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第一章常用半导体器件
一、基础知识
1.1 半导体基础知识
概念：
按导电能力的不同，自然界物质可分为导体、绝缘体、和半导体，半导体导电能力介于导体和绝缘体之间，并且会随着温度、光照、或参入某些杂质而发生显著变化，常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。
物质的导电能力取决于原子结构。半导体的材料最外层电子（价电子）既不像导体那样容易摆脱原子核的束缚，从而成为自由电子，又不像绝缘体一样被束缚的那么紧。
1.1.1 本征半导体：
将 纯净半导体经过一定工艺过程制成单晶体为本征半导体
空间排列：
规则的晶体点阵，每个原子处于四面体中心，其他4个原子位于四面体的顶点。
平面示意图：
每一个原子最外层的电子受到自身原子核与相邻原子核的吸引，两个相邻的原子公用一对价电子，形成晶体中的共价健结构
两种载流子：
共价键中电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，晶体中没有自由电子。即T=0K（T=-273°C）时，半导体不能导电，如同绝缘体。
两种载流子（带正电的空穴与带负电的自由电子）
温度升高（热激发）
温度升高，将有少数价电子获得足够的能量，以挣脱共价键的束缚，称为自由电子。但是因自由电子的数量很少，导电能力比较微弱。同时，在原共价键中留下一个空穴位（空穴）。（自由电子带负电，空穴带正电）
空穴导电作用
空穴吸引临近共价键中的电子来填补这个空穴，这时失去了价电子的临近共价键中出现的空穴又会吸引临近的价电子来补充，从而又出现一个空穴，电子的填补运动相当于带正电荷的空穴在运动，称为空穴运动。
电子运动 x3 --------------------> x2 -------------------------> x1
空穴运动 x1---------------------> x2 -------------------------> x3
空穴运动与电子运动正好相反
总结：
1、半导体区别于金属导体的一个重要特点：在半导体中存在两种运载电荷的粒子，即载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。
2、本征半导体中自由电子和空穴是成对产生的，成为电子-空穴对，两种载流子浓度相同。
3、当自由电子填补空穴时，叫做复合。
4、在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合运动达到了平衡，使电子-空穴的浓度一定。
5、本征半导体中虽然存在两种载流子，但因本征载流子的浓度很低，所以总的来说导电能力很差
6、随着温度的升高，载流子的浓度基本上呈现指数规律增加。因此，本征半导体的导电与温度环境密切相关。
1.1.2 杂质半导体：
本征半导体虽然存在两种载流子，但因浓度很低，总的来说导电能力很差。
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可以使半导体的导电特性发生显著变化。参入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
N型半导体------ 掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。
P型半导体------ 参入三价杂质元素（如硼）的半导体。
1.N型半导体（Negative）
在N型半导体中自由电子（Negative）是多数载流子，他主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由本征激发形成（热激发）。
多子：多数载流子
少子：少数载流子
2. P型半导体（positive）
在P型半导体中，空穴是多数载流子，主要由杂质原子提供；自由电子是少数载流子，由本征激发形成。
3.杂质半导体的简化表示
对于杂质半导体，从总体上来看，仍然保持电中性
在P型区中，多子空穴的浓度等于负离子的浓度与少子电子浓度之和
在N型区中，多子电子的浓度等于正离子的浓度与少子空穴浓度之和
P型半导体：画出其中负离子和等量空穴表示
N型半导体：画出其中正离子和等量自由电子表示
总结：
1、 杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度，而少子的浓度主要取决于温度的变化。
2、N型半导体主要是靠自由电子导电，掺入的杂质元素越多，自由电子的浓度越高，导电性越强。
3、P型半导体主要靠空穴导电，掺入的杂质元素越多，空穴的浓度越高，导电性越强。
4、纯净半导体掺入杂质元素后，导电性能大大提高。
5、杂质半导体的奇妙之处在于：本征半导体掺入不同性质、不同浓度的杂质元素后，并对P型和N型半导体采用不同方式组合，可制造出用途各异的器件。
1.2 PN结及其单项导电性
1.2.1.PN结的形成
采用不同的参杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面附近就形成了PN结。
1.2.2.PN结中载流子的运动
（a）交界面两侧电子和空穴的浓度相差悬殊，P型区的多子空穴要向N型区扩散，同时N型区的多子电子要向P型区扩散。
（a）多数载流子的扩散运动
（b） 电子和空穴相遇时，发生复合而消失，于是在交界面处形成1个由不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，即PN结。由于空间电荷区缺少可自由运动的载流子，又称为耗尽层。
（b）平衡时阻挡层形成
