IGBT和MOSFET之间的区别和关系

对于一个完全控制的开关器件来说，配置一个适当的通断电压对器件的安全性和可靠性具有重要意义。由于IGBT和MOSFET之间的差异，对两者的要求也不同。

IGBT是一个场控器件，其开启和关闭由栅极（G）和发射极（E）之间的电压决定。MOS管（增强型NMOSFET）的工作原理是利用VGS控制 "感应电荷 "的多少来改变导电通道的状况，进而控制漏极电流。

 开启和关闭状态

1) 硅IGBT：不同厂家的硅IGBT有相同的开启和关闭电压要求。

- 典型的开启电压要求是15V。

- 关断电压值范围为-5V~15V，客户可以根据自己的需要选择合适的值。常用的值是-8V、-10V、-15V。

- 优先考虑稳定的正电压，以确保稳定的开启。

2）碳化硅MOSFET： 不同的制造商有不同的开关电压要求：

- 开启电压要求高于22V~15V。

- 关断电压要求高于-5V~-3V。

- 优先考虑负电压的稳定，以确保稳定的关断电压。

- 增加负压钳位电路，确保关断时不超标。

短路保护

开关器件在运行过程中存在短路的风险，配置合适的短路保护电路可以有效地减少开关器件在使用过程中因短路造成的损害。与硅IGBT相比，SiC MOSFET的短路耐受时间更短。

1) 硅IGBT

Si IGBT的投降和短路的时间一般小于10μs。在设计它的短路保护电路时，将检测延迟和相应的短路保护时间设置为5-8μs。

2) SiC MOSFET

一般来说，SiC MOSFET模块的短路耐受能力小于5μs，要求短路保护在3μs内工作。一个二极管或一个电阻串用于检测短路，保护时间被限制在1.5μs左右。

干扰和延时

1）高dv/dt和di/dt对系统的影响。

当开关动作在高电压和大电流条件下进行时，碳化硅MOSFET器件的开关会产生高dv/dt和di/dt，这将影响驱动电路。提高驱动电路的抗干扰能力对系统的可靠运行是非常重要的。下面的方法可以实现。

- 在输入电源上增加共模扼流线圈和滤波电感，减少驱动电源EMI对低压电源的干扰。

- 在二次侧电源的整流部分加入低通滤波器，减少驱动器对高压侧的干扰。

- 使用共模抗扰度为100kV/μs的隔离芯片进行信号传输。

- 优化隔离变压器的设计，在一次侧和二次侧使用屏蔽层，减少彼此间的串扰。

- 使用米勒钳，防止同一桥臂开关的影响。

2）低传输延迟

通常情况下，硅IGBT的应用开关频率低于40kHZ，而SiC MOSFET的推荐应用开关频率大于100kHz。应用频率的增加使得MOS要求驱动器提供更低的信号延迟时间。SiC MOSFET驱动信号的传输延迟应小于200ns，传输延迟抖动应小于20ns，这可以通过以下方法实现。

- 使用数字隔离驱动芯片，信号传输延迟可以达到50ns，并且具有比较高的一致性，传输抖动小于5ns。

- 选择具有低传输延迟和短上升&下降时间的推挽式芯片。

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