具有出色的导通电阻，BSZ010NE2LS5、IAUZ30N10S5L240、IAUT300N08S5N012、IAUC26N10S5L245 OptiMOS™ 5功率MOSFET的参数

摘要

OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。

具有出色的导通电阻，BSZ010NE2LS5、IAUZ30N10S5L240、IAUT300N08S5N012、IAUC26N10S5L245 OptiMOS™ 5功率MOSFET —— 明佳达

1、BSZ010NE2LS5： MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON

描述：BSZ010NE2LS5功率MOSFET是优化效率和功率密度解决方案的最佳选择，例如开关模式电源（SMPS）中的同步整流。与之前的OptiMOS MOSFET产品相比，RDS（on）显著降低，从而提高了系统效率。PQFN 3.3x3.3 mm封装的小尺寸与出色的电气性能相结合，进一步增强了目标应用中一流的功率密度和外形改进。

产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3900 pF @ 12 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳：8-PowerTDFN
基本产品编号：BSZ010

2、IAUZ30N10S5L240 MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32

描述：IAUZ30N10S5L240是一款适用于汽车应用的OptiMOS™ 5 功率MOSFET，采用3.3 x 3.3 mm S3O8封装。

产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：832 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：45.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TSDSON-8-32
封装/外壳：8-PowerTDFN
基本产品编号：IAUZ30

3、IAUT300N08S5N012 MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

描述：IAUT300N08S5N012是一款适用于汽车应用的OptiMOS™ 5 功率MOSFET，设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。

产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：231 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16250 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-1
封装/外壳：8-PowerSFN
基本产品编号：IAUT300

4、IAUC26N10S5L245 MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8

描述：IAUC26N10S5L245是一款24.5mR 100V MOSFET，采用5x6 mm SSO8封装，采用Infineon OptiMOS 5技术，设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。除其他产品外，它还用于发动机管理、无线充电以及LED照明。

产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24.5 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：762 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8-33
封装/外壳：8-PowerTDFN

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