CSC60R10 是一款集成耐压 60V 功率MOSFET 的高性能同步整流控制芯片,应用于SSR 开关电源系统中,支持 DCM、CCM、QR等多种工作模式。CSC60R10应用于开关电源系统中,替代次级肖特基二极管,能有效地提高开关电源系统的效率。
CSC60R10 内置独特的高压采电单元,外部只需连接一个小电容即可实现自供电,具有外围应用简单的显著特点。
CSC60R10采用SOP8的标准封装形式。百芯达提供CSC60R10全程应用指导。
CSC60R10主要特点
支持 DCM、CCM、QR 等多种模式
内部集成 10mΩ 60V 功率 MOSFET
内置自供电系统
外围器件少,应用简单
静态功耗小
内置 VCC 过、欠压保护
CSC60R10应用说明
1 、 介绍
CSC60R10 是一款应用于 SSR 开关电源系统中同步整流器,可以代替肖特基二极管提高反激变
换器的效率。电路支持 DCM、CCM、QR 等多种工作模式的反激变换器,其内部集成了低 R DS (ON )的 N 沟道功率 MOSFET,外围应用简单,可靠性高。电路具有极低的静态工作损耗和内部自供电技术。
2 、 VCC 自供电
CSC60R10内部集成自供电系统。当初级电感处于励磁阶段,利用SW为VCC进行充电储能,当
VCC上升到一定电压后,芯片进入正常工作状态。该自供电技术为逐周期供电,如充电阶段内检测
出现过充情况,立即关闭充电回路保护芯片。
3 、 同步整流控制
当CSC60R10的VCC端电压从0V开始升高时,电路首先进入欠压锁定(UVLO)状态,同步整流
输出驱动电压为低电平,电路处于关闭状态,此时内部N沟道MOSFET处于寄生二极管整流状态。
VCC端电压继续上升,当VCC达到VCC_ON 时,内部控制模块启动。电路通过SW端检测VDS 电压,当VDS 电压低于VTHON 的阀值时,电路内部产生一个驱动信号经过一定延时后去驱动内部MOSFET管导通,此时电流立即从内部寄生的二极管上转移到导通的MOSFET管上。随着存储在变压器上的能量慢慢释放完毕,通过MOSFET的电流也将慢慢减小到0,V DS 的电压也将慢慢上升,当SW端检测到VDS 电压高于V THOFF 的阀值时,驱动电压经过一定延时后关闭,MOSFET管再次进入截止状态;而系统如果在CCM状态下,当SW端检测到V DS 电压高于V THOFF 的阀值时,电路将快速关闭驱动,使MOSFET管迅速进入截止状态。
4 、 功率 MOS
CSC60R10 内部集成 10mΩ 60V 功率 MOSFET,最大峰值电流可达 60A,能够有效提高系统的
可靠性和稳定性,高速开关切换和软恢复特性在高频同步整流应用中具有显著优势。