几种存储器的学习笔记

这篇博客介绍了嵌入式系统中常见的存储器类型,包括只读存储器(ROM,如掩膜ROM、PROM、EPROM、E^2PROM)、随机访问存储器(RAM,如SRAM、DRAM、双端口RAM)、非随机存取存储器(如FIFO、LIFO、移位寄存器)和混合存储器(如Flash、NVRAM)。详细阐述了各种存储器的工作原理和特性,特别提到NVRAM中的FRAM和Flash存储器的优缺点。
摘要由CSDN通过智能技术生成

正在学习嵌入式,将一些知识点记录下来以备将来浏览。

      

几种嵌入式存储器分类:

1 只读存储器ROM:

    掩膜ROM、PROM、EPROM、E^2PROM

       只读存储器也就是只能读,不能写的存储器。

       PROM初始内容全部为1或者全部为0,是一次性可编程器件。又有熔丝型和肖特基二极管型两种结构。

       EPROM采用浮栅管单元技术,具备可重复擦写功能的存储器,E表示可擦除,特征是用于紫外线照射的石英窗。

       E^2PROM即电可擦除可编程ROM,典型的双电压器件,写电压高于读电压。

2 随机访问存储器RAM:

    SRAM。DRAM、双端口RAM

       随机存储区,系统在上电时可随机访问读写,但断电后存储区的数据将全部丢失。

       DRAM会进行周期性的刷新以保持数据,会引起访问延迟。

       双端口RAM拥有两套数据线、地址线、控制线。

 

3 非随机存取存储器:

      FIFO、LIFO、移位寄存器

4 混合存储器:

     Flash、NVRAM

其中NVRAM又分为FRAM、nvSRAM。带后备电池的SRAM;

FeRAM(FRAM)即铁电存储器,基于铁电效应设计而成(国外的一个研究生先提出来的),随机访问,非易失,速度接近RAM,读写功耗底,可擦写百万次以上,非常牛掰。

 

Flash是一种随机访问、非易失的高速存储器,又分为NOR Flash和NAND Flash

 


尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统,但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理。   NV-SRAM简介 在现代计算机系统中,存在大量内存。其中大多数是名称不合时宜的随机存取存储器RAM)。这个名称意义不大,因为当今所有内存都是随机访问的。当工程师谈论RAM时,它们的意思是易失性半导体存储器,只要加电,就可以无限期地对其进行读写操作。并非总是这样。在计算机的早期,程序/数据存储的最常见形式是“核心内存”。按照现代标准,这是笨重的(更不用说昂贵了!),但是具有有用的特性:它是非易失性的。读取或写入数据需要电源,但不需要保留电源。在核心内存掉电的情况下,数据将无限期保持不变。有趣的是,掉落或振动的核心内存可能会破坏其内容,尽管现代计算机和大多数嵌入式系统的工作内存主要是RAM,但拥有大量可用的非易失性RAM(NV-SRAM)仍然很有用。这可以使用闪存或某些其他具有非易失性的存储技术(例如MRAM)来实现,也可以是带有受保护电源(例如电池)的常规RAM嵌入式系统中NV-SRAM有许多可能的用途:•程序代码和常量数据的存储,在启动时会复制到RAM中。尽管通常可以选择执行NV-SRAM,但是某些NV-SRAM技术的速度(访问时间)使这种方法没有吸引力。•重启后保留设备设置参数。许多设备都是用户可配置的。此信息需要存储在某个地方。•长时间缓冲采集的数据,不受电源故障的影响。一个简单的例子可能是在数码相机中存储照片。
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