RAM

最新推荐文章于 2024-07-02 13:53:17 发布

QCZTZSWT357

最新推荐文章于 2024-07-02 13:53:17 发布

阅读量1k

点赞数 1

分类专栏：嵌入式学习笔记文章标签：存储

嵌入式学习笔记专栏收录该内容

36 篇文章 2 订阅

订阅专栏

RAM分为两大类：SRAM和DRAM

SRAM (Static RAM/SRAM)

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。
从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
按CPU每个机器周期能对内存进行访问的次数分，SRAM又被分为SARAM(Single-access RAM)和DARAM(Dual-access RAM)两种内存。

DRAM (Dynamic RAM/DRAM)

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。所以为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

在计算机市场上DRAM又可以分为SDRAM(Synchronous DRAM)、DDR SDRAM(Dual Data Rate SDRAM)和RDRAM(Rambus DRAM)这几类。
这是计算机内存市场上对内存的分类方式，这些内存都属于上面提到的DRAM。

SDRAM

SDRAM中文名字是“同步动态随机存储器”，意思是指理论上其速度可达到与CPU同步。通俗讲就是我们常说的内存条，自从Pentium时代以来，SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待时间，提高了系统整体性能。大家都知道CPU的核心频率＝系统外部频率×倍频的方式。而内存就是工作在系统的外部频率下，最初的66MHz的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能，芯片组厂商又陆续制订出100MHz、133MHz系统外频的工作标准。这样SDRAM内存也就有了66MHz（PC66）、100MHz（PC100）和133MHz（PC133）三种标准规格。某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存，例如Kingmax和Micro等。

DDR SDRAM

DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。

目前DDR已经发展到DDR3的时代，现在我们所购买的pc机大部分都采用的是DDR3 SDRAM内存条。DDR2 SDRAM（Double Data Rate 2 SDRAM）是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR SDRAM内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3 SDRAM相比起DDR2 SDRAM有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3最高能够1600Mhz的速度，由于最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。

RDRAM

RDRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依*高时钟频率（目前有300MHz、350MHz和400MHz三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit（由两条8bit的数据通道组成），远低于SDRAM的64bit，由于RDRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在300MHz下的数据传输量可以达到300×16bit/8×2=1.2GB/s，400MHz时可达到1.6GB/s，目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，确实很有吸引力。由于这种内存是全新的结构体系，需要兴建专用的内存生产线才能进行大批量生产，基本上无法对原有的生产线进行改建，这样初期产品的成本肯定是难以与DDR进行竞争，而且生产这种内存还必须按产量向Rambus公司交纳一定的专利金，让各厂商缠足不前，在一定程度阻碍了RDRAM的发展，不过更高带宽的双通道RDRAM不久将会出现。Rambus公司已经推出世界上第一条运行在1200MHz频率上的RDRAM，内存的峰值带宽将达到4.8GHz/s。除此之外，Rambus还将推出一款运行在1066MHz下的RDRAM，它们的设计和制造工艺和从前的Rambus内存区别不是很大。