Nand Flash -详述2

 

【Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构】

Nand flash的内部组织结构，此处还是用图来解释，比较容易理解：

图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构

上图是K9K8G08U0A的datasheet中的描述。

 

简单解释就是:

1.一个nand flash由很多个块（Block）组成，

    块的大小一般是

        -> 128KB，

        -> 256KB，

        -> 512KB

      此处是128KB。

 

2.每个块里面又包含了很多页（page）。每个页的大小，

       老的nand flash，页大小是256B，512B，

            这类的nand flash被称作small block，。地址周期只有4个。

       对于现在常见的nand flash多数是2KB，

            被称作big block，对应的发读写命令地址，一共5个周期(cycle)，

       更新的nand flash是4KB，

       块，也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。

 

3.每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），而Linux系统中，一般叫做OOB（Out Of Band），这个区域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting），所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。

       页, 是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。

 

【Nand Flash数据存储单元的整体架构】

简单说就是，常见的nand flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。

而有些复杂的，容量更大的nand flash，内部有多个chip，每个chip有多个plane。这类的nand flash，往往也有更加高级的功能，比如下面要介绍的Multi Plane Program和Interleave Page Program等。

比如，型号为K9K8G08U0A这个芯片（chip），

            内部有: 

               K9F4G08U0A (256MB)     :  Plane (1Gb),   Plane (1Gb)

               K9F4G08U0A (256MB)     :  Plane (1Gb),   Plane (1Gb)

 

 

K9WAG08U1A  ，内部包含了2个K9K8G08U0A

K9NBG08U5A    ，内部包含了4个K9K8G08U0A

 

【Flash名称的由来】

Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB。。，全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF了，由于是一下子就擦除了，相对来说，擦除用的时间很短，可以用一闪而过来形容，所以，叫做Flash Memory。中文有的翻译为（快速）闪存。

 

【Flash相对于普通设备的特殊性】

1.       上面提到过的，Flash最小操作单位，有些特殊。

一般设备，比如硬盘/内存，读取和写入都是以bit位为单位，读取一个bit的值，将某个值写入对应的地址的位，都是可以按位操作的。

但是Flash由于物理特性，使得内部存储的数据，只能从1变成0，这点，可以从前面的内部实现机制了解到，只是方便统一充电，不方便单独的存储单元去放电，所以才说，只能从1变成0，也就是释放电荷。

所以，总结一下Flash的特殊性如下：

 

	普通设备(硬盘/内存等)	Flash
读取/写入的叫法	读取/写入	读取/编程(Program)①
读取/写入的最小单位	Bit/位	Page/页
擦除(Erase)操作的最小单位	Bit/位	Block/块②
擦除操作的含义	将数据删除/全部写入0	将整个块都擦除成全是1，也就是里面的数据都是0xFF③
对于写操作	直接写即可	在写数据之前，要先擦除，然后再写

表2.Flash和普通设备相比所具有的特殊性

注：

①之所以将写操作叫做编程，是因为，flash和之前的EPROM，EEPROM继承发展而来，而之前的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，往里面写入数据，就叫做编程Program，之所以这么称呼，是因为其对数据的写入，是需要用电去擦除/写入的，就叫做编程。

②对于目前常见的页大小是2K/4K的Nand Flash，其块的大小有128KB/256KB/512KB等。而对于Nor Flash，常见的块大小有64K/32K等。

③在写数据之前，要先擦除，内部就都变成0xFF了，然后才能写入数据，也就是将对应位由1变成0。

 

【Nand Flash引脚(Pin)的说明】

图3.Nand Flash引脚功能说明

上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下：

1.       I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令，输出数据

2.       CLE：Command Latch Enable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能

3.       ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能

 

4.       CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先选中此芯片，才能操作

5.       RE#：Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。

6.       WE#：Write Enable，写使能,在写取数据之前，要先使WE＃有效。

7.       WP#：Write Protect，写保护

8.       R/B#:Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成.

 

9.       Vcc：Power，电源

10.   Vss：Ground，接地

11.   N.C：Non-Connection,未定义，未连接。

 

[小常识]

在数据手册中，你常会看到，对于一个引脚定义，有些字母上面带一横杠的，那是说明此引脚/信号是低电平有效，比如你上面看到的RE头上有个横线，就是说明，此RE是低电平有效，此外，为了书写方便，在字母后面加“＃”，也是表示低电平有效，比如我上面写的CE＃；如果字母头上啥都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。

 

【为何需要ALE和CLE】

突然想明白了，Nand Flash中,为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂的原因了:

比如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因为，Nand Flash就8个I/O，而且是复用的，也就是，可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，为了区分你当前传入的到底是啥，所以，先要用发一个CLE（或ALE）命令，告诉nand Flash的控制器一声，我下面要传的是命令（或地址），这样，里面才能根据传入的内容，进行对应的动作。否则,nand flash内部,怎么知道你传入的是数据,还是地址,还是命令啊,也就无法实现正确的操作了.

 

【Nand Flash只有8个I/O引脚的好处】

1.       减少外围引脚：相对于并口(Parellel)的Nor Flash的48或52个引脚来说，的确是大大减小了引脚数目，这样封装后的芯片体积，就小很多。现在芯片在向体积更小，功能更强，功耗更低发展，减小芯片体积，就是很大的优势。同时，减少芯片接口，也意味着使用此芯片的相关的外围电路会更简化，避免了繁琐的硬件连线。

2.       提高系统的可扩展性，因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚，在芯片内部换了芯片的大小等的改动，对于用全部的地址addr的引脚，那么就会引起这些引脚数目的增加，比如容量扩大一倍，地址空间/寻址空间扩大一倍，所以，地址线数目/addr引脚数目，就要多加一个，而对于统一用8个I/O的引脚的Nand Flash，由于对外提供的都是统一的8个引脚，内部的芯片大小的变化或者其他的变化，对于外部使用者(比如编写nand flash驱动的人)来说，不需要关心，只是保证新的芯片，还是遵循同样的接口，同样的时序，同样的命令，就可以了。这样就提高了系统的扩展性。