关于SST26VF016B的一些使用问题

山石未开，古灯长燃

已于 2022-06-23 16:52:01 修改

阅读量579

点赞数

文章标签： c语言驱动开发

于 2022-06-23 16:49:18 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Shj0627/article/details/125429706

版权

本文介绍了在使用SST26VF016 Flash存储器时遇到的写入和擦除操作问题。尽管数据手册未明确指出，但在实际调试中发现，必须先发送全局块解锁（98H）指令才能成功执行写使能（WREN）和写操作。代码示例展示了正确的操作顺序，包括解锁、再次写使能、写入数据及等待空闲状态的过程。对于数据手册的不完整描述，作者提出了疑问并分享了解决方案。

摘要由CSDN通过智能技术生成

1.在使用该Flash时Security ID占用地址0000-07FFH空间，最好不用在此地址中存储用户数据

2.在使用的写（02H）以及擦除（20H、D8H、C7H）操作时，我们可以看到在数据手册中的是这样描述的：

在进行写与擦除操作的时候需要先发送WREN(写使能)指令，但当我在实际的调试中发现，并不能成功将数据写入。

在我发送写使能指令后读取状态寄存器STATUS REGISTER，可以得到当前的写使能bit位是成功置位了的。

经过调试最后发现，需要在写使能之前发送全局块解锁（98H），解锁块保护。

最后的代码结构是这样的：

uint8 SST26VF016_Write_Tx[4] = {0xFF,0xFF,0xFF,0xFF};
uint8 SST26VF016_Write_Rx[260] = {0};

OUT_SST26VF016DRV_WREN(); //写使能
OUT_SST26VF016DRV_ULBPR(); //解锁块保护

OUT_SST26VF016DRV_WREN();//写使能

Out_SST26VF016_CS_LOW; //拉低使能引脚
SST26VF016_Write_Tx[0] = PAGE_PROGRAM;
SST26VF016_Write_Tx[1] = (addr&0xFFFFFF)>>16;
SST26VF016_Write_Tx[2] = (addr&0xFFFF)>>8;
SST26VF016_Write_Tx[3] = addr&0xFF;
OUT_HcSST26VF016_ESH_Transmit(SST26VF016_Write_Tx,SST26VF016_Write_Rx,0x04);//发送地址

OUT_HcSST26VF016_ESH_Transmit(buffer,SST26VF016_Write_Rx,Size); //将数据写入Flash
Out_SST26VF016_CS_HIGH; //拉高片选引脚
OUT_SST26VF016DRV_Wait_Busy(); //状态寄存器检测，直到空闲状态

OUT_SST26VF016DRV_WRDI(); //写失能

需要注意的是，在写入（98H）指令后会是写使能状态位清0，需要重新写入（06H）指令。

在数据手册中没有直接说明需要在写数据的过程前写入（98H）指令，不能理解为什么，还请相关大佬可以解答一下，在此感谢。