关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

本文探讨了在S3C2440开发板上,针对Nand Flash的程序烧写和运行过程。内容涉及Nand Flash与SDRAM的区别,程序如何通过SDRAM作为中转站烧写到Nand Flash,以及在Nand Flash启动时如何利用垫脚石内存和初始化SDRAM来执行程序。
摘要由CSDN通过智能技术生成

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植,在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。

我看过很多教学视频,他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000,而S3C2440的官方手册上指明了0X3000_0000地址对应的片内外设是SDRAM。这不禁让我产生了疑问。明明是指定了SDRAM却烧写到了Nand flash,为什么?

为了解决我的疑惑,在网上看了很多人的解释,这不仅解开了我的疑惑,还引出了许多相关知识点。

要解答这个问题,首先要从Nand flash本身的结构说起。Nand flash的结构和RAM不一样,它的数据线是复用的,内与足够的地址线用来寻址,对于它的数据存取通常是以块为单位。这一点跟Nor flash不一样,Nor flash带有RAM接口,有足够的地址线进行寻址,所以CPU可以访问Nor flash内部的每一个字节,程序可以在nor flash中运行,而Nand flash不行,所以Nand flash中的程序想要运行必须拷贝到内存(一般是SDRAM)当中来。

当我们想烧写程序至Nand flash中时,会借助一个“中转站”,既SDRAM。程序先烧写到SDRAM中(这就是指定0X3000_0000地址的原因),然后在从SDRAM中拷贝到Nand flash中去,而这个拷贝工作由实现烧写到

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