stm32f103c8t6 FLASH模拟EEPROM

最新推荐文章于 2023-07-18 16:54:49 发布

sam-zy

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分类专栏： STM32 文章标签： stm32 单片机 arm

原文链接：https://blog.csdn.net/m0_51220742/article/details/123736515

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1.使用FLASH模拟EEPROM示例

1.写入

#define Rat_FLASH_SAVE_ADDR  0X0800FF40 
/**
 *调试模式
 *@param	 
 *@careful	 
 *@return	 						
 */	 
void Bluetooth(void)
{
	u8 pBufUp[8];  
	float f_ju = 0.00;

	//设置--速比
	else if(uart2._buffer[0] == 'S' && uart2._buffer[1] == 'v' && uart2._buffer[2] == Ser_ID+'0' && uart2._buffer[4] == 'R' && uart2._buffer[5] == 'a' && uart2._buffer[6] == 't' && uart2._buffer[7] == '=') 
	{
		//把从串口2接收到的数据存入缓冲区
		pBufUp[0] = uart2._buffer[8];
		pBufUp[1] = uart2._buffer[9];
		pBufUp[2] = uart2._buffer[10];
		pBufUp[3] = uart2._buffer[11];
		f_ju = atof((char*)&pBufUp); //转换为float类型
		if((f_ju>=0) && (f_ju<=255))
		{
			Rat = f_ju;  //
			STMFLASH_Write(Rat_FLASH_SAVE_ADDR, (u16*)pBufUp, sizeof(pBufUp));  //存入FLASH
			u2_printf("ID%d 速比:%.2f \r\n",Ser_ID,Rat);
		}
		else
			u2_printf("ID%d 输入错误(0-255)\r\n",Ser_ID);
	}
}

void USART2_IRQHandler(void)
{
	if((USART2->SR & (1<<1)) || (USART2->SR & (1<<2)) || (USART2->SR & (1<<3)))	//　意外中断
	{
		USART2->SR = ~(USART_SR_ORE | USART_SR_NE | USART_SR_FE);//清除串口错误标志
	}
	else if(USART2->SR & (1<<4))//空闲中断
	{	 
		UART2_AbortReceive();  //关闭DMA接收
		uart2._rxlen=BUFFER_SIZE - DMA1_Channel6->CNDTR;	// 64 - buffer剩余字节
		uart2._rxend=1;										// 收到一帧
		Bluetooth();	
		uart2._rxlen=0;
		uart2._rxend=0;
		memset((void*)uart2._buffer,0,BUFFER_SIZE);//清buff 
		USART2->SR = ~(USART_SR_IDLE | USART_SR_ORE | USART_SR_NE | USART_SR_FE| USART_SR_PE);//清除串口标志位
		UART2_Receive_DMA();  //开启DMA接收
	}    
}

2.读取

STMFLASH_Read(Rat_FLASH_SAVE_ADDR,  (u16 *)datatemp, 2); //读取flash数据
Rat=atof((char*)&datatemp);     //由于我需要的是float类型 所以转换位float类型

STM32F103系列芯片内部Flash的擦写次数有10000次
按内部Flash的容量大小，分类如下：
型号容量(字节) 页(字节) 启动程序
stm32f103X6(小容量) 32K 1K startup_stm32f10x_ld.s
stm32f103X8(中容量) 64K 1K startup_stm32f10x_md.s
stm32f103XB(中容量) 128K 1K startup_stm32f10x_md.s
stm32f103XC(大容量) 256K 2K startup_stm32f10x_hd.s
stm32f103XE(大容量) 512K 2K startup_stm32f10x_hd.s.
在这里插入图片描述
使用的是最后一个扇区的第一页（每个扇区有四页）
如果使用Flash大小为256K的芯片请使用0x0803E000后面的地址
如果使用Flash大小为128K的芯片请使用0x0801F000后面的地址
如果使用Flash大小为64K的芯片请使用0x08007000后面的地址我使用的是0X0800FF40

2.内部Flash模拟EEPROM程序源码

原文链接：借鉴正点原子开发板例程

stmflash.h

#ifndef __STMFLASH_H__
#define __STMFLASH_H__
#include "sys.h"  

//用户根据自己的需要设置
#define STM32_FLASH_SIZE 	64 	 		//所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
#define STM32_FLASH_WREN 	1       	//使能FLASH写入(0，不使能;1，使能)
//

