借助高能效GaN转换器，提高充电器和适配器设计的功率密度

如今，充电器和适配器应用很常用的功率转换器拓扑是准谐振（QR）反激式拓扑，因为它结构简单、控制简便、物料（BOM）成本较低，并可通过波谷切换工作实现高能效。然而，与工作频率密切相关的开关损耗和变压器漏感能量损耗，限制了QR反激式转换器的很大开关频率，从而限制了功率密度。 在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高功率密度，软开关和变压器漏感能量回收变得不可或缺。这必然导致选用本身效率更高的转换器拓扑。 本文阐述了如何将英飞凌的CoolGaN集成功率级（IPS）技术应用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器拓扑。采取这种方式可以更快速、更轻松地设计出充电器和适配器解决方案，以打造更小巧、更轻便的产品，或者虽尺寸相同但功率更高的产品，用于为设备快速充电，或用一个适配器为多个设备充电。 能够实现更高功率密度的转换器拓扑 事实证明，得益于零电压开关（ZVS）和无缓冲损耗，诸如有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器等半桥（HB）拓扑，即使在很高开关频率下也能实现高能效。 有源钳位反激式（ACF）拓扑

图1所示为CoolGaNIPS用于有源钳位反激式（ACF）转换器的典型应用示例。在ACF拓扑中，当主开关关断而钳位开关接通时，可经由钳