每日论文9-00JSSC MOS变容管在射频压控振荡器中的应用

《On the Use of MOS Varactors in RF 》00JSSC

遇到了个工艺库，没有成品Varactor。。所以文艺复兴欣赏一下24年前的J。

在远古时期，变容管都还是用二极管变容管（reverse-biased diode varactor ），但是实验表明该类变容管对整个调谐范围对相噪性能都有不利影响。因此后面就有了用MOS管来构造Varactor，分为两种，积累型MOS变容管(Accumulation-mode MOS capacitor,AMOS)和反型MOS变容管（ inversion-mode MOS capacitor,IMOS）。

众所周知，将漏极、源极和本体(D, S, B)连接在一起的MOS晶体管实现了电容值取决于B和栅极(G)之间电压的Var。MOS管会工作在三个区，如下图：

分别是积累区、耗尽区、反型区。反型区分为强反型区、中反型区和弱反型区。我们可以看到，在积累区和强反型区，MOS的电容值是定值Cox=εoxS/tox，其中S和tox分别是晶体管沟道面积和氧化物厚度。

为了完成变容的任务，我们肯定希望它是单调变化，其中一种让它单调变化的方法即让它不进入积累区，这种就是IMOS。具体方法是：通过去除D-S和B之间的连接，并将B连接到电路中可用的最高直流电压来实现的，效果如下图，我们可以看到就是上图去掉左边的部分。而且可以看到，这样比BDS相连时的调谐范围要更大。

更具吸引力的方案是让MOS只工作在耗尽区和积累区，这样的单调会更加理想，并且有更小的寄生电阻。实现方法就需要抑制MOS沟道中任何空穴的注入，可以通过从MOS器件中去除D-S扩散(p掺杂)来实现，同时，我们可以在D-S留下的地方实现块触点(n+)，如下图所示，这样可以最小化器件的寄生n阱电阻。

AMOS的效果就是第一幅图砍掉了右边，如下图：

本文对三种Var都进行了设计和测试，参数和调谐范围如下：

并且对相噪性能进行了仿真测试，如下图，发现AMOS的相噪性能表现最好。因此现在大部分库里面的Var应该也都是AMOS。