STM32F103：内部Flash模拟EEPROM

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内部Flash模拟EEPROM

一、原因

由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。
我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM，实现可以多次擦写，掉电又可以保存数据的功能。

二、原理

1. STM32F103系列芯片

按内部Flash的容量大小，分类如下：

型号	容量(字节)	页(字节)	启动程序
stm32f103X6(小容量)	32K	1K	startup_stm32f10x_ld.s
stm32f103X8(中容量)	64K	1K	startup_stm32f10x_md.s
stm32f103XB(中容量)	128K	1K	startup_stm32f10x_md.s
stm32f103XC(大容量)	256K	2K	startup_stm32f10x_hd.s
stm32f103XE(大容量)	512K	2K	startup_stm32f10x_hd.s

2. 程序源码

内部Flash模拟EEPROM程序源码

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待更新。。。。。