本文介绍了静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)的工作原理。SRAM利用双稳态触发器保持信息，不需要刷新，但集成度低、功耗高。DRAM则依赖电容存储信息，需要定期刷新，集成度高、功耗低，常用于主存。文章详细讲解了DRAM的三种刷新方式：集中刷新、分散刷新和异步刷新，强调了刷新对CPU的透明性和DRAM刷新的独特性。
前提
集成度：就是存储一个二进制位单元需要的原件个数
1 SRAM存储器的工作原理
通常把存放一个二进制位的物理器件称为存储元，它是存储器的
最基本构件。地址码相同的多个存储元构成一个存储单元。若干
存储单元的集合构成存储体。
静态随机存储器（SRAM）的存储元是用双稳态触发器（六管MOS）
来记忆信息的，因此即使信息被读出后，它仍保持其原状态而不需
要再生（非破坏性读出）.但是，只要电源被切断，原来的保存信
息便会丢失，故它属易失性半导体存储器。
SRAM的存取速度快，但集成度低，功耗较大，所以一般用来组
成高速缓冲存储器。
2 DRAM存储器的工作原理
与SRAM存储器的存储原理不同，动态随机存储器（DRAM）
是利用存储元电路中栅极电容上的电荷来存储信息的，常见
的DRAM的基本存储电路通常分为三管式和单管式。DRAM
采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，且地址信号分行、
列两次传送。相对于SRAM来说，DRAM具有容易集成、位
价低、容量大和功耗低等优点，但是DRAM的存取速
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