1.1 硅、玻璃和石英微流控芯片的制作

 

微流控芯片要在所选用的材料基板上构建出 微米级通道 和 其他组件，内壁光滑度要求很高，需要采用特定的微细加工技术。微细加工技术是将图形高精度转移到芯片上的技术，主要包括 光刻(lithography) 和 蚀刻(etching) 等，已广泛应用于半导体和集成电路制作中。

玻璃等芯片微细加工技术的基本过程包括：

(1). 涂胶

(2). 曝光

(3). 显影

(4). 腐蚀

(5). 去胶

环境和步骤对芯片的质量产生直接影响，操作须严格按照工艺要求进行，使刻出来的图像重叠精度高，清晰，没有钻蚀、毛刺、针孔和小岛等缺陷。

 

光刻的一般步骤( 8 步 )：

光刻一般步骤

光刻 是利用 光成像 和 光敏胶 在微流控芯片的基片如硅、玻璃、石英等材料上图形化的过程；

光刻技术一般由以下工艺过程构成  ​​​​​​:

(1).  基片清洗

        通过脱脂、抛光、酸洗、水洗的方法使硅、石英或玻璃等基片被加工表面得以净化，再将其干燥，以利于光刻胶与基片表面有良好的粘附。

(2).  涂胶

        涂胶是在经过处理的基片表面均匀涂上一层粘性好、厚度适当的光刻胶。

        最常用的涂胶方法是旋转涂敷法，它是在涂胶机上进行的，这种方法所得到的胶膜较好。此外，涂胶方法还有刷涂法、浸渍法、喷涂法等。

(3).  前烘

       前烘是在一定的温度下，使光刻胶液中溶剂挥发。它能增强光刻胶与基片黏附以及胶膜的耐磨性，以便于承受在曝光过程中胶膜与掩膜之间的摩擦，增加胶膜耐显影液浸泡的能力，保证在曝光时能进行充分的光化学反应。

       前烘通常在电热恒温箱内或热空气中进行，也可采用红外热源，但应注意避免胶膜见光。

(4).  曝光

       曝光时将掩膜置于光源与光刻胶之间，用紫外光等透过掩膜对光刻胶进行选择性照射，在受光照到的地方，光刻胶发生

化学反应，从而改变感光部位胶的性质。

        曝光是光刻中的关键工序。光刻胶对波长范围 300-500 nm 的光敏感。最常用的光源是汞灯。

        曝光主要有以下几种方式：

        (1). 光学曝光

        (2). 接触式和接近式复印曝光

        (3). 光学投影成像曝光 .

曝光示意图

(5).  显影及检查

        显影是把曝光过的基片用显影液除去应去掉的部分光刻胶，以获得与掩膜相同(正光刻胶) 或 相反(负光刻胶) 的图形。

        显影时间视操作条件而异，一般以 1~3 min 为宜。

显影示意图

(6).  坚膜

       坚膜是将显影后的基片进行清洗后在一定温度下烘烤，以彻底除去显影后残留于胶膜中的溶剂或水分，使胶膜与基片紧密粘附，防止胶层脱落，并增强胶膜本身的抗蚀能力。

       一般坚膜温度在 150-200 C 之间，时间为 20-45 min

(7).  腐蚀

       腐蚀是以坚膜后的光刻胶作为掩蔽层，通过化学或物理方法将被刻蚀物质剥离下来，以得到期望图形的刻蚀方法。

       根据腐蚀剂的状态不同，可将腐蚀工艺分为湿法腐蚀和干法腐蚀两大类；由于干法腐蚀设备价格昂贵，所以目前干法腐蚀较少用于微流控芯片的制造。

(8). 去胶

       腐蚀结束后，光刻胶就完成了它的使命，因此需要设法把这层无用的胶膜去掉，这一工序称为去胶。

       去胶主要有下列几种方法：

       (1). 溶剂去胶

       (2). 氧化去胶

       (3). 等离子去胶

       (4). 紫外线分解去胶法

 

经过上述步骤，就可以得到刻有微通道的微流控基片。

 

参考文献：

【1】 微流控芯片实验室-林秉承

 

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