电阻偏移,持久性有一个有限的时间,最大10^7s。与相邻的单元发生冲突。读性能与DRAM差不多,但写性能相差较大。非易失性 non-volatilitybyte-addressability写的速度越快,持久性越差,相反也成立。因为,target band 越大,写的速度越快,持久性就越差。target band 越小,需要迭代写——以使cell达到所需的电阻要求——的次数就越多,因此速度就越慢。