了一个大面积的P+N结J1。
2. 工作原理不同：MOS管的控制电压作用于栅极，从而控制导通和截止，IGBT则是利用栅极控制基区的电流来控制集电极与发射极之间的导通。
3. 速度不同：MOS管的开关速度较快，IGBT的开关速度较慢。【MOS管和IGBT的开关速度差异主要源于其内部结构的不同。MOS管的栅极是由金属材料制成的，其结构简单，因此能够实现非常快速的开关速度。而IGBT的栅极则是由P型掺杂的晶体管组成的，~~与N型区域相比，P型区域的载流子迁移速度较慢，因此导致了开关速度较慢的问题。此外，IGBT的结构也相对复杂，~~包含多个PN结和MOSFET结构，使得其内部电容较大，也影响了开关速度。】
4. 电压能力不同：IGBT可以承受更高的电压，但MOS管的开关损耗更小，可以更适合高频应用。
5. 价格不同：IGBT的价格相对较高，但MOS管的价格相对较低。

综上所述，MOS管和IGBT虽然都是常见的功率半导体器件，但它们的结构、工作原理、速度、电压能力和价格等方面都有所不同，需要根据具体应用场景进行选择

1. 如何选择使用mos管还是三极管，有什么区别

选择使用MOS管还是三极管取决于电路的应用场景和要求。

MOS管具有开关速度快、控制精度高、电压控制功耗低等优点，适用于高频应用场合，如电源开关、电机驱动等。~~与三极管相比，MOS管的导通电阻更小，功率损耗更小，因此可以在高频率下工作，~~同时MOS管的输入电容也更小，能够提供更好的高速开关性能。

而三极管则具有稳定性好、导通电阻小、抗干扰能力强、承受电流能力强等特点，适用于高电压、大电流应用场合，如功率放大器、开关电源等。三极管的驱动电路相对简单~~，成本较低，但是三极管在高频应用下会出现导通电阻大、开关速度慢、功率损耗大等问题~~。

因此，在选择MOS管还是三极管时，需要根据具体的应用场景和要求来进行选择。如果需要高速开关、高效率、低功耗等特性，则可以选择MOS管；如果需要高稳定性、大电流承受能力等特性，则可以选择三极管。

1. HEMT

   1. GaAs HEMT

HEMT作为LNA的核心器件，具有低噪声、低导通电阻、高功率和高频操作的优越性能，广泛应用于导航、卫星通信、遥测、遥控和军事电子对抗等领域。

结构：AlGaAs层通常称为控制层，它与金属栅极形成肖特基势垒，与GaAs层形成异质结。在宽禁带的AlGaAs层中掺有施主杂质，在窄禁带的GaAs层中不掺杂。源和漏电极接触直接做在二维电子气上。

原理：GaAs HEMT（高电子迁移率晶体管）是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET)、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波)、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。在i-GaAs/n-Al_xGa_1-xAs异质结构中，电子亲合力较小的Al_xGa_1-xAs是n型掺杂的，而GaAs是非掺杂的，即所谓调制掺杂。由于AlGaAs的带隙较大，自由电子能量比与之相邻的GaAs的要高，于是电子从前者转移到后者中，并引起能带弯曲。由于异质结界面存在势垒，故电子被限制在由导带不连续性建立起来的宽度只有100Å(1埃=1×10^-10)的三角形势阱中，形成所谓的二维电子气（2DEG)。HEMT是通过栅极下面的肖特基势垒来控制GaAs/AlGaAs异质结中的2DEG的浓度实现控制电流的。HEMT是电压控制器件，栅极电压Vg可控制异质结势阱的深度，从而控制势阱中2-DEG的面密度，所以能控制着器件的工作电流（能控制HEMT的漏极电流）。由于2DEG与处在AlGaAs层中的杂质中心在空间上是分离的，则不受电离杂质散射的感响，所以迁移率很高。对于GaAs体系的HEMT，通常其中的n-Al_xGa_1-xAs控制层应该是耗尽的。若n-Al_xGa_1-xAs层厚度较大、掺杂浓度又高，则在Vg =0时就存在有2-DEG,为耗尽型器件，反之则为增强型器件;但该层如果厚度过大、掺杂浓度过高,则工作时就不能耗尽,而且还将出现与S-D并联的漏电电阻。对于HEMT，主要是要控制好宽禁带半导体层——控制层的掺杂浓度和厚度，特别是厚度。

HEMT是通过栅极下面的肖特基势垒来控制2-DEG的浓度及运动，进而控制沟道电流。缓冲层的作用是阻止衬底的缺陷进入沟道层，而未掺杂的AlGaAs层的作用是减小杂质对二维电子气的影响。GaAs HEMT的工作模式有两种，即增强型和耗尽型，在零栅压下已经存在2-DEG的为耗尽型。这种模式的HEMT在零栅下加上源漏 电压就会形成一定浓度的2-DEG，而在加负栅压后由于肖特基结的耗尽层加宽，异质结上的势垒减小使得2-DEG不断减小并趋向于0。

优点：常规HEMT (即GaAs体系HEMT）有许多优点，其优良的低温沟道特性尤为世人瞩目，其薄层载流子密度在8×10¹¹~10×10¹¹/cm²之间，77K下的2DEG迁移率高达60000cm²/V·s。

