磁性元件学习1

1 磁的基本概念

1.1 磁感应强度(B)

解释:单位长度的导线,在均匀磁场中,通过单位电流所受到的力
在这里插入图片描述
**B:**磁场内某点磁场强弱和方向的物理量(左手定则判读方向)
单位: 特斯拉(T) 国际单位制(SI)或者是韦伯每平方米(Wb/m^2)
高斯 (GS) 电磁单位制(CGSM)
**左手定则:**已知电流方向和磁感线方向,判断通电导体在磁场中受力方向。伸开左手,让磁感线穿入手心(手心对准N极,手背对准S极), 四指指向电流方向 ,那么大拇指的方向就是导体受力方向。
特斯拉:1m长流过1A电流的导体,在1特斯拉的磁场中,受到的力为1牛顿。
即 1T=1N/(1A1m)
高斯: 1GS=1g/(1A
1cm)
1T=10000GS

1.2 磁通(Φ)

解释:垂直通过一个截面的磁力线总量称为该截面的磁通量。
在磁芯变压器和电感中,给定结构磁芯截面上,或断面接相等的气隙端面间的磁场基本上是均匀的,磁通可以表示为:
Φ=BA
单位:韦伯 Wb 简称韦, SI制
麦克斯韦, Mx 简称麦,CGSM制
1Wb=1T
1m^2
1Mx=1Gs*1cm^2
1Wb=10^8 Mx

1.3 磁导率(μ)磁场强度(H)

磁导率:类似电阻R,解决磁场强度和磁感应密度的数量关系,表示磁场媒介对磁的固有特性的物理量。

1.3.1 磁导率(μ)

电流在不同的介质中产生的磁感应强度B是不同的,通过磁导率来表征物质导磁能力。
真空磁导率:在这里插入图片描述
相对磁导率:在这里插入图片描述

1.3.2 磁场强度(H)

磁场中某点的B与该点的μ的比值定义为该点的磁场强度。也称为磁场密度、磁化力、外加场等,单位是A/m。
在这里插入图片描述
单位:A/m SI制
奥斯特 Oe CGSM制
1A/m=(4π/1000)Oe.
磁场强度与媒介无关,只与通过的电流有关。相同电流在不同媒介中的磁感应强度B不同,揭示了材料的导磁能力不同。
磁通连续性定理:在磁场中任意一个封闭曲面内,磁感应强度向量的面积积分恒等于零。类似于电流向量和为0
在这里插入图片描述

1.3.3安培环路定理

用来解释电流I与磁场强度H的数量关系
解释:电流产生的闭合磁场中,矢量H沿任意闭合曲线的积分等于闭合曲线所包围的所有电流的代数和。
在这里插入图片描述

针对环形均匀介质的磁场强度:
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

1.4 法拉第电磁感应定律

是指闭合电路的一部分导体在磁场中作切割磁感线运动,导体中就会产生电流的现象。
条件1:闭合回路
条件2:穿过闭合回路的磁通量发生变化
右手定则:
右手定则简单展示了载流导线如何产生一个磁场。伸开右手,使大拇指跟其余四个手指垂直,并且都跟手掌在一个平面内,把右手放入磁场中,让磁感线垂直穿过手心(即手心正对磁场N极方向),大拇指指向导体运动的方向,那么其余四个手指所指的方向就是感应电流的方向。
针对N匝线圈,Δt时间内,磁通变化ΔΦ,有
e=|N*ΔΦ/Δt|
单匝线圈的磁通在1s内变化1Wb时,线圈端电压为1V

1.4.1电路输入到磁场的能量

在这里插入图片描述
如上图,u=-e=NAdB/dt
线圈中磁通增长相应的磁化电流为i=H*2πr /N
电路输入到磁场的能量计算:
在这里插入图片描述
V=Hl 磁场的体积
在这里插入图片描述
单位体积的磁场能量是磁场强度和磁感应强度乘积的1/2.

1.5 小结

1、只要有电流,不管是恒定的还是变化的,都会产生磁场。
2、磁场用磁力线形象描述。磁力线是无头无尾的光滑曲线,其切线方向表示磁场方向。在磁铁内部,磁力线由磁场南极指向磁场北极;在外部由北极指向南极。
3、建立磁场需要送入能量,使磁场消失需要释放能量,送入和释放能量需要时间和场地。
4、磁和电之间的关系:
全电流定律(安培环路定律):沿闭合回路磁场强度的线积分等于闭合回路包围的电流的代数和。
电磁感应定律(法拉第定律和楞次定律):一个线圈包围的磁通发生变化时,在线圈端产生感应电势,感应电势如果产生感应电流,此电流产生的磁场阻止线圈包围的磁通变化。

  • 1
    点赞
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值