计算机存储系统详解：存取时间、存储器带宽与存储类型
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本文详细探讨了计算机存储系统的概念，包括存取时间、存取周期、存储器带宽等核心概念。解释了静态存储器(SRAM)与动态存储器(DRAM)的区别，以及高速缓冲存储器(Cache)的作用和工作原理。还介绍了大端存储和小端存储的概念，以及存储器扩展方法如字扩展和位扩展。此外，文章还涉及了虚拟存储器、地址映射和替换算法等内容。
4.1
存取时间：又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器的操作(读或写分别对应存与取)到该操作完成所经历的时间。
存取周期：连续启动两次访问操作之间的最短时间间隔。
存储器带宽：单位时间内存储器所能传输的信息量，常用的单位包括位/秒或字节/秒。
存储单元：保存数据的基本内存单元。根据保存内容的大小，一般可分位存储单元，字存储单元等。存储单元一般应具有存储数据和读写数据的功能，每个单元有一个地址，并按地址访问。
大端存储：数据的高字节存储在低地址中，数据的低字节存储在高地址中（即往往将数字按照原本顺序存储）
小端存储：数据的高字节存储在高地址中，数据的低字节存储在低地址中（即往往将数字反向存储）
Compare大端存储&小端存储：eg：12345678
大端存储：12 34 56 78 小端存储：78 56 34 12
静态存储器(SRAM)：不需要刷新，运行速度快，储存成本高的SRAM，常用作Cache
动态存储器(DRAM)：需要刷新，运行速度较慢，储存成本低的DRAM，常用作主存
刷新：动态存储单元中，为使所存信息能长期保存，在电容电荷泄露完之前定时地补充电荷的过程。
刷新周期：需要多久刷新一次，一般为2ms
字扩展：用多位满足一定要求的存储芯片构成容量更大的存储器。
位扩展：用多片存储芯片构成位数更多的存储器。
多体交叉存储器：由多个存储容量相同，读写速度相同或相近的多个存储模块构成容量更大的存储器，根据存储模块的组织方式不同，又可分为低位交叉和高位交叉两种组织方式。
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