模拟电路笔记

第一章

1.1 半导体基础知识

• 常用的模拟电路：

  • 放大电路
  • 运算电路
  • 信号发生电路
  • 直流电源

1.1.1 本征半导体

• 具有纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体。

• 常用半导体材料

  • 硅（Si）锗（Ge）四价元素

• 本征半导体中的两种载流子

  • 自由电子和空穴相遇后小事——复合
  

• 总结

  1. 本征半导体中载流子为自由电子和空穴。

  2. 自由电子和空穴成对出现，浓度相等。

  3. 自由电子和空穴运动方向相反

  4. 热激发可产生自由电子和空穴，但本征半导体导电性差且导电性和温度密切相关。

1.1.2 杂志半导体

一、N型半导体

• 掺入五价元素
• 多子-----自由电子
• 少子-----空穴

二、P型半导体

• 掺入三价元素
• 多子-----空穴
• 少子-----自由电子

• 总结
  1. 和本征半导体相比杂质半导体中载流子的数量大大增加，所以导电性比本征半导体要好很多。
  2. 杂质半导体中多子的浓度决定掺杂原子的浓度。
  3. 杂质半导体中少子是本征激发产生的，所以尽管浓度很低，却对温度非常敏感，这将直接影响半导体器件如二极管，三极管的性能。

1.1.3 PN结

一、PN结的形成

• 将P和N型半导体制作在同一块硅片上，在他们的交界面就形成PN结。

• PN结具有单向导电性

• 在交界面，由于两种载流子的浓度差，出现扩散运动。

• 在交界面，由于扩散运动，经过复合，出现空间电荷区，产生内电场

• 内电场阻碍多子扩散，促进少子漂移，当扩散电流等于飘移电流时，达到动态平衡，形成PN结。

• 总结

  1. 多子扩散运动形成空间电荷区和内电场。
  2. 内电场阻碍多子扩散，促进少子漂移。
  3. 当扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡，形成PN结。

二、PN结的单向导电性

1. PN结外加正向电压时处于导通状态（P正N负，正向接法或正向偏置）

   • 外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变窄，形成较大的扩散电流。

2. PN结外加反向电压时处于截止状态

   • 外电场和内电场共同作用，使耗尽层变宽，形成较小的漂移电流。

• 总结
  1. PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区变窄，正向电流很大。正向偏置时必须接限流电阻；
  2. PN结加反向电压时截止，此时空间电荷区变宽，反向电流很小。反向偏置时可以接限流电阻，也可以不接限流电阻。
  3. 上述特性称为PN结的单向导电性。

三、PN结的伏安特性和电流方程

• 总结
  1. 本征半导体有两种载流子，自由电子和空穴
  2. N型半导体掺入5价元素，多子是自由电子，少子是空穴；P型半导体掺入3价元素，多子是空穴，少子是自由电子。
  3. PN结加正向电压耗尽层变窄，正向电流很大，称为导通；PN结加反向电压耗尽层变宽，反向电流很小，称为截止；这个特性称为单向导电性。

1.2 半导体二极管

一、 结构、符号和外形

二、伏安特性

• 总结
  1. 普通二极管只工作在红色和粉色区域。
  2. 击穿并不意味着损坏。
  3. 正向接法必须串联限流电阻，正反向电流均不能过大，否则会烧坏二极管。
  4. 当温度升高时二极管的导通电压减少，反向饱和电流变大。

三、二极管的主要参数

四、 二极管的等效电路

五、二极管的应用

第二章

2.1 稳压管

一、稳压二极管及应用

• 稳压管工作在反向击穿状态，用于稳压和限幅。

1. 工作原理

2.主要参数

3. 稳压管的工作条件

• 注意：稳压管正向工作时和二极管的特性完全相同。

4. 稳压管的应用

2.2 双极型晶体管

一、晶体管的结构和类型

• 注意：**发射极箭头的方向 ** 为 发射结正偏的方向 也是 发射极电流的流向

二、晶体管的电流放大作用

1. 三极管内部载流子的运动

2. 晶体管的电流分配关系

3. 晶体管的电流放大倍数

四、主要参数

1. 电流放大倍数β

五、 温度对三极管特性的影响

2.3 放大电路的分析方法

一、放大的概念

二、 放大电路的性能指标