布线(Layout)设计概念

布线(Layout)设计概念

由之前的介绍可知，电场干扰与磁场干扰是电磁干扰里最大的干扰源，不但布线的走线会大大的影响电场与磁场的耦合路径，也会因布线的寄生组件而影响电源的特性，因此良好的布线方式是从事电源设计不可缺少的能力之一，不但多数的电性问题皆因不良的布线导致，电磁干扰的好坏也与布线习习相关，不论是传导或辐射。
多数的布线工程师并不知道怎样的走线方式较好，而只认为每个节点都接到即可，愈资深的工程师则愈会对布线有所要求，以作者的经验，60%以上的电性不良皆是因布线所致，而在此将布线的基本概念概述如下：
5.1 安规距离与制程要求
此为最基本要求，任何产品皆需要达到安规规范，而不同的产线也会有不同的制程要求，像是组件本体大小，各组件之间的距离，接点大小，白漆…等，一般此规范会由各家布线工程师管控，因此在这里不做多述。
5.2 电源路径与信号路径需分开
在开关电源设计里，信号可分为大电流与小电流的，以 反激式(flyback)架构为例，大电流是由输入电源进来至滤波器，桥式，大电容，变压器，初级侧开关，次级侧二极管，输出电容到输出线材等走大电流的路径称为电源路径(power trace)；而走小电流的路径就称为信号路径(signal trace)，像是IC周边的组件或回授电路。
电压愈大会有较大电场的产生，而电流愈大则会有愈大磁场的产生，而周边组件，特别是良导体愈靠近此电场或磁场就会耦合愈大的能量，因此在做布线安排时，尽量让电源路径与信号路径分开来走，以免信号路径被干扰产生误动作，也避免干扰源藉由其他导体放大其干扰信号，在此将电源路径与信号路径分别说明如下：

1.1 电源路径的基本概念

把布线的路径想象成一条水流(即电流)，水流自然会往河流愈宽的地方流(走线愈粗的地方)，而且也自然会往低处流(往目标，即输出端流)，在电源路径上的组件皆应该照顺序流过，否则会大大地衰减其作用。
电容是储存电荷的组件，愈大的电容可储存愈多的电荷，因此在看电源路径时，可视电流由电容正端出发，经由开关组件的回路后再回到电容的负端形成开关回路。
图20为一升压加反激(PFC+Flyback)架构的例子，PFC前端会有一颗小电容，PFC会由此电容形成一导通回路(绿色箭头)经电感，MOSFET，Rsense回小电容，与截止回路(紫色箭头)经电感，二极管，大电容回小电容；即电流由电容的正端出发，经一回路之后再回到电容的负端；同理，Flyback由大电容的正端开始，经变压器，MOSFET，Rsense后再回到大电容负端；输出则由变压器的正端，经输出二极管，输出电容后回到变压器的负端。

图20
因电源路径有很大的电流与电压变动，因此在布线时要注意，流过大电流的回路会产生磁场辐射，因此大电流的走线要尽量短与粗，尤其是次级侧。
高电压开关的走线则要尽量减少其面积以减少电场效应，并尽量减少其相临的导体面积与之间的距离以减少等效电容，图21与22为量测反激式变压器两端的电压波形，由波形可知在MOSFET的Drain端与Diode的正端有很大的电压变化量，因此在布线时此两点的布线面积要尽可能的小，也尽量远离其他的导体以避免电场效应。

图21

图22
有时因为布线的考虑，无法将回路变的很短，这时我们可以靠高频电容来帮忙，像是在大电解电容同电位上并联一个陶质(高频)电容，因多数的电解电容是低频组件，而并联的高频电容可以提供开关时的高频电流，此电容可放在如图23所示的位置，在PFC端可在二极管后端并一颗小电容且靠近PFC MOSFET的地，缩短PFC截止时的回路，而Flyback端则可以在靠近变压器正与Rsense负端并一颗电容来形成较短的回路；愈短的回路可以减少电场导体与磁场回路的面积来得到更好的EMI效果。

