记STM32外扩SDRAM_stm32f4外扩sdram-CSDN博客

本文链接：https://blog.csdn.net/Tokite/article/details/134359056

本文详细描述了在STM32H723ZG微控制器上外扩SDRAM的过程，包括配置、PCB设计挑战，以及SDRAM数据线和地址线的处理。作者通过实例展示了如何进行SDRAM读写测试，并讨论了数据线交叉对性能的影响和编程中的注意事项。

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SDRAM和SRAM的区别？SRAM是TTL触发器构成的静态电路，就是数电里学的那种触发器寄存器，每个存储单元由多个晶体管组成。成本高，容量密度小，但功耗低速度快。SDRAM是靠CMOS电容存储数据的，但寄生电容会自漏电，就需要不断充电，所以成本低，容量密度大，但功耗高，而且速度相比SRAM理论上也要慢一点。

本次实验硬件是STM32H723ZG配W9825G6KH，因为第一次外扩RAM，肯定优先是抄作业。仔细一看这东西其实不难，stm32cubemx里配置FMC使能SDRAM模式，并且根据芯片的数据和地址宽度选择对应的模式，cubemx就把IO给选好了，而且单片机引脚和芯片引脚直接一一对应，连连看就行，再给电源都撒上104电容，原理图就出锅了。

PCB设计才是难题，13根地址线16根数据线加上几个控制信号一共39根线，更重要的是，这39根线原则上全部要等长走线，因为FMC的频率可以上百M，已经来到了高速PCB的范畴。在走线的过程中，会发现有些数据线不可避免地会出现交叉，而且可能会存在很多交叉，这时候可以对信号线进行一些调整，理论上数据线D0到D15可以任意互换，如下图，我们输出1011，交换D0和D1之后，SDRAM实际存入的是0111，但如果把数据再读出，0111经过交叉的数据线依然会还原成1011，SDRAM存放的数据物理上是什么根本不重要，只要单片机能把存入的数据原样取出就行。

但是，一般情况下只能D0~D7内对调，D8~D15内对调，因为FMC存在一种按byte访问的模式，如果单片机只操作八位类型的数据比如char/u8，而数据宽度是16位的，FMC就会屏蔽高8bit或者低8bit来实现8bit读写，所以高位和低位的信号不能对调，否则就不支持八位操作了。事实上笔者在画原理图的时候就没想到这一点，精准的把D0和D8对调了，导致无法使用八位操作，其实问题也不大，SDRAM容量如此之大，即便把char按照short去存也完全够用。

这时候有聪明的网友就要问了，那A0到A13是不是也可以任意对调，毕竟数据实际存放在什么位置也不重要，只要能原样取回就行。但这个其实不行，因为SDRAM芯片还存在一些控制命令，这些命令就是通过地址线去发送的。而且物理地址对读写其实是有影响的，对硬盘稍微了解点的都知道硬盘的随机读写和顺序读写性能不同，对于SDRAM也是如此，如果数据线乱了，明明是顺序读写却都会变成随机读写，性能会打折扣。

历经千辛万苦拖完了39根登场走线，下单，拿到了PCB，写代码。不得不说stm32cubemx是真的太方便了，图形化配置完了生成代码，再从网上随便找个例程复制过来，即便单片机型号不同，代码也成功跑起来。初始化完成后直接往0xC0000000开始的地址里面写入数据再读出来就知道有没有成功，如果卡死跳入硬件错误中断就是失败，如果读出的数据和写入的不同，多半是因为频率过高等长误差太大，降低频率再试试。笔者的PCB全是自己摸爬滚打自学的，第一次画等长虽然跑不满137.5M，可以跑到108M已经比较满意。初始化代码是从CSDN别的博主下面拷贝过来的就不分享了，分享一下写的测试代码

