- 页page(4K)→块block(通常64个page组成一个block,有的是128个)→面band(多个blcok组成)→die(band就是一个die)→闪存片(多个die组成)→SSD(多颗闪存片组成)
- 每次写操作之前,都要先擦除:erase-before-write。
- NAND flash读和写的最小单位是page,擦除的最小单位是block。
- 写放大(write amplification):实际实际写入的数据,比请求的数据多。写放大的根源是垃圾回收GC。
- SSD:flash based SSD,PCM based SSD
- 读、写、擦除的速度不对称。读最快,写其次,擦除最慢。
- 无法就地更新in-place update,因为写之前要进行擦除操作。
- 不能随机写page,要顺序的写。
flash性质
最新推荐文章于 2024-03-02 15:42:34 发布