第一章
1.1 半导体基础知识
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常用的模拟电路:
- 放大电路
- 运算电路
- 信号发生电路
- 直流电源
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1.1.1 本征半导体
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具有纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体。
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常用半导体材料
- 硅(Si)锗(Ge)四价元素
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本征半导体中的两种载流子
- 自由电子和空穴相遇后小事——复合
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总结
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本征半导体中载流子为自由电子和空穴。
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自由电子和空穴成对出现,浓度相等。
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自由电子和空穴运动方向相反
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热激发可产生自由电子和空穴,但本征半导体导电性差且导电性和温度密切相关。
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1.1.2 杂志半导体
一、N型半导体
- 掺入五价元素
- 多子-----自由电子
- 少子-----空穴
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二、P型半导体
- 掺入三价元素
- 多子-----空穴
- 少子-----自由电子
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- 总结
- 和本征半导体相比杂质半导体中载流子的数量大大增加,所以导电性比本征半导体要好很多。
- 杂质半导体中多子的浓度决定掺杂原子的浓度。
- 杂质半导体中少子是本征激发产生的,所以尽管浓度很低,却对温度非常敏感,这将直接影响半导体器件如二极管,三极管的性能。
1.1.3 PN结
一、PN结的形成
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将P和N型半导体制作在同一块硅片上,在他们的交界面就形成PN结。
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PN结具有单向导电性
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- 在交界面,由于两种载流子的浓度差,出现扩散运动。
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在交界面,由于扩散运动,经过复合,出现空间电荷区,产生内电场
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内电场阻碍多子扩散,促进少子漂移,当扩散电流等于飘移电流时,达到动态平衡,形成PN结。
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总结
- 多子扩散运动形成空间电荷区和内电场。
- 内电场阻碍多子扩散,促进少子漂移。
- 当扩散电流等于漂移电流时,达到动态平衡,形成PN结。
二、PN结的单向导电性
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PN结外加正向电压时处于导通状态(P正N负,正向接法或正向偏置)
- 外电场抵消内电场的作用,使耗尽层变窄,形成较大的扩散电流。
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PN结外加反向电压时处于截止状态
- 外电场和内电场共同作用,使耗尽层变宽,形成较小的漂移电流。
- 总结
- PN结加正向电压时导通,此时空间电荷区变窄,正向电流很大。正向偏置时必须接限流电阻;
- PN结加反向电压时截止,此时空间电荷区变宽,反向电流很小。反向偏置时可以接限流电阻,也可以不接限流电阻。
- 上述特性称为PN结的单向导电性。
三、PN结的伏安特性和电流方程
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- 总结
- 本征半导体有两种载流子,自由电子和空穴
- N型半导体掺入5价元素,多子是自由电子,少子是空穴;P型半导体掺入3价元素,多子是空穴,少子是自由电子。
- PN结加正向电压耗尽层变窄,正向电流很大,称为导通;PN结加反向电压耗尽层变宽,反向电流很小,称为截止;这个特性称为单向导电性。
1.2 半导体二极管
一、 结构、符号和外形
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二、伏安特性
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- 总结
- 普通二极管只工作在红色和粉色区域。
- 击穿并不意味着损坏。
- 正向接法必须串联限流电阻,正反向电流均不能过大,否则会烧坏二极管。
- 当温度升高时二极管的导通电压减少,反向饱和电流变大。
三、二极管的主要参数
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四、 二极管的等效电路
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五、二极管的应用
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第二章
2.1 稳压管
一、稳压二极管及应用
- 稳压管工作在反向击穿状态,用于稳压和限幅。
1. 工作原理
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2.主要参数
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3. 稳压管的工作条件
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- 注意:稳压管正向工作时和二极管的特性完全相同。
4. 稳压管的应用
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2.2 双极型晶体管
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一、晶体管的结构和类型
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- 注意:**发射极箭头的方向 ** 为 发射结正偏的方向 也是 发射极电流的流向
二、晶体管的电流放大作用
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1. 三极管内部载流子的运动
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2. 晶体管的电流分配关系
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3. 晶体管的电流放大倍数
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四、主要参数
1. 电流放大倍数β
五、 温度对三极管特性的影响
2.3 放大电路的分析方法
一、放大的概念
二、 放大电路的性能指标