#define SDRAM_TEST_TIM  TIM2                  //计时用定时器
#define SDRAM_TEST_ADDRESS_START 0xC0000000    //SDRAM首地址
#define SDRAM_TEST_SIZE 0x1fffffA             //测试空间大小
void sdram_test(void) //SDRAM读写测试
{
  unsigned int temp = 0;
  unsigned short err = 0;
  printf("/***************** SDRAM TEST ****************/\n\r");   //开始测试
  //字节写测试
  printf("             WORD TEST          \n\r");
  printf("writing start\n\r");    //字节写入测试开始
  SDRAM_TEST_TIM->CNT=0;                //清空定时器计数
  LL_TIM_EnableCounter(SDRAM_TEST_TIM);  //开始计时
  for(temp=0; temp<SDRAM_TEST_SIZE; temp+=4)
  {
    *(unsigned int*)(SDRAM_TEST_ADDRESS_START+temp) = temp;
  }
  LL_TIM_DisableCounter(SDRAM_TEST_TIM);  //先停止定时器再输出测试结果
  printf("writing end, cost:%1.2fS\n\r", ((float)(SDRAM_TEST_TIM->CNT)/274375000));   //字节写入测试结束打印耗时
  //字节读测试
  printf("reading start\n\r");    //字节读出测试开始
  SDRAM_TEST_TIM->CNT=0;              //清空定时器
  LL_TIM_EnableCounter(SDRAM_TEST_TIM);  //开始计时
  for(temp=0; temp<SDRAM_TEST_SIZE; temp+=4)  //读出并且比对预期写入值，如果不相符输出错误
  {
    if((*(unsigned int*)(SDRAM_TEST_ADDRESS_START+temp)) != temp)
    {
      printf("find err on 0x%x\n\r", (SDRAM_TEST_ADDRESS_START+temp));
      err++;
    }
  }
  LL_TIM_DisableCounter(SDRAM_TEST_TIM);    //计时结束
  printf("reading end， cost:%1.2fS\n\r", ((float)(SDRAM_TEST_TIM->CNT)/274375000));   //打印耗时
  printf("            HALF WORD TEST        \n\r");
  //半字写测试
  printf("writing start\n\r");    //字节写入测试开始
  SDRAM_TEST_TIM->CNT=0;                //清空定时器计数
  LL_TIM_EnableCounter(SDRAM_TEST_TIM);  //开始计时
  for(temp=0; temp<SDRAM_TEST_SIZE; temp+=4)
  {
    *(unsigned short*)(SDRAM_TEST_ADDRESS_START+temp) = (unsigned short)temp;
  }
  LL_TIM_DisableCounter(SDRAM_TEST_TIM);  //先停止定时器再输出测试结果
  printf("writing end, cost:%1.2fS\n\r", ((float)(SDRAM_TEST_TIM->CNT)/274375000));   //字节写入测试结束打印耗时
  //半字读测试
  printf("reading start\n\r");    //字节读出测试开始
  SDRAM_TEST_TIM->CNT=0;              //清空定时器
  LL_TIM_EnableCounter(SDRAM_TEST_TIM);  //开始计时
  for(temp=0; temp<SDRAM_TEST_SIZE; temp+=4)  //读出并且比对预期写入值，如果不相符输出错误
  {
    if((*(unsigned short*)(SDRAM_TEST_ADDRESS_START+temp)) != (unsigned short)temp)
    {
      printf("find err on 0x%x\n\r", (SDRAM_TEST_ADDRESS_START+temp));
      err++;
    }
  }
  LL_TIM_DisableCounter(SDRAM_TEST_TIM);    //计时结束
  printf("reading end， cost:%1.2fS\n\r", ((float)(SDRAM_TEST_TIM->CNT)/274375000));   //打印耗时
  if(err>0)
  {
    printf("find %d err\n\r", err);
  }
  else
  {
    printf("0x%X BYTE CHECKED, NO ERROR\n\r", SDRAM_TEST_SIZE);
    LL_GPIO_SetOutputPin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);
  }

  printf("/************ SDRAM TEST COMPLETE ************/\n\r");
}

#define SDRAM_ADDRESS_START SDRAM_TEST_ADDRESS_START
unsigned short *malloc_16(unsigned int size)
{
  static unsigned int ram_p = 0;
  unsigned int res = SDRAM_ADDRESS_START+ram_p;
  ram_p +=size;
  return (unsigned short *)res;
}

分别以word（2*16bit）和hafl word（16bit）把全片写入并且读出，判断读出的数据和写入是否相同，如果不同抛出错误数量。并且使用定时器2（32bit不分频）进行计时