flash性质

  • 页page(4K)→块block(通常64个page组成一个block,有的是128个)→面band(多个blcok组成)→die(band就是一个die)→闪存片(多个die组成)→SSD(多颗闪存片组成)
  • 每次写操作之前,都要先擦除:erase-before-write。
  • NAND flash读和写的最小单位是page,擦除的最小单位是block。
  • 写放大(write amplification):实际实际写入的数据,比请求的数据多。写放大的根源是垃圾回收GC。
  • SSD:flash based SSD,PCM based SSD
  • 读、写、擦除的速度不对称。读最快,写其次,擦除最慢。
  • 无法就地更新in-place update,因为写之前要进行擦除操作。
  • 不能随机写page,要顺序的写。
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