IPD60R3K3C6-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号:IPD60R3K3C6-VB
丝印:VBE165R04
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 最大耐压:650V
- 最大电流:4A
- 静态导通电阻:2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压:3.5V
- 封装:TO252

**详细参数说明:**
IPD60R3K3C6-VB是一款N沟道MOSFET,最大耐压为650V,最大电流为4A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下:在10V下为2200mΩ,在4.5V下为2750mΩ,驱动电压范围为±20V。阈值电压为3.5V。该器件采用TO252封装,有着适中的尺寸和散热性能。

**应用简介:**
IPD60R3K3C6-VB适用于多种领域的模块,包括但不限于:
1. **电源开关模块**:由于其较高的耐压和适中的电流能力,它可用于电源开关和开关模式电源供应模块,有助于提高电能转换效率。

2. **逆变器和开关电源**:在逆变器和开关电源中,该器件可以实现高效的电能转换和控制,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等应用。

3. **电机驱动**:可用于电机控制和驱动模块,如电动汽车、工业机械和家用电器中的电机控制。

4. **电池充放电保护**:在电池管理系统中,它可以用于电池充放电保护和电流控制,确保电池的安全性和性能。

总之,IPD60R3K3C6-VB适用于需要高耐压和适中电流能力的N沟道MOSFET的多种领域,包括电源管理、逆变器、电机驱动和电池管理等领域。其性能参数使其成为许多电子模块的理想选择。

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