图23

1.2 信号路径的基本概念

凡不是电源路径(Power trace)，皆可称为信号路径(Signal trace)，因IC是撷取电源路径里的电压／电流信号来维持系统的稳定，因此在信号路径里最重要的就是从撷取信号源到各IC 脚端时是否干净以利IC运作。
在电磁干扰的领域里，信号路径一般需注意两点，一是辅助绕组(Vcc)回路，一是小信号回路。
辅助绕组回路如图24所示，在此举例的IC为通嘉的6 PIN IC(LD7538)，其辅助绕组回路是由变压器的辅助绕组绕组，二极管，电解电容先形成一开关回路再接至IC，就如同二次侧的切换回路一般，让此开关回路愈短愈好。
IC的供电脚与地脚旁边通常需并联一颗MLCC小电容(0.1uF)，此电容愈近IC愈好，因此电容是高频电容，IC在驱动MOSFET时会由此电容抽能量，且其他噪声在进IC前可先被此电容过滤一次，不论此噪声是经由偏压回路或是地的回路皆有过滤作用。

图24
小信号回路是指IC的各个出脚端，信号愈小的脚位愈容易被干扰，IC在运作时不外乎侦测电压或电流信号，电压信号是由此脚位与地之间形成的电压准位来做判定，而电流信号则是由撷取信号端到IC脚位上的电流大小来决定，因信号愈小愈容易被外来的信号所干扰，尤其是不到1V的电压信号或是不到1mA的电流信号，所以在布线时要非常小心此小信号的走线。
另外，IC驱动MOSFET的栅极回路里也会回到IC的地而形成一电源回路，因为了减少开关损失，IC流入或流出MOSFET的栅极电流有时会超过1A以上，因此IC的输出至MOSFET的栅极与IC至地的走线也很重要，其回路就如同下图粉红色所示。
在此以反激式架构来做说明，反激式简图如图25所示，MOSFET下方会串联一电阻(Rsense)来做电流侦测，其侦测的信号通常都很小来达到低功率损失（<1V），因此布线时要注意此电阻正端截取的信号线，若此信号线在回IC前有加电阻与电容的低通滤波器(RC filter)，则此电阻电容要愈靠近IC愈好，如此可让任何外来的噪声在进IC前皆被此滤波器衰减过，而电阻的负端(GND)回IC的路径也是愈短愈粗愈好，因IC是侦测电阻两端的电压来运作，路径愈短可以减少寄生电感的效应而让IC看到愈真实的信号。

图25
因IC的信号一般都较小，很容易受到外来的干扰而产生误动作，因此在布线时除了要注意与电源路径的距离外，也需注意与任何会产生干扰的组件，像是与磁性组件的磁力线会影响到的周边，或是电源输入线材周边等高压电位都是需注意的地方。
电源与信号路径有一个共同接点：GND，地的走线对EMI影响非常大，参考的地回路接线方式如图26所示。

图26
橙色线为Y电容建议连接法，让输出的地经由Y电容直接连至桥式整流器的负端，让雷击或ESD的能量可以快速的经由Y电容通过。
绿色线为辅助回路的建议接法，让电解电容直接回变压器的地，再单独接至大电容的地。
红色部份为IC的地建议接法，因MOSFET下方的电阻是电源路径(会走大电流)，要尽量的靠近大电容来形成较小的电流回路，再由大电容拉一条线至辅助绕组的积层陶瓷电容(MLCC)，再进入IC的地，而其他IC周边组件的地，即以MLCC电容为中心连接点，此接法一般称为心脏接地，即以此电容为心脏中心，IC周边下地点都接回至此电容，如此任何的地信号要进入IC的地之前，都可以先被此MLCC电容过滤成较干净的信号。
在布线时，任何大面积的导体都需要特别留意，包括散热片／外壳／输入／输出线材等，这些导体如同一天线，会放大任何在上面的信号，不但这些组件所接的位置非常重要，其经过的路径也需注意；一般来说，散热片与外壳不可空接，否则其很容易与周边组件耦合电场效应而产生高频干扰，一般会使其接一较干净，在运作时不会有电位差的电位(GND)。
在此建议的布线方式并不是最好的方式，因不同的变压器设计与布线不同，在EMI里的结果也会有差异，有时必需将干扰源抑制在二次侧或初级侧，有时则必需将干扰源由Y电容或其他组件导出以得到较佳的EMI，因此在此只提出一个布线的设计参考，使用者在对策EMI时仍需做不同的布线方式来得到最佳的EMI效果。