模电笔记4 场效应管（单极型晶体管） 结型场效应管 绝缘栅型场效应管

该系列为《模拟电子技术基础（第5版，童诗白、华成英）》的阅读笔记

场效应管

场效应管，又称单极型晶体管，是利用输出回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体期间。

场效应管分为：结型和绝缘栅型两种不同的结构。

1.结型场效应管

如下图1.1所示，结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。

图1.1结型场效应管

N沟道结型场效应管的结构示意图如下图1.2所示.
图中，同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将他们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s。
P区与N区交界面形成耗尽层，漏极和源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。

图1.2 N沟道结型场效应管的结构示意图

1.1结型场效应管的工作原理

为使N沟道结型场效应管能正常工作，应在栅-源之间加负向电压（即u_GS<0），以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间加正向电压u_DS，以形成漏极电流i_D。

1.当u_DS=0V（即d、s短路）时，u_GS对导电沟道的控制作用。

当u_DS=0V，且u_GS=0V时，耗尽层很窄，导电沟道很宽。如下图（a）所示。
当|u_GS|增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。如下图（b）所示。
当|u_GS|增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消失，沟道电阻趋于无穷大，称此时|u_GS|的值为夹断电压U_GS(off)。如下图（c）所示。

2.当u_GS为|U_GS(off)|到0V中某一固定值时，u_ds对漏极电流i_d的影响。
栅-漏电压u_GD=u_GS-u_DS

①当u_GS为U_GS到0V中某一确定值时，若u_DS=0V，则虽然存在由u_GS所确定的一定宽度的导电沟道，但由于d-s间电压为0，因而漏极电流i_D为0。
②若u_DS>0V，则有漏极电流i_D从漏极流向源极，而沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽，如下图（a）所示。
③当u_DS从零逐渐增大时，u_GD逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。但是只要栅-漏间不出现夹断区域，沟道电阻仍基本决定于栅-源电压u_GS。因此，电流i_D将随u_DS的增大而线性增大，d-s呈现电阻特性。
④而一旦u_DS的增大使u_GD等于U_GS(off)，则漏极一边的耗尽层就会出现夹断区，称u_GD=U_GS(off)为预夹断。如下图（b）所示。
⑤若u_GD继续增大，则u_GD<U_GS(off)，耗尽层闭合部分将沿沟道方向延伸，即夹断区加长。如下图（c）所示。

⑥当u_GD<u_GS(off)时，u_GS对i_D的控制作用
在u_GD=u_GS-u_DS<u_GS(off),即u_DS>u_GS-u_GS(off)的情况下，当u_DS为一常量时，对应于确定的u_GS，就有确定的i_D。此时，可以通过改变u_GS来控制i_D的大小。由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电压控制元件。

由以上分析可知：
①在u_GD=u_GS-u_DS>U_GS(off)的情况下，即当u_DS>u_GS-u_GS(off)(即g-d间未出现夹断)时，对应于不同的u_GS，d-d间等效成不同阻值的电阻。
②当u_DS使u_GD=U_GS(off)时，d-s之间预夹断。
③u_DS使u_GD<U_GS(off)时,i_D几乎仅仅决定与u_GS,而与u_DS无关。此时可以把i_D近似看成u_GS控制的电流源。
④当u_GS<u_GS(off)时，管子截止，i_D=0。

1.2结型场效应管的特性曲线

1.输出特性曲线
输出特性曲线如下图1.3所示

图1.3结型场效应管的输出特性曲线

场效应管有三个工作区域：
①可变电阻区（非饱和区）：图中虚线为预夹断轨迹。u_GS越大,预夹断时的u_DS值也越大。该区域的曲线近似为不同斜率的直线。当u_GS确定时，直线的斜率也唯一地被确定，直线斜率的倒数即为d-s等效电阻。因而在此区域中，可以通过改变u_GS的大小（即压控的方式）来改变d-s等效电阻，也因此称为可变电阻区。
②恒流区（饱和区）：图中预夹断区轨迹的右边区域为恒流区。利用场效应管做放大管时，应使其工作在该区域。
③夹断区（截止区）

2.绝缘栅型场效应管

绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO₂绝缘层隔离，因此而得名。
又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。