缺点：但是，在该结构的n-Al_xGa_1-xAs层中，如果Al克分子数x>0.2时，就会产生深电子陷阱DX中心，当电子被俘获在这些陷阱中时，器件的阈值电压V_th会随温度变化，电流-电压特性变坏，因而使HEMT的低温特性复杂化了。目前常规HEMT的Al_xGa_1-xAs层的x通常为0.3，当然会发生前述弊病。

1. 二维电子气

如果三维固体中电子在某一个方向上的运动受到阻挡，被局限于一个很小的范围内，那么，电子就只能在另外两个方向上自由运动，这种具有两个自由度的电子就称为二维电子(2DEG)。

当势阱较深时，电子基本上被限制在势阱宽度所决定的薄层内，即形成了（2DEG)。特点:电子(或空穴）在平行于界面的平面内自由运动，而在垂直于界面的方向受到限制。

在MOS结构中，半导体表面反型层中的电子可看成是典型的二维电子气。二维电子气通常具有较小的导电通道截面，使得GaAs器件通常具有较高的电子密度和较低的导通电阻。在产生二维电子气时，异质结界面附近处出现能带弯曲。在掺杂AlGaAs和本征Ga As两边分别产生势垒和准三角形势阱。势阱中的电子不断累积并与离化施主相分开，垂直于界面方向的电子被束缚于极窄的阱内，仅可在界面的X、Y方向自由运动。

1. pHEMT (InGaAs沟道HEMT)

它是用非掺杂的InGaAs层代替常规HEMT的非掺杂GaAs层作为沟道而构成的。

在InGaAs/GaAs异质界面存在大约1%的晶格失配，当InGaAs层足够薄时（例如200Å)，由晶格失配所产生的应力将全部被吸收在该层中，后者应受应力作用而被压缩，使其晶格常数大致与GaAs相匹配，此层称作“应变层”或“赝配层”，具有这种结构的HEMT称作“应变层HEMT”或“赝配HEMT”(PHEMT) 。

工作原理：由于GaAs的导带能级低于Al_xGa_1-xAs的施主能级，所以由施主能级提供的电子转移到GaAs中，这种电荷转移产生一个强的内建场，并在结附近引起显著的能带弯曲，产生一个近似三角形的与界面垂直的一维势垒，电子被俘获在这个势垒中，形成所谓的2DEG。由于2DEG与母体施主杂质在空间上是分离的，消除了由二者之间的碰撞引起的散射，从而能显著提高迁移率。

而对PHEMT来说，在加了非掺杂的InGaAs层之后，其导带就发生变化，成为a的样子。在InGaAs层的靠近n-Al_xGa_1-xAs层一侧，势垒高度为0.3eV，与b相同，而在靠近非掺杂GaAs一侧，也出现了导带的不连续性，形成一个0.17eV的势垒。这样，非掺杂的InGaAs层实际上就成为一个量子阱，就是说，比常规HEMT对电子又多加了一个限制。一般认为，这是使PHEMT有较低输出电导和较高功率附加效率的一个原因。

项目/实验中Al_xGa_1-xAs和In_1-yGa_yAs的摩尔组分分别为0.30和0.75。

掺杂AlGaAs/GaAs pHEMT基本结构图

delta掺杂浓度分布理想情况下符合delta函数，即杂质只分布于掺杂层，其他区域为0。在Delta掺杂区域内，杂质原子的浓度可以达到非常高的水平，通常高达10的19次方以上，远远高于半导体材料的固有掺杂浓度。由于掺杂区域非常窄，仅有几个纳米的厚度，Delta掺杂可以产生非常高的电子密度，并形成一个具有特殊电学和光学性质的区域。

1. PHEMT较之常规HEMT的优点

lnGaAs层二维电子气的电子迁移率和饱和速度皆高于GaAs，前者电子饱和漂移速度达到了7.4×10¹⁷cm²V^-1S^-1，后者为4.4×10¹⁷cm²V^-1S^-1，因此工作频率更高。

InGaAs禁带宽度小于GaAs，因此增加了导带不连续性。300K时GaAs禁带宽度为1.424eV，InGaAs为0.75eV。所以Al_xGa_1-xAs即使是选择较低的x(0.15)，仍能获得满足器件要求的△Ec。

InGaAs禁带宽度低于两侧AlGaAs和GaAs材料的禁带宽度，从而形成了量子阱，比常规HEMT对电子又多加了一个限制，有利于降低输出电导，提高功率转换效率。

半导体工艺中，掺杂有哪几种方式

扩散掺杂：在晶体表面加热，将所需的杂质元素（如硼、磷、锗等）从气体或液体中扩散到晶体中。
离子注入掺杂：利用加速器将离子束轰击到晶体表面，从而将所需的杂质元素注入到晶体中。
分子束外延（MBE）：利用分子束炉蒸发源产生的分子束来掺杂，将所需的杂质元素注入到晶体表面。
金属有机化学气相沉积（MOCVD）：利用金属有机分子和气体反应沉积出薄膜，也可以通过在反应中添加杂质元素来掺杂。

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