Cypress存取时间为10纳秒的异步SRAM

Cypress 16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns。异步SRAM内含l亿多个晶体管﹐采用6个晶体管存储单元﹐是4兆字节快速异步SRAM的后续产品.Cypress负责这种新SRAM设计流程中﹐从概念设计到交付生产的每一个阶段。第一块硅片已初步定型﹐最初结果显示存取时间将远低于10ns .该设计是用0.16微米CMOS工艺实现的﹐芯片的面积超过120000平方密耳。

尽管早先的异步SRAM设计是使用高电压晶体管实现的﹐但是新的SRAM采用双电压晶体管和双栅氧化物工艺﹐因而只使用低压晶体管﹔所以降低了芯片成本。然而该器件仍能承受高电压。在双栅氧化物实现过程中﹐芯片的一部分留给了高压晶体管﹔诸如调节电路﹑加电复位电路和输入输出缓冲器等均使用高压晶体管来实现﹐而在新SRAM中所有晶体管都是低压晶体管。设计师们采用了一些耐高压技术﹐其中包括将晶体管级联起来﹐以使加到晶体管的栅极―源级电压都不超过2.5V.

为保证更快的存取时间﹐新SRAM的一个关键设计目标是不管外部Vcc如何变化﹐都能确保芯片上的Vcc保持恒定不变。如果芯片的外部Vcc发生变化﹐例如从2.2V变为3.8V﹐芯片的内部Vcc则仅为2V。如果外部Vcc从2.2V变化到4V﹐该芯片则保持相同的存取时间。用0.16微米CMOS工艺制造SRAM这一决定也要求采用低压技术。在线宽为0.16微米时不可能使用高压技术﹐因为你要将–切都缩小,一旦你缩小了栅极氧化物﹐你就得降低供电电压﹐这样你就需要一个稳压器。