MOS管分为N沟道和P沟道，但每一类又分为增强型和耗尽型。
因此MOS管的四种种类为：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管，P沟道增强型管，P沟道耗尽型管。

2.1 N沟道增强型MOS管

N沟道和P沟道增强型MOS管的电气符号，如下图2.1所示。

图2.1 N沟道和P沟道增强型MOS管的电气符号

2.1.1 N沟道增强型MOS管的工作原理

当栅-源之间不加电压时，漏源之间时两只背向的PN结，不存在导电沟道，因此即使漏源之间加电压，也不会有漏极电流。
当u_DS=0，且u_GS>0时，由于SiO₂的存在，栅极电流为0。如下图2.2（a）所示。
当u_GS增大时，一方面耗尽层增宽，形成N型薄层，称为反型层，如下图2.2（b）所示。
使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压U_GS（th）。
u_GS越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。

图2.2 N沟道增强型MOS管的工作原理1

当u_GS是大于U_GS(th)的一个确定值时，若在d-s之间加正向电压，则将产生一定的漏极电流。
此时，u_DS的变化对导电沟道的影响与结型场效应管相似。
即当u_DS较小时，u_DS的增大使i_D线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄，如下图2.3（a）所示。
当u_DS增大到使u_GD=U_GS(th)（即u_DS=u_GD-U_GS(th)）时，沟道在漏极一侧出现夹断电，称为预夹断，如下图2.3（b）所示。
如果u_DS继续增大，夹断区随之延长，如下图2.3（c）所示。
从外部看，i_D几乎不因u_DS的增大而变化，管子进入恒流区，i_D大小几乎决定于u_GS。

图2.3 N沟道增强型MOS管的工作原理2

在u_DS>u_GS-u_GS(th)时，对应于每一个u_GS就有一个确定的i_D。此时，可将i_D是为电压u_GS控制的电流源。

2.1.2 N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程

N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程，如下图2.4所示。
MOS管也有三个工作区域：可变电阻区，恒流区与夹断区。

图2.4N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程
（a）特性曲线 （b）电流方程

2.2N沟道耗尽型MOS管

即使u_GS=0,P型衬底表面也存在反型层，即漏-源之间存在导电沟道。
只要在漏-源之间加正向电压，就会产生漏极电流，如下图2.5（a）所示。
u_GS为正时，反型层变宽，沟道电阻变小，i_D增大；反之，u_GS为负时，反型层变窄，沟道电阻变大，i_D减小。
而当u_GS从零减小到一定值时，反型层小时，漏-源之间导电沟道消失，i_D=0。此时的u_GS称为夹断电压U_GS(off)。
N沟道耗尽型MOS管的u_GS可以在正、负值的一定范围内实现对i_D的控制，且仍保持栅-源间有非常大的绝缘电阻。

图2.5N沟道耗尽型MOS管的结构示意图及电气符号

2.3 P沟道MOS管

与N沟道MOS管相对应，P沟道增强MOS管的开启电压U_GS(th)<0，当u_GS<UGS(th)时管子才导通，漏-源之间应加负电源电压；P沟道耗尽型MOS管的夹断电压U_GS(off)>0,u_GS可在正负值的一定范围内实现对i_D的控制，漏-源之间也应加负电压。

2.4 场效应管的符号及特性

场效应管的符号及特性，如下图2.6所示


图2.6 场效应管的符号及特性

3场效应管的主要参数

3.1 直流参数

①开启电压U_GS(th)：增强型MOS管的参数。
②夹断电压U_GS(off)：结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。
③饱和漏极电流I_DSS：对于结型场效应管，在u_GS=0V的情况下产生预夹断时的漏极电流定义为I_DSS。
④直流输入电阻R_GS(DC)：R_GS(DC)等于栅-源电压与栅极电流之比。手册中一般只给出栅极电流的大小。

3.2 交流参数

①低频跨导g_m：该参数的数值大小表示u_GS对i_D控制作用的强弱。
②极间电容：场效应管的三个极之间均存在极间电容。

3.3 极限参数

①最大漏极电流I_DM：管子正常工作时漏极电流的上线值。
②击穿电压：超过此值，会使管子摧毁。
③最大耗散功率P_DM：决定于管子的允许的温升。