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原创 IRFS3206 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET

优势优化分销合作伙伴的广泛可用性 根据 JEDEC 标准进行产品验证 针对10 V栅极驱动电压进行了优化(称为正常电平) 工业标准通表面安装功率封装 高电流承载能力封装(高达195A,芯片面积可变化) 可用于波焊指标参数Parametrics IRFS3206 ID(@25°C) max 210.0A Moisture Sensitivity Level 1 Mounting SMD Ptotmax 300.0W...

2021-07-10 10:07:08 349

原创 74AHC1G32GW 74系列逻辑芯片

属性 参数值 商品目录 74系列逻辑芯片 逻辑电路的归属系列 74AHC 逻辑类型 或门 电路/元件数 1 输入数/每元件位数 2 工作电压 2V ~ 5.5V 额外特性 74AHC1G32GW ...

2021-07-09 10:16:00 784

原创 IRFR5305 -55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

IRFR5305符合 RoHS 低 RDS(on) 具有业内先进的品质 动态的dv/dt额定值 快速开关 完全雪崩额定值 175°C 的工作温度 P 通道MOSFET指标参数Parametrics IRFR5305 ID(@25°C) max -31.0A ; -31.0A Moisture Sensitivity Level 1 Mounting SMD Ptotmax 89.0W Package DPAK...

2021-07-08 22:03:56 469

原创 IR2130 600 V 三相栅极驱动器IC,具有过电流保护、OPAMP和故障报告功能

600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 28 引脚 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 44 引脚 PLCC 和 28 引脚 SOIC WB 封装可选。特征描述专为自举操作设计的浮动通道 完全运行时的电压高达 600V 容许负瞬态电压高 不受 dV/dt 影响 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V 全通道欠压锁定 典型死区时间 2.5 µs (IR2130) 提供典型死区时间 0.8 µs (IR2132) 选

2021-07-03 10:21:57 862

原创 IPB80N08S4-06 | 80V, N-Ch, 5.5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK,

特征描述N 通道 - 增强模式 AEC 101 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保产品(符合 RoHS ) 100% 经过雪崩测试ParametricsParametrics IPB80N08S4-06 ID(@25°C) max 80.0A IDpulsmax 320.0A Ptotmax 150.0W Package D2PAK (PG-TO263-3) Polari...

2021-07-03 10:14:18 141

原创 IRF9310 -30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

指标参数Parametrics IRF9310 ID(@25°C) max -20.0A Moisture Sensitivity Level 1 Mounting SMD Ptot(@ TA=25°C) max 2.5W Package SO-8 Polarity P QG(typ @4.5V) 58.0nC Qgd 28.0nC RDS (on)(@4.5V) max 6....

2021-07-02 10:24:35 464

原创 TLE4290G 是一款单片集成的低压降稳压器,负载电流达 450 mA,并具有良好的电源特性。

TLE4290G 是一款单片集成的低压降稳压器,负载电流达 450 mA,并具有良好的电源特性。高达42 V的输入电压可调节至VQ,nom = 5.0 V。该器件经设计用于在汽车应用的恶劣环境下提供μ控制器。因此可以防止过载,短路和过温情况。当然,TLE4290G也可用于所有其他需要稳定5 V电压的应用。图表指标参数Parametrics TLE4290G Accuracy 2.0% Dropout Voltage 250.0mV Early War..

2021-07-02 09:50:38 180

原创 IPI030N10N3G 英飞凌 100V OptiMOS

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。指标参数Parametrics IPI030N10N3 G Budgetary Price €/1k 1.84 Ciss 11100.0pF Coss 1940.0pF ID(@25°C) max 100.0A IDpulsma...

2021-07-02 09:44:18 255

原创 电子元器件学习平台

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2021-06-28 00:20:10 1546

原创 电子学习网站导航

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2021-06-25 09:18:56 806 1

空空如也

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