Research
RaoYongang
这个作者很懒,什么都没留下…
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PCM性质
电阻偏移,持久性有一个有限的时间,最大10^7s。与相邻的单元发生冲突。读性能与DRAM差不多,但写性能相差较大。非易失性non-volatilitybyte-addressability写的速度越快,持久性月差,相反也成立。因为,target band 越大,写的速度月快,持久性就越差。target band 越小,需要迭代写,以使cell达到所需的电阻要求,的次数就越多,因此速度就越慢。原创 2016-06-02 15:09:43 · 315 阅读 · 0 评论 -
灵感
待续。。原创 2016-06-24 22:57:11 · 207 阅读 · 0 评论 -
顶级会议特征
语言:比较老练实验非常详实,很深入,考虑的方面很全面不一定是针对一个问题提出解决方法,也可以是对某个对象的研究、调研,例如,湿度对数据中心的影响。原创 2016-06-24 22:51:27 · 998 阅读 · 0 评论 -
存储-杂
有一个存储栈:storage stack PCM 写速度比flash慢,读速度比flash快 flash 和 hhd都是block设备。原创 2016-06-24 22:58:16 · 257 阅读 · 0 评论 -
HDD性质
读写速度对称原创 2016-06-29 11:39:59 · 330 阅读 · 0 评论 -
flash性质
每次写操作之前,都要先擦除:erase-before-write。擦除的最小单位是block,写的最小单位是page。写放大(write amplification):flash会周期性地进行垃圾回收,每次回收时都会讲block中的有效的数据拷贝出来,然后进行擦除,这样便形成了写放大,因为每次写之前也要擦除一次,因此垃圾回收时的擦除不是必须的。原创 2016-06-17 16:01:00 · 447 阅读 · 0 评论