（b）多子的扩散运动破坏了P型区和N型区的电中性，形成了内电场。只剩下不能参与导电的正负离子。P区带负电，N区带正电。
（c）漂移运动
（c）多子的扩散运动破坏了P型区和N型区的电中性，形成了内电场。内电场将阻止多子继续扩散， 利于少子的运动。即利于P型区中电子向N型区运动，N型区中空穴向P型区运动。将少子在在内电场作用下的定向运动称为漂移运动。
总结：
1、在PN结中进行着两种载流子的运动：多子的扩散运动和少子的漂移运动。而且在无外电场和其他激发作用下，多子的扩散运动和少子的漂移运动达到平衡。
1.2.3.PN结的单向导电性
1、在PN结两端外加电压，将破坏原平衡状态，扩散电流不再等于漂移电流。PN结将有电流流过。
2、当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。
（1）PN结外加正向电压时处于导通状态
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，此时，PN结状态称为正向偏置，简称正偏。
外加正偏电压
内电场被削弱、空间电荷变窄
↓ ↓
少子漂移被削弱 多子扩散被增强
↓
大的正向扩散电流
PN结导通时的结压降只有零点几伏，因而要在所在回路中串连一个电阻，以限制回路的电流，防止PN结因正向电流过大而损坏。
（2）PN结外加反向电压时处于截止状态
当外加电压使PN结中N区的电位高于P区的电位，称为加反向电压，此时，PN结的状态称为反向偏置，简称反偏。
外加反偏电压
内电场被增强、空间电荷变宽
↓ ↓
少子漂移被增强 多子扩散被削弱
↓
几乎为零的反向漂移电流
1.2.4.PN结的伏安特性
反向电流非常小，近似分析中，常将其忽略不计，认为PN结加反向电压时处于截止状态。
总结：
PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流。即PN结具有单向导电性。
1.3 二极管
1.3.1 二极管的结构
1、将PN结用外壳封装，并加上电极引线就构成了二极管。
2、由P型区引出的电极为阳极。
3、由N型区引出的电极为阴极。
4、按制造二极管的材料分，有硅二极管和锗二极管。
5、从管子的结构来分，有点接触型、面接触型二极管。
1.3.2 二极管的伏安特性曲线
1、正向特性：正向电压低于某一数值时，正向电流很小几乎为0，只有正向电压高于某一值后，才有明显的正向电流，该电压称为导通电压，又称为门限电压或者死区电压，用Uon表示。且随着电压升高，正向电流急剧增大，电压与电流的关系基本是一条指数曲线。
1.2、在室温下，硅管的Uon约为0.6~0.8V，锗管的Uon约为0.1~0.3V。通常认为，当正向电压U<Uon时，二极管截止，U>Uon时，二极管导通。
2、反向特性：二极管加反向电压，反向电流数值很小。而且当反向电压超过零点几伏以后，反向电流不再随着反向电压而增大，基本不变，达到了饱和，称为反向饱和电流Is。硅管反向饱和电流为纳安（nA）数量级，锗管的为微安（uA）数量级。
2.1、当反向电压加到一定值Ubr时，反向电流急剧增加产生击穿，Ubr为反向击穿电压。二极管击穿以后，不再具有单向导电性。
2.2、二极管击穿并不意味着二极管被损坏。当反向击穿时，只要注意控制反向电流的数值，不使其过大，即可避免因过热烧而坏二极管；而当反向电压降低后，二极管的性能仍能恢复正常。
3、二极管方程（PN结伏安特性表达式）
1.3.3 二极管的主要参数
1、 参数是其特性的定量描述，实际工作中根据要求选用器件的依据。
(1) 最大整流电流 IF。二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于IF，否则二极管将过热而烧毁。
(2) 最大反向工作电压 UR。二极管允许的最大反向工作电压。当反向电压超过此值时，二极管可能被击穿。为了留有余地，通常取击穿电压的一半作为 UR。
(3) 反向电流 IR。指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单向导电性越好。由于反向电流是由少数载流子形成，所以 IR 值受温度影响很大。
(4) 最高工作频率 fM。fM 的值主要取决于PN结结电容的大小，结电容越大，则二极管允许的最高工作频率越低。
1.3.4 二极管的应用
1、二极管的运用基础是二极管的单向导电性。在应用电路中，关键是判断二极管的导通或截止。二极管导通时一般用电压源 UD = 0.7V（硅管），如果是锗管用0.3V代替，或近似用短路线代替。截止时，一般将二极管断开，即认为二极管反向电阻为无穷大。
2、理想二极管导通时正向压降为0，截止时反向电流为0.
1.4 稳压管
1、普通二极管不允许在反向击穿状态下工作，利用二极管方向击穿时，流过二极管的电流急剧增大，但二极管两端的电压却几乎保持不变这一特性，采用特殊工艺制成在反向状态下工作而不损坏的二极管，就是稳压管（即单向击穿二极管，又称齐纳二极管）。
2、稳定电压 Uz 就是击穿电压 UBR
稳压管符号
稳压管的伏安特性
3、稳压管的正向特性与普通二极管相同。当反向电压较小时，反向电流几乎为0，稳压管处于截止状态，不具备稳压特性。当反向电压增大到击穿电压Uz时，反向电流Iz将急剧增加。
4、稳压条件：电击穿，且
1.5 双极晶体管
一、构成方式
在一块半导体基材上做出三个不同的参杂区域，呈现三明治结构。发射区发射载流子、集电区收集载流子、基区用于控制，集电区区域要大，类似于厂库的作用。
二、结构
三个区域、三个电极、两个PN结（靠近发射区的叫发射结，靠近集电区的叫集电结）
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