SRAM是随机存取存储器的一种。所谓的静态是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,因此SRAM具有较高的性能.
SRAM的速度快但价格相对昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache).SRAM也有许多种,如Async SRAM (异步SRAM)、Sync SRAM (同步高速SRAM)、PBSRAM (流水式突发SRAM),还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
不管是哪种 SRAM,其基本的原理大都是通过两个首尾相接的反相器来锁存数据的,如图 2-2 所示。其中反相器Ⅰ和Ⅱ形成正反馈,使电路总能恢复到稳定状态;N1 和 N2 叫做存取管,用来读取或者写入数据;字线( WL)控制存取管的开启,从而将存储的数据从位线( BL 和 BLB)传送至外围电路。反相器Ⅰ、Ⅱ和存取电路组成了一个 SRAM 单元(SRAM Cell)(由于该单元只能存储一位的数据,有时也叫做 bit-cell)。根据存取电路的不同,目前大 致可以将 SRAM 单元分为上述三种端口的类型,下面分别介绍这些单元的结构。
图 1 SRAM单元基本结构
单端口 SRAM
根据图1中反相器的不同,单端口SRAM单元有电阻负载型、无负载型和六管 CMOS 单元等。电阻负载型存储单元由于电其压传输特性曲线(VTC)不陡并且功耗大已远离了主流设计