//FLASH起始地址
//#define STM32_FLASH_BASE 0x800FC00     		//STM32 FLASH的起始地址 //0x08000000
//FLASH解锁键值
#define FLASH_KEY1               0X45670123
#define FLASH_KEY2               0XCDEF89AB

void STMFLASH_Unlock(void);					  		//FLASH解锁
void STMFLASH_Lock(void);					 		 		//FLASH上锁
u8 STMFLASH_GetStatus(void);				  		//获得状态
u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time);				  	//等待操作结束
u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr);			  	//擦除页
u8 STMFLASH_WriteHalfWord(u32 faddr, u16 dat);//写入半字
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr);		  //读出半字  
void STMFLASH_WriteLenByte(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite,u16 Len);	//指定地址开始写入指定长度的数据
u32 STMFLASH_ReadLenByte(u32 ReadAddr,u16 Len);						//指定地址开始读取指定长度数据
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);		//从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);   		//从指定地址开始读出指定长度的数据
//测试写入
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData);								   
#endif

stmflash.c

#include "stmflash.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"

//解锁STM32的FLASH
void STMFLASH_Unlock(void)
{
	FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;//写入解锁序列.
	FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
}
//flash上锁
void STMFLASH_Lock(void)
{
	FLASH->CR|=1<<7;//上锁
}
//得到FLASH状态
u8 STMFLASH_GetStatus(void)
{	
	u32 res;		
	res=FLASH->SR; 
	if(res&(1<<0))return 1;		    //忙
	else if(res&(1<<2))return 2;	//编程错误
	else if(res&(1<<4))return 3;	//写保护错误
	return 0;						//操作完成
}
//等待操作完成
//time:要延时的长短
//返回值:状态.
u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time)
{
	u8 res;
	do
	{
		res=STMFLASH_GetStatus();
		if(res!=1)break;//非忙,无需等待了,直接退出.
		delay_us(1);
		time--;
	 }while(time);
	 if(time==0)res=0xff;//TIMEOUT
	 return res;
}
//擦除页
//paddr:页地址
//返回值:执行情况
u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr)
{
	u8 res=0;
	res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待上次操作结束,>20ms    
	if(res==0)
	{ 
		FLASH->CR|=1<<1;//页擦除
		FLASH->AR=paddr;//设置页地址 
		FLASH->CR|=1<<6;//开始擦除		  
		res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待操作结束,>20ms  
		if(res!=1)//非忙
		{
			FLASH->CR&=~(1<<1);//清除页擦除标志.
		}
	}
	return res;
}
//在FLASH指定地址写入半字
//faddr:指定地址(此地址必须为2的倍数!!)
//dat:要写入的数据
//返回值:写入的情况
u8 STMFLASH_WriteHalfWord(u32 faddr, u16 dat)
{
	u8 res;	   	    
	res=STMFLASH_WaitDone(0XFF);	 
	if(res==0)//OK
	{
		FLASH->CR|=1<<0;		//编程使能
		*(vu16*)faddr=dat;		//写入数据
		res=STMFLASH_WaitDone(0XFF);//等待操作完成
		if(res!=1)//操作成功
		{
			FLASH->CR&=~(1<<0);	//清除PG位.
		}
	} 
	return res;
} 
//读取指定地址的半字(16位数据) 
//faddr:读地址 
//返回值:对应数据.
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}
#if STM32_FLASH_WREN	//如果使能了写   
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数   
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{ 			 		 
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToWrite;i++)
	{
		STMFLASH_WriteHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
	    WriteAddr+=2;//地址增加2.
	}  
} 
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#define STM32_FLASH_BASE 0x800FC00     		//STM32 FLASH的起始地址 //0x08000000
#else 
#define STM_SECTOR_SIZE	2048
#define STM32_FLASH_BASE 0x800F800    //FLASH起始地址
#endif		 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)	
{
	u32 secpos;	   //扇区地址
	u16 secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
	u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)	   
 	u16 i;    
	u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
	STMFLASH_Unlock();						//解锁
	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   
	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
		for(i=0;i<secremain;i++)	//校验数据
		{
			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  
		}
		if(i<secremain)				//需要擦除
		{
			STMFLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
			for(i=0;i<secremain;i++)//复制
			{
				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
			}
			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
		}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. 				   
		if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
		else//写入未结束
		{
			secpos++;				//扇区地址增1
			secoff=0;				//偏移位置为0 	 
		   	pBuffer+=secremain;  	//指针偏移
			WriteAddr+=secremain*2;	//写地址偏移(16位数据地址,需要*2)	   
		   	NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减
			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
		}	 
	};	
	STMFLASH_Lock();//上锁
}
#endif

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)   	
{
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
		ReadAddr+=2;//偏移2个字节.	
	}
}

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1.使用FLASH模拟EEPROM示例1.写入#define Rat_FLASH_SAVE_ADDR 0X0800FF40 /** *调试模式 *@param *@careful *@return */ void Bluetooth(void){ u8 pBufUp[8]; float f_ju = 0.00; //设置--速比 else if(uart2._buffer[0] == 'S' && uart2._buffer[1]
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