1. Why low power?
LSI金属线中的高电流密度会导致导线损坏,短路
热电子迁移现像会导致电子进入Gate 的SIO2区域,造成Transister的性质发生变化
电池能力,发热问题,可靠性问题以及环境因素
2. 流程中的低功耗
系统设计 架构优化,并行或穿行流程,计算单元的选型
RTL设计 门控时钟,操作单元隔离和储存单元分区
综合 低功耗综合
布局布线 门控时钟的时钟树综合,低功耗布局布线
3.CMOS 电路的电力消耗包括
1. 动态功耗 by switching operation, 电容的充放电。Pdynamic=CV2fα
2. 短路电流:NMOS PMOS同时导通造成的 Pshort_circuit=Vdd*Isc
3. 泄露电流:包括PN结电流和亚阈值电流
4. 门控时钟电路
门控反相器:传输门:
D锁存器
一种简单的MS触发器前后的两个门由使能控制
Gated Clock Cell
这是个由使能控制的时钟(在使能有效的时候,时钟才会向后传)
右边这里是是由时钟控制的与门
对于一个触发器
1. 没有门控时钟:8 Transistor 处于工作状态
2. 对于有门控时钟:8(门控时钟的八个Transistor)+8*β(使能信号的翻转率,小于等于1)
如果对于n个bit的触发器
1.没有门控时钟:8n
2.有门控时钟8+8nβ
门控时钟缺点
1. 面积增加
2.时钟树综合