IGBT和MOSFET之间的区别和关系

Utmel

已于 2023-06-29 15:27:37 修改

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文章标签：嵌入式硬件自动化

于 2023-06-29 11:38:14 首次发布

版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

本文链接：https://blog.csdn.net/Utmel/article/details/131453286

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文章探讨了IGBT和MOSFET的开启和关闭电压要求，强调了稳定电压对器件安全的重要性。对于短路保护，SiIGBT的保护时间通常设定在5-8μs，而SiCMOSFET则要求在3μs内响应。高dv/dt和di/dt影响下，提出了优化驱动电路和信号传输延迟的解决方案，推荐使用低传输延迟的驱动芯片。

摘要由CSDN通过智能技术生成

对于一个完全控制的开关器件来说，配置一个适当的通断电压对器件的安全性和可靠性具有重要意义。由于IGBT和MOSFET之间的差异，对两者的要求也不同。

IGBT是一个场控器件，其开启和关闭由栅极（G）和发射极（E）之间的电压决定。MOS管（增强型NMOSFET）的工作原理是利用VGS控制 "感应电荷 "的多少来改变导电通道的状况，进而控制漏极电流。

开启和关闭状态

1) 硅IGBT：不同厂家的硅IGBT有相同的开启和关闭电压要求。

- 典型的开启电压要求是15V。

- 关断电压值范围为-5V~15V，客户可以根据自己的需要选择合适的值。常用的值是-8V、-10V、-15V。

- 优先考虑稳定的正电压，以确保稳定的开启。

2）碳化硅MOSFET：不同的制造商有不同的开关电压要求：

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