3.2 半导体存储器RAM

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3.2 半导体存储器RAM（Random Access Memory，RAM）

易失性的存储器
1.半导体存储芯片的基本结构

2.半导体随机存取存储器
    1.SRAM（Static Random Access Memory）
        需要同时送行列地址
        触发器实现
    2.DRAM（Dynamic Random Access Memory）
        分两次送行列地址
        电容实现    

3.DRAM的刷新
    1.多久需要刷新一次
        刷新周期：一般为2ms
    2.每次刷新多少存储单元
        以行为单位，每次刷新一行存储单元
        --为什么要用行列地址？
            当地址位数很大的时候，选通线的个数是无法忍受的
            把存储单元排列成矩阵的形式，将一维排列变成二维排列
            原来是一个号码选通一个单元，现在是一个坐标选通一个单元
            存储单元排列成2^(n/2)*2^(n/2)的矩阵（行列地址位数相同）
            把地址拆分为行列地址
            把原来的译码器分成行地址译码器和列地址译码器
            原来需要2^n根线，现在需要2^(n/2+1)根线，大大减少了线的数量
            原来只能选中一个存储单元，现在可以选中一行存储单元

    3.如何刷新
        有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期
    4.在什么时候刷新（刷新就是重新写入）（重点）
        1.不需要CPU控制
        2.以行为单位
        3.整个存储器的所有芯片的同一行同时进行刷新
            多个芯片时，不要分开计算
        4.刷新方式
            1.分散刷新
                一个存储周期之后，刷新一行
            2.集中刷新
            3.异步刷新（掌握异步刷新的时间间隔如何计算）

4.SRAM的读周期（图片不是很准确，要看书）
    要理解延迟开始和延迟结束的理念，以及理解存储周期为什么有恢复时间

5.SRAM的写周期（图片不是很准确，要看书）

6.本节总结